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[发明专利]一种电子束熔炼高纯锆的方法-CN201811424166.0在审
发明人：吴权民 -专利权人：宝鸡晨发钛业有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C22B9/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束熔炼高纯锆的方法，采用电子束炉熔炼，保持电子束熔炼炉炉膛真空度大于3.0×10‑2pa时，开始电子束熔炼，熔炼温度为2450～2650℃，控制电子枪功率为90～150kw，熔炼速度控制在15～20kg/h，充分融化锆条，电子束熔炼后形成的锆锭在炉膛里冷却后出炉，创造性的选择熔炼速度、温度和时间等参数，在熔炼过程操控电子束的精准分布，能最大限度控制金属的纯度。
熔炼电子束熔炼炉膛高纯电子束电子束熔炼炉电子束炉速度控制限度控制电子枪操控出炉锆锭冷却融化金属

[发明专利]一种用于双枪双进料系统电子束熔炼炉的磁屏蔽系统-CN202011268727.X有效
发明人：贾志强;李蛟;朱绍珍;周龙海;文琳 -专利权人：西安诺博尔稀贵金属材料股份有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C22B9/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于双枪双进料系统电子束熔炼炉的磁屏蔽系统，双枪双进料系统电子束熔炼炉包括电子束熔炼室、电子束枪、第一进料通道、第二进料通道和出料通道，电子束熔炼室内设置有磁屏蔽复合罩，磁屏蔽复合罩形成屏蔽腔，屏蔽腔内可拆卸设置有吸收罩，结晶器位于屏蔽腔内；磁屏蔽复合罩上开设有电子束枪开口、进料口和出料口；吸收罩位于结晶器上方，吸收罩上开设有通口，本发明可实现电磁屏蔽、间隙原子杂质(C、H、O、N)吸收和熔炼挥发物收集，可以有效防止外部电磁场对电子束控制的影响，使电子束轨迹可控且稳定，还能够满足电子束熔炼的特殊工业要求，更有利于材料的提纯，实现熔炼效率、安全性和铸锭提纯效果三重兼顾和提升。
一种用于双枪双进料系统电子束熔炼炉屏蔽

[发明专利]一种高纯钛锭提纯方法-CN201811424345.4在审
发明人：石璋 -专利权人：宝鸡市华烨钛镍金属有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C22B9/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括备料、装炉、电子束熔炼的高纯钛锭提纯方法，采用电子束炉熔炼，保持电子束熔炼炉炉膛真空度≧2.0×10‑2pa时升温开始电子束熔炼，熔炼温度控制在≥2350℃，熔炼速度控制在≤25kg/h，充分融化钛条，电子束熔炼后形成的钛锭在炉膛里冷却后出炉，有效降低了铁、硅、碳等杂质元素含量，从而得到高纯度钛锭，高纯金属钛无气孔，无夹杂。
电子束熔炼熔炼炉膛高纯钛提纯电子束熔炼炉电子束炉高纯度钛高纯金属速度控制杂质元素备料出炉夹杂装炉钛锭冷却融化

[发明专利]一种钴基高温合金的制备方法-CN201410236317.5有效
发明人：姜大川;王登科;谭毅;石爽 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：一种钴基高温合金的制备方法，为电子束熔炼法，将起到合金化作用的金属原料置于电子束熔炼炉的加料装置中；将其他金属原料置于电子束熔炼炉的水冷铜坩埚中。合金原料置于水冷铜坩埚中，利用电子束熔炼技术进行熔炼。与常规真空感应熔炼不同，金属熔体由于直接与水冷铜接触，在电子束熔炼过程中不会引入其它杂质。
一种高温合金制备方法

[发明专利]一种镍基高温合金的制备方法-CN201410236319.4有效
发明人：谭毅;姜大川;王登科;石爽 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C22B9/22 文献下载
摘要：一种镍基高温合金的制备方法，为电子束熔炼法，将起到合金化作用的金属原料置于电子束熔炼炉的加料装置中；将其他金属原料置于电子束熔炼炉的水冷铜坩埚中。合金原料置于水冷铜坩埚中，利用电子束熔炼技术进行熔炼。与常规真空感应熔炼不同，金属熔体由于直接与水冷铜接触，在电子束熔炼过程中不会引入其它杂质。
一种高温合金制备方法

