专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]矩形导流换热器板片-CN200920014924.1无效
  • 赵宇 - 大连九圆热交换设备制造有限公司
  • 2009-06-25 - 2010-02-24 - F28F3/02
  • 本实用新型所述的矩形导流换热器板片涉及板式热交换器,是由定位孔、角孔、导流、波纹和密封槽所组成。所述的导流加工成多条矩形沟槽,沟槽的一端连接到角孔,另一端连接到波纹。所述的沟槽宽度为5~30mm,沟槽的深度为1~4mm,两矩形沟槽之间相距3~10mm。本实用新型所述的矩形导流换热器板片,矩形导流采用先进的半拉伸设计,采用压延成型技术,能够使流体按设计意图分布,提高了板式换热器的整体传热效果,同时矩形导流结构简单,降低了介质的流动阻力,使换热效果更佳
  • 矩形导流换热器
  • [发明专利]遮光图案-CN201710309347.8有效
  • 徐嘉均;郭玉苹;郭文瑞 - 友达光电股份有限公司
  • 2017-05-04 - 2020-02-04 - G02F1/1335
  • 第一遮光部定义多个主要像素。第二遮光部邻接于第一遮光部且具有内侧边缘。第二遮光部的内侧边缘与第一遮光部共同定义多个非矩形像素,其中所述多个非矩形像素包括面积不同的第一非矩形像素与第二非矩形像素。第一非矩形像素具有第一颜色子区与第一白色子区,第二非矩形像素具有第二颜色子区。第一非矩形像素的面积减去第一白色子区的面积实质上等于第二非矩形像素的第二颜色子区的面积。
  • 遮光图案
  • [实用新型]可调式多功能枕-CN201922197233.6有效
  • 刘振春 - 刘振春
  • 2019-12-10 - 2020-07-07 - A47G9/10
  • 一种可调式多功能枕,涉及保健枕技术领域,它包括矩形主基座、矩形副基座一和矩形副基座二,矩形主基座、矩形副基座一和矩形副基座二上下叠加放置,矩形主基座顶端中间设有颈部和仰卧,颈部和仰卧两侧均为侧卧,颈部边缘处与颈部布套固定连接,颈部上设有粘扣一,所述的矩形主基座四周边缘固定连接若干个绳带一,矩形主基座上铺设薄垫一或者薄垫二,薄垫一和薄垫二四周边缘分别固定连接绳带二和绳带三,绳带二和绳带三与绳带一相系和
  • 调式多功能
  • [实用新型]一种碳化硅二极管元胞结构-CN201921698384.3有效
  • 郑柳 - 重庆伟特森电子科技有限公司
  • 2019-10-11 - 2020-04-14 - H01L29/06
  • 本实用新型公开了一种碳化硅二极管元胞结构,包括矩形元胞,矩形元胞包括P型注入和n型区域,P型注入包括中心P型注入和外侧P型注入,n型区域包括无注入n型区域,其中:P型注入为圆形,其位于矩形元胞中的中心;无注入n型区域为圆环或圆角矩形,其与P型注入同心,其内侧和外侧分别与P型注入和外侧P型注入相接;外侧P型注入矩形或圆角矩形,其位于矩形元胞中的外侧。
  • 一种碳化硅二极管结构
  • [实用新型]一种栅偏测试装置-CN202320354249.7有效
  • 林政丰;杨景程;王之佑 - 深圳新连芯智能科技有限公司
  • 2023-03-01 - 2023-07-21 - G01R31/26
  • 本实用新型涉及测试装置技术领域,具体为一种栅偏测试装置,包括器体,器体的外表面顶部固定安装有提拉把手,器体的外表面一侧设置有防护支撑机构,器体的外表面一侧设置有插线,器体的外表面位于插线的下方设置有充电,器体的外表面位于充电的一侧设置有电量提示,器体的外表面位于电量提示和充电的下方设置有显示。该栅偏测试装置,通过设置防护支撑机构,在螺纹杆带动螺孔块运动的作用下,可以带动矩形滑动框和矩形板运动,进而使得矩形环块与矩形环槽对齐,此时向内按压防护板,使得矩形板在矩形滑动框内滑动,进而使得矩形环块可以卡进矩形环槽内,此时防护板可以对插线和充电进行防护。
  • 一种测试装置
  • [发明专利]LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件-CN201911324379.0有效
  • 刘俊文;陈华伦;陈瑜 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2019-12-20 - 2021-08-24 - H01L21/336
  • 该方法包括提供一衬底,在衬底上制作体和漂移;在体区内制作体接触和源,在漂移区内制作漏;体接触和源之间有浅沟槽隔离;在衬底表面制作栅极;沉积层间介质层;在层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列;接触孔与体接触、源、漏、栅极分别连接,矩形槽阵列位于漂移的上方;其中,矩形槽阵列包括若干个矩形槽,矩形槽的开口宽度小于接触孔的开口宽度,矩形槽的开口宽度逐渐减小;解决了传统的LDMOS器件的击穿电压受到器件尺寸的限制的问题
  • ldmos器件制作方法

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