专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用热线法测量两固体之间界面的方法-CN201810139614.6有效
  • 黄丛亮;钟金鑫;吴东旭 - 中国矿业大学
  • 2018-02-11 - 2021-01-29 - G01N25/20
  • 本发明公开了一种用热线法测量两固体之间界面的方法,(1)制备两个测量样品;(2)利用有限元的方法对测量样品建立三维传热模型;(3)将材料属性赋予计算模型,设置模型中的界面存在;(4)给定阻值的范围,遍历所有的阻值R求解计算模型;(5)绘制三维传热模型的界面R的曲线族;(6)对实际材料使用热线法测量,绘制实际测量的曲线图;(7)将实际得到曲线与标准曲线图谱对比,可以得到该实际的范围能对界面进行较为准确的测量,并且降低测量界面的费用,同时降低了测量时间,提高了测量界面的速率。
  • 一种热线测量固体之间界面方法
  • [发明专利]一种测量界面接触的方法-CN201210143110.4无效
  • 冯士维;石磊;郭春生;刘静;朱慧 - 北京工业大学
  • 2012-05-10 - 2012-09-19 - G01N25/20
  • 一种测量界面接触的方法,属于电子器件的生产测量,以及研究、开发领域。一种测量界面接触的方法,其特征在于,步骤如下:将被测电子元件与被测材料按不同厚度制备成2个以上接触界面;测量电子元件管芯到被测界面Rdevice;用测试仪测量电子元件管芯与不同厚度材料底面之间的总Rtot;以Rtot为y轴,材料厚度为x轴作直线;将该直线延长至y轴交点处的得到,就是接触Rc与元件管芯到被测界面Rdevice之和;将得到的减去Rdevice即得到接触Rc。
  • 一种测量界面接触方法
  • [发明专利]一种低界面接触界面及其制备方法-CN201710879754.2在审
  • 闫金良;闫慧龙;李宏光 - 鲁东大学
  • 2017-09-26 - 2018-01-26 - H01L23/373
  • 本发明涉及一种低界面接触界面及其制备方法,属于电子器件散热技术领域。低界面接触界面是在两个铜圆的内表面沉积有金属镍、钼或钨界面层,两个界面层之间填充液态金属和氧化液态金属复合层,界面层厚度20‑60nm。用直流磁控溅射方法在铜圆表面室温沉积界面层,在界面层表面大气环境涂敷液态金属形成液态金属和氧化液态金属复合层,用力挤压两个叠放铜圆得到界面。本发明方法获得的界面有效降低了界面接触,在高功率密度器件散热领域具有良好的应用前景。
  • 一种界面接触及其制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件界面的测试方法-CN201510243826.5在审
  • 郭春生;廖之恒;高立;李世伟;冯士维;朱慧 - 北京工业大学
  • 2015-05-13 - 2015-08-19 - G01N25/20
  • 一种半导体器件界面的测试方法,在防自激电路保证半导体器件不会产生自激的条件下,基于电学法测试仪对器件的瞬态温升进行测量,利用结构函数法对器件内部多层材料、热容进行分析,提取芯片阻值。利用提取的芯片阻值,得到该固定面积下器件在不同SiC层厚度的条件下4个样品的总阻值。接下来对测得的数据进行分析,通过数据计算出单位厚度的GaN所带来的的增量,同时,通过数据计算出单位厚度的SiC所带来的的增量,通过以上计算分析,得到要测的器件的界面Rth(界面)<
  • 一种半导体器件界面测试方法
  • [发明专利]一种测量界面的方法及系统-CN202010552454.5有效
  • 曹炳阳;华钰超 - 清华大学
  • 2020-06-17 - 2021-11-23 - G01N25/20
  • 本发明涉及一种测量界面的方法及系统,该方法包括:在样品表面加工金属电极组,金属电极组至少包括第一电极和第二电极,第一电极比第二电极宽;通过测量第一电极的3ω电压信号确定第一电极的3ω等效;通过拟合第一电极的3ω等效随薄膜厚度的变化斜率计算薄膜的本征热导率;通过测量第二电极上2ω电压信号确定第二电极的2ω等效;根据第二电极的2ω等效和薄膜的本征热导率确定基底的本征热导率;测量第二电极上3ω电压信号确定第二电极的3ω等效;根据薄膜的本征热导率、基底的本征热导率和第二电极的3ω等效确定薄膜与基底之间的界面。本发明降低基底热导率的偏差,从而提高界面的测试精度。
  • 一种测量界面方法系统
  • [发明专利]一种微系统封装内界面材料的接触测试设备及方法-CN202211628503.4在审
  • 张志祥;李逵;匡乃亮;郭雁蓉;师航波;韶甜甜 - 西安微电子技术研究所
  • 2022-12-17 - 2023-03-14 - G01N25/20
  • 本发明公开了一种微系统封装内界面材料的接触测试设备及方法,一种微系统封装内界面材料的接触测试设备包括测试台Ⅱ,测试台Ⅱ内设有控温装置,测试台Ⅱ上依次设有被测样品、测试台Ⅰ、微系统封装模块、控压和测量距离装置,微系统封装模块内设有测温二极管,测温二极管与电流输出和电压采样装置电连接;一种微系统封装内界面材料的接触测试方法包括采用瞬态测试设备进行K系数的提取;对样品进行加热降温测试;测试曲线及数据处理;最后计算两个不同材料之间的表面接触。本发明通过实测推算出界面接触,测试精度和效率更高,测试流程简易,可完成对不同材料、不同压力、不同粗糙度以及不同温度条件下的接触提取。
  • 一种系统封装界面材料接触测试设备方法

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