[发明专利]一种去除高温合金中微量杂质元素的方法-CN201410235863.7有效
发明人：谭毅;姜大川;王登科;石爽 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C22B9/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除高温合金中微量杂质元素的方法，属于电子束熔炼领域。一种去除高温合金中微量杂质元素的方法，为电子束熔炼法，包括预除杂步骤：首先保持合金母材不被电子束熔化的同时将电子束束斑扩大到使其边缘与水冷铜坩埚边缘相切，此时以4～17mA/s的速率逐渐增加束流，同时缩小电子束束斑；当电子束束斑缩小至其边缘距坩埚中心一定距离时，反向扩大电子束束斑至束斑边缘与水冷铜坩埚边缘相切，继续逐渐增加束流；重复上述过程直至电子束束流至250～1000mA。电子束熔炼可以实现连续熔炼，可连续地对合金母材进行去除微量元素的处理，从而提高生产效率。
一种去除高温合金微量杂质元素方法

[发明专利]一种用于高熵合金的电子束熔炼装置及其操作方法-CN202310726451.2在审
发明人：薛倩芸;李书志 -专利权人：北京中辰至刚科技有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C22B9/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于高熵合金的电子束熔炼装置及其操作方法，电子束熔炼装置包括原料供给机构，输料机构，熔炼室以及电子束枪组件，输料机构设置在原料供给机构的一侧并与原料供给机构连接，熔炼室安装在输料机构的一端，熔炼室内设有冷床，冷床的一侧设有结晶器；电子束枪组件安装在熔炼室的顶部，熔炼室的顶部设有安装口，电子束枪通过弹性密封组件与安装口的内壁连接；熔炼室的顶部设有推杆电机，推杆电机的电机杆与电子束枪铰接，电子束枪的表面设有角度传感器，熔炼室的内腔顶部设有第一摄像头和第二摄像头，推杆电机、角度传感器、第一摄像头以及第二摄像头均连接控制系统，控制系统可以对各个电子束枪的使用状态和使用时长进行精准调节。
一种用于合金电子束熔炼装置及其操作方法

[发明专利]一种提高电子束熔炼多晶硅效率的方法及装置-CN201811202472.X有效
发明人：唐子凡;张磊;庞大宇;肖承祥;张思源 -专利权人：青岛蓝光晶科新材料有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能级多晶硅制造领域，尤其涉及一种提高电子束熔炼多晶硅效率的方法及装置。本发明具有熔炼坩埚，熔炼坩埚的侧壁和底板之间的连接角设有向内的倾斜面，倾斜角度为45°‑60°，降低熔炼过程中边缘位置凝固层的厚度，增强电子束的熔炼效果。本发明在装置使用时通过控制电子束熔炼多晶硅过程中不同阶段的电子束扫描模式，来提高电子束熔炼多晶硅的效率，缩短生产时间，降低生产能耗，提高生产效率。
一种提高电子束熔炼多晶效率方法装置

[实用新型]一种提高电子束熔炼多晶硅效率的装置-CN201821674964.4有效
发明人：唐子凡;张磊;庞大宇;肖承祥;张思源 -专利权人：青岛蓝光晶科新材料有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能级多晶硅制造领域，尤其涉及一种提高电子束熔炼多晶硅效率的装置。本实用新型具有熔炼坩埚，熔炼坩埚的侧壁和底板之间的连接角设有向内的倾斜面，倾斜角度为45°‑60°，降低熔炼过程中边缘位置凝固层的厚度，增强电子束的熔炼效果。本实用新型在装置使用时通过控制电子束熔炼多晶硅过程中不同阶段的电子束扫描模式，来提高电子束熔炼多晶硅的效率，缩短生产时间，降低生产能耗，提高生产效率。
电子束熔炼多晶硅本实用新型熔炼坩埚熔炼电子束太阳能级多晶硅底板电子束扫描边缘位置降低生产生产效率装置使用连接角凝固层倾斜面侧壁向内能耗制造生产

[发明专利]一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法-CN201110125903.9有效
发明人：谭毅;战丽姝;邹瑞洵 -专利权人：大连隆田科技有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，将洗净后的多晶硅料及造渣剂均匀混合形成混合料；再预处理：将混合料放入电子束熔炼炉内的熔炼坩埚中，对熔炼坩埚进行坩埚水冷，预热电子枪；采用小束流电子束轰击混合料，混合料熔化后增大电子束至250-500mA进行熔炼，杂质硼在熔炼过程中与碱性造渣剂反应生成气体挥发而去除，冷却凝固得到低硼的多晶硅锭。本发明采用了电子束造渣熔炼的技术，结合了造渣除硼和电子束除去挥发性杂质的特点，工艺更加简单，有效将电子束与造渣工艺结合，工艺条件温和易于操作，生产周期短，节能降耗，提纯效果好，技术稳定，生产效率高。
一种电子束造渣熔炼去除多晶杂质方法

