专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]阻挡层的去除方法和装置-CN201410257649.1有效
  • 王坚;贾照伟;武俊萍;谢良智;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
  • 2009-05-08 - 2017-06-16 - H01L21/768
  • 本发明涉及半导体制造铜互连的无应力电化抛光工艺、无应力抛光过程中形成的钽或钛的氧化物薄膜去除工艺和二氟化氙气相刻蚀阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛工艺的整合方法和装置。首先,至少一部分硅片上镀的铜被无应力电化抛光去除;其次,去除铜抛光过程中阻挡层表面形成的钽或钛的氧化物薄膜;最后,用二氟化氙气相刻蚀把阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛去除。该装置由三个子系统组成无应力电化抛光系统、用刻蚀剂去除阻挡层表面钽或钛的氧化物的系统和去除阻挡层的二氟化氙气相刻蚀系统。
  • 阻挡去除方法装置
  • [发明专利]阻挡层的去除方法和装置-CN200910050835.7有效
  • 王坚;贾照伟;武俊萍;谢良智;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
  • 2009-05-08 - 2010-11-10 - H01L21/768
  • 本发明涉及半导体制造铜互连的无应力电化抛光工艺、无应力抛光过程中形成的钽或钛的氧化物薄膜去除工艺和二氟化氙气相刻蚀阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛工艺的整合方法和装置。首先,至少一部分硅片上镀的铜被无应力电化抛光去除;其次,去除铜抛光过程中阻挡层表面形成的钽或钛的氧化物薄膜;最后,用二氟化氙气相刻蚀把阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛去除。该装置由三个子系统组成:无应力电化抛光系统、用刻蚀剂去除阻挡层表面钽或钛的氧化物的系统和去除阻挡层的二氟化氙气相刻蚀系统。
  • 阻挡去除方法装置
  • [发明专利]电化抛光装置和方法-CN201310073033.4有效
  • 庄维伟;高永超;程好;杨淑平;蔡渊;贺昱旻 - 苏州新材料研究所有限公司
  • 2013-03-07 - 2017-06-30 - C25F7/00
  • 本发明公开了一种电化抛光装置,包括槽体;横向穿设于所述槽体的至少一电解槽,该电解槽于所述槽体的两端分别形成入口和出口,待抛光工件横向运动于所述电解槽内;位于所述电解槽两侧的电极,该电极形成的电场屏蔽于所述电解槽内;电解液供应管路,连通于所述电解槽,并导引电解液沿所述待抛光工件的表面流动。本发明还公开了一种电化抛光方法。本发明的装置结构简单,可以解决基带表面出现的柱状条纹,本发明的抛光方法抛光效果好,且抛光处理速度快。
  • 电化学抛光装置方法
  • [发明专利]柔性扭制阴极及其电化抛光复杂内通道方法-CN202210578163.2在审
  • 朱荻;安林超;王登勇 - 南京航空航天大学
  • 2022-05-25 - 2022-08-30 - C25F3/16
  • 柔性扭制阴极及其电化抛光复杂内通道方法,属于特种加工技术领域。所述柔性扭制阴极由两根金属丝和多股非导电微细丝扭制而成。非导电微细丝沿内流道轴向非均匀排列,在直流道部位排列稀疏以提高抛光液的通过能力,弯曲位置分布紧密以增加支撑力,防止短路发生。柔性扭制阴极预先布置在工件内流道中,两端通过导电轴和机床主轴固结。机床主轴往复拉动导电轴以实现柔性阴极沿流道轴向往复运动,完成工件弯曲内流道的电化抛光。这种新颖的扭制阴极柔性好,加工可达性高,结构简单易制作,可实现复杂内流道的电化抛光
  • 柔性阴极及其电化学抛光复杂通道方法
  • [发明专利]一种超导腔电化抛光装置的机械系统-CN202310872599.7在审
  • 董鹏程;陈锦芳;蒋志强;武佳妮;宗玥 - 中国科学院上海高等研究院
  • 2023-07-17 - 2023-09-29 - C25F7/00
  • 本发明涉及一种超导腔电化抛光装置的机械系统,超导腔定位夹紧在超导腔夹具中,超导腔夹具通过腔体支撑组件安装固定在安装平台上,旋转驱动组件与超导腔连接以驱动超导腔旋转,对中测量模块具有激光位移传感器以对阴极杆进行对中测量并指导调节,安装平台通过平台翻转组件可翻转地安装在主体框架上以使得超导腔可翻转至站立状态和躺卧状态,在站立状态下,竖直插入组件将阴极杆插入超导腔中,在躺卧状态下,对超导腔进行电化抛光处理并利用检测模块检测超导腔的温度和应力应变情况根据本发明的超导腔电化抛光装置的机械系统,在实现超导腔装卸、阴极插拔及抛光过程中旋转等基本功能的同时,提高操作的准确度、方便性、自动化及智能化。
  • 一种超导电化学抛光装置机械系统
  • [实用新型]一种非接触式电化抛光系统装置-CN201120512780.X有效
  • 李庆 - 李庆
  • 2011-12-07 - 2012-08-22 - C25F3/16
  • 一种非接触式电化抛光系统装置,包括一机架及一抛光系统装置,其中,所述抛光系统装置包括:一放料装置;一低压等离子抛光装置,连接到所述放料装置;一高压等离子抛光装置,连接到所述低压等离子抛光装置;一超声清洁及风干防锈装置,连接到所述高压等离子抛光装置;一收料装置,连接到所述超声清洁及风干防锈装置;所述非接触式电化抛光系统装置还包括:一PLC控制器及外部电源及一预热水箱。本实用新型具有自动化程度高,有利于提高生产效率,抛光效果好,安全可靠等优点。
  • 一种接触电化学抛光系统装置
  • [实用新型]电化抛光装置-CN201320105120.9有效
  • 庄维伟;高永超;程好;杨淑平;蔡渊;贺昱旻 - 苏州新材料研究所有限公司
  • 2013-03-07 - 2013-09-04 - C25F3/16
  • 本实用新型公开了一种电化抛光装置,包括:槽体;横向穿设于所述槽体的至少一电解槽,该电解槽于所述槽体的两端分别形成入口和出口,待抛光工件横向运动于所述电解槽内;位于所述电解槽两侧的电极,该电极形成的电场屏蔽于所述电解槽内;电解液供应管路,连通于所述电解槽,并导引电解液沿所述待抛光工件的表面流动。本实用新型还公开了一种电化抛光方法。本实用新型的装置结构简单,可以解决基带表面出现的柱状条纹,本实用新型的抛光方法抛光效果好,且抛光处理速度快。
  • 电化学抛光装置
  • [发明专利]P型硅表面微结构的电化加工方法-CN200710008742.9无效
  • 汤儆;张力;庄金亮;马信洲;田昭武 - 厦门大学
  • 2007-03-23 - 2008-09-24 - H01L21/3063
  • P型硅表面微结构的电化加工方法,涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺,并可一次性在P型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化加工方法。包括以下步骤:将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面后浸泡于电解液中得存储有电解液的琼脂糖凝胶模板;再置于电解池中,将具有微结构的部分暴露于液面上;P型硅片经前处理后在背面溅射Pt层,形成欧姆接触,再将抛光面置于琼脂糖凝胶模板表面,将P型硅片作为工作电极,对P型硅片进行电化抛光微加工,将琼脂糖凝胶模板上的微结构通过电化抛光微加工转移至P型硅片表面得具有微结构的P型硅片后将具有微结构的P型硅片与琼脂糖两者分离。
  • 表面微结构电化学加工方法

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