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[发明专利]一种相变存储器的操作方法、相变存储器及存储器系统-CN202210672725.X在审
发明人：周光乐;杨海波;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种相变存储器的操作方法、相变存储器及存储器系统。其中，所述操作方法包括：在对所述多个相变存储器单元中选中的相变存储器单元执行读取操作后，对所述选中的相变存储器单元执行弱写入操作，其中，所述弱写入操作用于使所述选中的相变存储器单元的相变材料层中受读取干扰影响转变至非晶相的区域恢复至晶相，从而提升相变存储器的寿命。
一种相变存储器操作方法系统

[实用新型]一种具有供电电压调节电路的相变存储器-CN202122693481.7有效
发明人：余飞;姜诗茂;赵蕾;余跃坤;龚喜旺;王建军;张浩 -专利权人：武汉恒胜源建设工程有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11B33/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及存储设备技术领域，且公开了一种具有供电电压调节电路的相变存储器，包括相变存储器，相变存储器包括散热装置和防护装置。该具有供电电压调节电路的相变存储器，通过盒体内部安装微型电机，微型电机顶端固定安装叶片，盒体侧面安装散热片，利用散热片增加相变存储器的散热面积，通过微型电机带动叶片转动形成空气流动，便于给相变存储器散热，避免相变存储器过热降低运行效率和使用寿命缩短。通过在防护壳两侧内壁开设滑槽，便于将防护壳与相变存储器的接口活动安装，以便于保护相变存储器的接口，避免相变存储器在运输过程中接口损坏。
一种具有供电电压调节电路相变存储器

[发明专利]集成的肖特基二极管相变存储器装置-CN202180080719.9在审
发明人： T·M·菲利普;K·布里;L·克莱文格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储器结构可以包括相变存储器，该相变存储器包括相变材料。所述非易失性存储器结构可以包括与相变存储器串联的肖特基二极管，其中肖特基二极管的肖特基势垒是相变存储器的表面。这可以通过适当选择用于相变存储器的接触的材料来实现。这可以产生集成二极管‑存储器结构，其可以控制电流的方向性而不会对结构的占用面积造成不利影响。
集成肖特基二极管相变存储器装置

[发明专利]相变存储器系统、相变存储器设备及其刷新方法-CN202011114785.7在审
发明人：申闰盛;李光振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种相变存储器系统，包括相变存储器设备和相变存储器控制器，该相变存储器设备包括多个存储器单元，该多个存储器单元包括以至少一个或多个码字为单位的多个存储器元件，该相变存储器控制器执行用于刷新整个相变存储器设备的芯片刷新操作，其中相变存储器设备包括设置电路、刷新控制器、感测电路和请求电路，该设置电路以期望的方式确定多个存储器单元中的一个，该刷新控制器刷新所确定的存储器单元，该感测电路感测刷新的存储器单元中包括的至少一个或多个码字的数据
相变存储器系统设备及其刷新方法

[发明专利]一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法-CN201010101396.0有效
发明人：蔡道林;宋志棠;陈后鹏;陈小刚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型；步骤二，对相变存储器单元进行Set操作，获取Set操作的电压-电流曲线；步骤三，通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数，得出相变存储器单元相变区半径。本发明通过对相变区半径的获得确定相变的范围，为相变存储器单元的疲劳特性研究提供支持，同时也为相变存储器单元的保持特性研究提供一种手段。
一种获得相变存储器单元半径系统方法

[发明专利]使用相变存储器的内容可寻址存储单元和存储器-CN200710154773.5无效
发明人：李光振;金杜应 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-09-19 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： G11C15/00 文献下载
摘要：根据示例实施例，一种包含在内容可寻址存储器(CAM)中的CAM单元可以包括相变存储器件、连接器、和/或显现器。所述相变存储器件可以配置用于存储数据。所述相变存储器件可以具有可根据所存储的数据的逻辑电平而变化的电阻。所述连接器可以配置用于控制向所述相变存储器件写数据以及从所述相变存储器件读数据。所述显现器可以配置用于在其中将存储在所述相变存储器件中的数据与搜索数据进行比较的搜索模式下控制从所述相变存储器件读数据。
使用相变存储器内容寻址存储单元

[发明专利]存储设备及其数据读写方法-CN201410562409.2有效
发明人：王月青;陈小刚;蔡道林;宋志棠;李喜;陈一峰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G06F13/28 文献下载
摘要：本发明提供一种存储设备及其数据读写方法，其中，所述存储设备至少包括相变存储器芯片；耦合到所述相变存储器芯片的相变存储器接口控制模块；耦合到外部设备的SD接口控制模块；以及耦合到所述相变存储器接口控制模块和所述SD接口控制模块的存储控制器，用于响应来自于所述SD接口控制模块的数据读取或写入命令，并通过所述相变存储器接口控制模块控制对所述相变存储器芯片的读取或写入。本发明的存储设备为基于相变存储器的SD卡，采用相变存储器芯片作为存储介质，可以进行随机读写。另外，相较于FLASH，坏块管理和ECC纠错等操作也更加简单，实现了坏块屏蔽功能，且具有抗疲劳的特点。
存储设备及其数据读写方法

[发明专利]用于相变存储器阵列的方法-CN200980163406.9有效
发明人：费迪南多·贝代斯基;克劳迪奥·雷斯塔;马尔科·费拉罗 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：本发明描述操作相变存储器阵列的方法。一种方法包含：确定待写入到相变存储器阵列的模式；及根据所述模式对所述相变存储器阵列执行两个或两个以上适当复位序列，以将所述模式写入到所述相变存储器阵列。另一种方法包含：对相变存储器阵列执行置位序列；及对所述相变存储器阵列执行适当读取以获得从执行所述置位序列导出的模式。
用于相变存储器阵列方法