[发明专利]电子束熔炼与定向凝固技术耦合制备多晶硅的方法及装置-CN201310382641.3有效
发明人：谭毅;郭校亮;安广野;张晓峰 -专利权人：青岛隆盛晶硅科技有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种电子束熔炼与定向凝固技术耦合制备多晶硅的方法及装置，在本发明中，打破了传统的电子束熔炼模式，在熔化坩埚的熔化池内只进行熔化和初步的电子束熔炼，而在导流区域内进行集中的电子束熔炼，由于硅液能够在导流区域内铺散，比表面积增大，因此电子束熔炼效果更好，由于导流区域是向下倾斜的构造，经熔炼提纯后的硅液流入凝固坩埚内。另外，本发明很好的将电子束熔炼和定向凝固相结合，使两者在一个炉内即可完成，省略了一次凝固的过程，也不需要再进行破碎、清洗、烘干过程。
电子束熔炼定向凝固技术耦合制备多晶方法装置

[发明专利]电子束恒熔速冶炼控制系统-CN202011505028.2在审
发明人：皮坤;巫乔顺;杨开;刘洪具;沈志彦 -专利权人：云南昆钢电子信息科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C22B9/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子束恒熔速冶炼控制系统，属于电子束熔炼技术领域。该系统包括推料装置、熔炼冷床、拉锭系统、高能电子束枪、电子枪驱动服务器、工业高清摄像机、视频处理服务器、中央控制系统和行程测量装置；推料装置设有两个，分别熔炼冷床左右两侧，拉锭系统位于熔炼冷床下方，高能电子束枪位于熔炼冷床正上方；推料装置和拉锭系统上均安装有行程测量装置；本发明实现了电子束熔炼时的自动恒速稳定熔炼控制，能提升熔炼效率，减少人工误操作概率，提高产品品质，易于推广应用。
电子束恒熔速冶炼控制系统

[发明专利]电子束连续化熔炼制备太阳能级多晶硅的方法及其装置-CN201310382607.6有效
发明人：谭毅;郭校亮;姜大川;安广野 -专利权人：青岛隆盛晶硅科技有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种电子束连续化熔炼制备太阳能级多晶硅的方法及其装置，本发明打破了传统的电子束熔炼模式，在熔化坩埚的熔化池内只进行熔化和初步的电子束熔炼，而在导流区域内进行集中的电子束熔炼，由于硅液能够在导流区域内铺散，比表面积增大，因此电子束熔炼效果更好，由于导流区域是向下倾斜的构造，经熔炼提纯后的硅液流入凝固坩埚内，在凝固坩埚内进行堆积，最后取出。本发明的优点在于：在熔炼过程中实现连续化除磷的目的，并且电子束熔炼提纯效果更好，得到的硅锭磷含量低于0.000035%。
电子束连续熔炼制备太阳能级多晶方法及其装置

[发明专利]多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法-CN201310526886.9有效
发明人：王登科;姜大川;谭毅 -专利权人：青岛隆盛晶硅科技有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于电子束熔炼领域，特别涉及一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法。包括备料、抽真空、预处理和熔炼，在预处理之后，继续进行下述步骤：（1）调节电子束束流，加热使硅料开始熔化；（2）调节电子束束斑沿着坩埚内壁上沿向坩埚圆心做螺旋移动，电子束束斑运动到坩埚圆心后，做反向螺旋移动；重复本次螺旋运动；（3）电子束束斑运动结束后，进行电子束熔炼。本发明的显著效果是能够减少硅液飞溅所带来的硅料损失，减少对真空腔内的烧蚀，避免由硅液飞溅引起的真空腔内压强骤变，从而带来的电子枪停机的隐患，工艺更加简单且易于操作。
多晶电子束熔炼过程减少飞溅方法

[发明专利]一种含铝钛合金屑料的回收重熔方法-CN202211669335.3在审
发明人：雷云清;马小艳;张炜华;伊有才;李善栋;王倩;陈亚鹏;王红钰 -专利权人：青海聚能钛业股份有限公司
申请日： 2022-12-24 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：一种含铝钛合金屑料的回收重熔方法，涉及合金屑料回收重熔的技术领域，其方法为：采用“Al板或Al豆+合金屑料”的方式，利用“热阴极电子束冷床熔炼炉+冷阴极电子束冷床熔炼炉”的方法，完成合金屑料的回收重熔；通过合金屑料处理，清洗、烘干、粉碎、磁选；装入旋转进料器；热阴极电子束冷床熔炼炉熔炼；质检；成分及尺寸要求锯切；制备装箱；冷阴极电子束冷床熔炼炉熔炼；质检；成品入库。本发明的有益效果在于：解决了传统熔炼方式不能大量回熔钛合金屑料的难题，通过“热阴极电子束冷床熔炼炉+冷阴极电子束冷床熔炼炉”方式熔炼获得的钛合金铸锭中合金元素分布均匀性好、洁净度高、冶金质量优异，满足国标
一种钛合金回收方法

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