专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]工程车危险行为语音预警电路-CN202020184210.1有效
  • 谢惠;王皖君;蒋陈侃 - 南京林业大学
  • 2020-02-19 - 2020-07-17 - G05B19/042
  • 本实用新型公开了一种工程车危险行为语音预警电路,包括电源电路行为检测电路、主控电路和功率放大电路行为检测电路、主控电路和功率放大电路均与电源电路连接,行为检测电路检测包括倒车检测电路、右转弯检测电路、左转弯检测电路和货箱升举检测电路,所述倒车检测电路、右转弯检测电路、左转弯检测电路和货箱升举检测电路均与主控电路连接,所述主控电路与功率放大电路连接。主控电路检测车辆行驶速度和行为检测电路的输出信号,并根据信号状态进行逻辑判断后控制语音芯片输出相应的语音信号至功率放大电路通过扬声器产生高分贝的预警语音。本实用新型电路简单、成本低、集成容易,适用于各类工程车,且不影响原车安全。
  • 工程车危险行为语音预警电路
  • [发明专利]一种抗侧信号攻击存储单元-CN202211010294.7在审
  • 柏娜;马君武;许耀华;王翊;吕纪明;陈小杰 - 安徽大学
  • 2022-08-23 - 2022-11-22 - G06F21/78
  • 本申请公开一种抗侧信号攻击存储单元,该抗侧信号攻击存储单元包括写操作电路,具有一对互补存储节点;行为模仿电路,与所述写操作电路结构一致,所述行为模仿电路具有一对互补伪存储节点;读操作电路,与所述写操作电路连接;其中,所述行为模仿电路用于在所述写操作电路写入数据后,模仿所述写操作电路的互补状态,以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性。本申请设置与写操作电路结构一致的行为模仿电路,在写操作电路写入数据后,利用行为模仿电路模仿写操作电路的互补状态,以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性,提高了存储单元抗功耗攻击的能力
  • 一种信号攻击存储单元
  • [发明专利]人员侦测系统-CN202111572531.4在审
  • 柯俊吉;林诗芸 - 万旭电业股份有限公司
  • 2021-12-21 - 2023-06-23 - G01S13/88
  • 本发明公开一种人员侦测系统,包含一雷达装置及一人员侦测装置;该人员侦测装置包含一点云侦测电路及一物体行为状态判断电路;该雷达装置传送一雷达波至一目标并且相应地接收自该目标反射的一雷达反射波;该雷达装置传送该雷达反射波至该点云侦测电路;该点云侦测电路侦测该雷达反射波以搜集并得到对应于该目标的一目标点云信号;该点云侦测电路传送该目标点云信号至该物体行为状态判断电路;该物体行为状态判断电路利用该目标点云信号及一人员行为点云信号以判断该目标点云信号是否符合该人员行为点云信号内的人员行为模式
  • 人员侦测系统
  • [发明专利]一种功放底层电路行为级建模与验证方法-CN201610452840.0在审
  • 廖意;高伟;张元;石国昌;应小俊 - 上海无线电设备研究所
  • 2016-06-21 - 2016-11-16 - G06F17/50
  • 本发明涉及一种功放底层电路行为级建模与验证方法,包含:S1、建立功放底层电路模型,采集功放的输入信号和输出信号作为实验数据;S2、建立基于数学表达式的行为模型,利用实验数据对行为模型进行辨识;S3、搭建相同的输入信号激励电路,计算功放底层电路模型与行为模型输出信号间的归一化均方误差;S4、判断归一化均方误差是否满足精度要求,验证行为模型对功放底层电路输入输出特性的准确描述;如不满足,重新调整行为模型至归一化均方误差满足精度要求本发明解决了功放底层电路直接仿真求解复杂的难题,能应用于由于技术保密造成的底层电路详细信息不完全已知的仿真情况,为模拟和数字混合电路的系统级电磁兼容性分析提供了有效手段。
  • 一种功放底层电路行为建模验证方法
  • [发明专利]一种提高单光子探测前端电路探测效率的方法-CN202011072714.5有效
  • 谢生;刘俊廷;毛陆虹 - 天津大学
  • 2020-10-09 - 2022-07-01 - G01J11/00
  • 本发明公开了一种提高单光子探测前端电路探测效率的方法,包括:建立初始InP/InGaAs SPAD Verilog‑A行为模型;将所述行为模型转换并载入Matlab建模,并设定行为模型所需要拟合的参数值后脉冲噪声的拟合曲线;在Matlab中调整拟合参数的大小,直至拟合曲线与InP/InGaAs SPAD的实测数据相匹配;将匹配状态下所对应的拟合参数值代入初始InP/InGaAs SPAD Verilog‑A行为模型,以得到最终的行为模型;将最终的行为模型应用于单光子探测前端电路设计中,调整前端电路的各项参数与时序设置,提高前端电路的探测效率。
  • 一种提高光子探测前端电路效率方法

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