[发明专利]相变化存储器的写入方法与系统-CN200710091441.7无效
发明人：陈明忠;赵得胜;颜辰蒲 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种相变化存储器的写入方法，包括：对相变化存储器提供第一写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大于第一温度；以及对该相变化存储器提供第二写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大体上维持在第二温度。
相变存储器写入方法系统

[发明专利]一种相变存储器读出电路及方法-CN201910694311.5有效
发明人：雷鑑铭;阮鑫;孔超;曹旭峰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器读出电路及方法，包括全差分读出电路、预充电电路，全差分读出电路采用差分比较电路对相变存储器上的电流和使相变存储器的阻值处于高低阻值临界状态的参考电流进行比较判断以读取存储单元的逻辑值；预充电电路在读取相变存储器之前对连接相变存储器的位线上的寄生电容预充电。本发明所提供的相变存储器读出方法在对相变存储器进行读取之前首先对相变存储器位线上的寄生电容进行预充电，降低了读取过程中对寄生电容进行充电带来的延时，读取速度快，适合大规模相变存储器的读取。另外，本发明采用全差分读出电路对相变存储器进行读取，通过作差抵消了电路中非理想因素，提高了电路的匹配性，从而提高了读出电路的精度。
一种相变存储器读出电路方法

[发明专利]一种相变存储器的操作方法、相变存储器及存储器系统-CN202210562521.0在审
发明人：刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种相变存储器的操作方法、相变存储器及存储器系统。方法包括：向与所述相变存储器中选中的相变存储器单元耦接的选定字线施加第一电压，向与选中的相变存储器单元耦接的选定位线施加第二电压；基于复位电流脉冲对选中的相变存储器单元进行复位操作；第一电压包括最低电压值、最高电压值以及中间电压值；最低电压值能够使阈值电压处于第一分布的选中的相变存储器单元的选择器导通；最高电压值能使阈值电压处于第二分布的选中的相变存储器单元的选择器导通；所述中间电压值用于降低选定字线施加的第一电压从最低电压值上升到最高电压值时流过选中的相变存储器单元的电流；第一分布与第二分布构成相变存储器单元的阈值电压分布。
一种相变存储器操作方法系统

[发明专利]考虑热量积累效应的相变存储器单元SPICE模型系统及应用-CN201310410747.X有效
发明人：李震;缪向水;邓宇帆;刘畅 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器单元SPICE模型系统，包括单元电阻模拟模块，用于模拟相变存储器单元电阻；温度计算模块，用于针对施加的连续脉冲序列，计算每个脉冲信号结束时刻考虑脉冲信号下热量积累效应的存储器单元相变层温度；晶化速率计算模块，用于计算单位时间内发生晶化的相变层体积；非晶化速率计算模块，用于计算单位时间内发生非晶化的相变层体积以及相变模块，用于选择晶化速率或非晶化速率计算非晶化率。本发明还公开了所述相变存储器单元SPICE模型应用于模拟相变存储器单元多值存储。本发明能准确模拟相变存储器单元电阻变化，尤其是在连续脉冲作用下，热量积累效应明显时，并能准确模拟相变存储器多值存储技术中的相变存储器单元电阻。
考虑热量积累效应相变存储器单元 spice 模型系统应用

[发明专利]一种相变存储器及其制作方法-CN201910610965.5在审
发明人：宋志棠;宋三年 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器及其制作方法，该相变存储器包括衬底、多个相变存储器单元及隔离材料层，其中，多个相变存储器单元分立设置于衬底上，自下而上依次包括第一电极材料层、第一过渡材料层、阈值选通管材料层、第二过渡材料层、第二电极材料层、第三过渡材料层、相变材料层、第四过渡材料层及第三电极材料层；隔离材料层位于衬底上，并包围相变存储器单元的侧面，各个相变存储器单元之间通过隔离材料层相互隔离。本发明的相变存储器中，相变材料与OTS材料被隔离材料限制在同一个空间中，过渡材料层位于相变材料与电极材料之间、相变材料与OTS材料之间、OTS材料与电极材料之间，使得相变存储器具有高密度、高速、低功耗和长寿命的特点
过渡材料层相变存储器相变存储器单元材料层隔离材料层相变材料衬底电极材料相变材料层第二电极第三电极第一电极分立设置隔离材料长寿命低功耗选通管制作隔离包围侧面

[发明专利]存储器系统及其制作方法-CN202111233979.3在审
发明人：刘峻;杨海波;付志成 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种存储器系统及其制作方法，所述存储器系统包括：至少一个存储器装置以及与所述存储器装置耦接的存储器控制器；其中，所述存储器装置与所述存储器控制器设置在同一管芯上；所述存储器装置包括第一相变存储器，所述第一相变存储器被配置为为所述存储器系统存储数据；所述存储器控制器中包含第二相变存储器，所述第二相变存储器被配置为在所述存储器控制器在与主机或所述存储器装置进行数据传输时，对传输的数据进行缓存。
存储器系统及其制作方法

[发明专利]相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法-CN201810304264.4有效
发明人：卢瑶瑶;蔡道林;陈一峰;闫帅;宋志棠;吴磊;刘源广;李阳 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；其中，可变电阻器与可变电容器串联成的串联电路一端与驱动电路相连接，另一端与第二相变存储器单元相连接；第二相变存储器单元的结构与第一相变存储器单元的结构相同。本发明可以简单便捷地得到相变存储器阵列中的位线寄生参数，为相变存储器阵列中的各相变存储器单元均能够被充分操作弥补能量损耗提供依据，为得到比较一致的电阻分布，提高相变存储器芯片的工作可靠性提供基础。
相变存储器阵列中的寄生参数测量系统方法

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