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[实用新型]一种高电光效率的电光开关-CN201120539941.4有效
发明人：郑熠;王晓伟;吴少凡 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：一种高电光效率的电光开关,包括绝缘壳体，电光晶体，电光晶体为Z切横向应用方式并在一对通光面上镀有光学增透膜，晶体一对侧面镀有金属导电层，所述金属导电层外镀有铟锡合金；所述内部金属电极与金属导电层键合在一起；所述内部金属电极高度都高于晶体侧面两端高度一部分；所述内部金属电极高于晶体侧面部分处可填充导热且绝缘的弹性有机材料；所述内部金属电极上部有外接金属电极孔。本电光开关结构设计可使外接电极与晶体保证长时间紧密电接触,大大减小了安装应力对晶体造成损坏或断裂的可能和附加的相位延迟,以及具有良好的外加电场均匀性,使电光开关的关断能力得到了很大的增强,从而也提高了所工作激光器的输出性能
一种电光效率开关

[发明专利]一种光子晶体薄膜及其制备方法和应用-CN202210867102.8有效
发明人：袁冬;万婷婷;游雨欣;王凯宇;赵可;周国富 -专利权人：华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子晶体薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括：将液晶混合物覆设于导电基板上，加热至向列相温度以上，将导电光子晶体模板相对导电基板设置，并与液晶混合物接触；在导电光子晶体模板和导电基板之间施加方波电压，使液晶混合物填充至模板孔隙内；将电压调成直流电压，且导电光子晶体模板的电势高于导电基板的电势；保持加热，进行聚合固化处理，再去除导电光子晶体模板。通过以上方法可采用相同导电光子晶体模板通过调节施加方波电压的时间控制液晶混合物在模板孔隙中的填充高度，以制备不同高度尺寸的光子晶体薄膜，适用性强，所制得光子晶体薄膜基于液晶混合物的选择，在外部环境变化时
一种光子晶体薄膜及其制备方法应用

[实用新型]一种双KTP倍频和电光调Q集成器件-CN201220658086.3有效
发明人：张会云;张晓;尹贻恒;张洪艳;刘蒙;张玉萍 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双KTP倍频和电光调Q集成器件，包括外壳、电极、电光晶体，电光晶体包括从左到右依次设置的两块低电导率、非临界温度相位匹配切割的KTP晶体，依次旋转90°放置；在第一块KTP晶体的上、下通电面镀金膜，在第二块KTP晶体的前、后通电面镀金膜；从第一块KTP晶体的上通电面镀金膜和第二块KTP晶体的前通电面镀金膜引出金线，连接到正电极；从第一块KTP晶体的下通电面镀金膜和第二块KTP晶体的后通电面镀金膜引出金线，连接到负电极；器件电光调Q作用时采用退压工作方式。本实用新型实现倍频和电光调Q两种功能的同时消除了走离角、补偿了静态双折射相位延迟，消除了晶体加压时对相位匹配角的影响。
一种 ktp 倍频电光集成器件

[发明专利]一种功能复合电光Q开关-CN201810616911.5有效
发明人：孙军;许京军;张玲;商继芳 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本发明公开一种功能复合电光Q开关，属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由一块KDP类晶体或者LiNbO3晶体按照一定的设计切型制成的一种功能复合电光Q开关器件。它利用了电光晶体的自然双折射效应和电光效应，可以同时起到1/4波片和传统电光Q开关的作用，能够独立地进行加压式电光调Q。
一种功能复合电光开关

[发明专利]一种电光调Q固体激光器-CN201711475003.0在审
发明人：胡育侠 -专利权人：成都心无界光电技术有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种电光调Q固体激光器，包括由输出镜、激光介质和全反镜所构成的激光谐振腔，所述激光介质和所述全反镜之间依次设置有偏振片和电光调Q晶体，电光调Q晶体连接电光调Q驱动器，电光调Q驱动器包括高压源、触发电路和开关，开关包括用于与电光调Q晶体的一端连接的第一端、用于分别与所述电光调Q晶体的另一端和地连接的第二端、以及用于控制所述第一端和所述第二端的通断的第三端。本电光调Q固体激光器可以实现退压或加压两种驱动，激光脉冲输出脉宽精确可控，可压窄激光输出脉宽。
一种电光固体激光器

[实用新型]一种电光调Q固体激光器-CN201721897083.4有效
发明人：胡育侠 -专利权人：成都心无界光电技术有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电光调Q固体激光器，包括由输出镜、激光介质和全反镜所构成的激光谐振腔，所述激光介质和所述全反镜之间依次设置有偏振片和电光调Q晶体，电光调Q晶体连接电光调Q驱动器，电光调Q驱动器包括高压源、触发电路和开关，开关包括用于与电光调Q晶体的一端连接的第一端、用于分别与所述电光调Q晶体的另一端和地连接的第二端、以及用于控制所述第一端和所述第二端的通断的第三端。本电光调Q固体激光器可以实现退压或加压两种驱动，激光脉冲输出脉宽精确可控，可压窄激光输出脉宽。
电光调Q 电光调Q晶体固体激光器驱动器激光介质第一端全反镜激光脉冲输出本实用新型激光谐振腔触发电路输出脉宽一端连接依次设置地连接高压源偏振片输出镜可控脉宽通断加压激光驱动

[发明专利]太赫兹波生成元件、太赫兹波检测元件和太赫兹时域分光设备-CN201180011548.0有效
发明人：尾内敏彦 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：一种太赫兹波生成元件包括：电光晶体，其包括光学波导；光学耦合构件(7)，其将作为光传播通过所述波导的结果而从所述电光晶体生成的太赫兹波提取到空间；和至少两个电极(6a、6b)，其通过将电场施加于所述波导(4)来引起所述电光晶体(1)中的一阶电光效应，以便改变传播通过所述波导的光的传播状态。所述电光晶体(1)的晶轴被设置为使得通过二阶非线性光学过程生成的太赫兹波和传播通过所述波导(4)的光相位匹配。
赫兹生成元件检测时域分光设备

[发明专利]一种测量电光晶体电光系数的方法及装置-CN201510245720.9有效
发明人：孙军;许京军;张玲;商继芳;李清连 -专利权人：南开大学
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种测量电光晶体电光系数的方法及装置，包括使一束可见波段的激光依次通过起偏镜、毛玻璃、待测电光晶体、检偏镜，然后用白屏接收出射光点和由毛玻璃造成的散射光形成的干涉图样；其中起偏镜与检偏镜的偏振方向垂直，待测电光晶体上施加一个可调节的直流电压；首先通过理论分析选择合适的激光入射角(θ0，φ0)，(θ0，φ0)为入射激光传播方向与待测电光晶体各电感应主轴的夹角；测量时，先将待测电光晶体上施加的直流电压调节为OV，微调待测电光晶体与入射激光的夹角，使出射光点落在干涉图样中与入射角(θ0，φ0)对应的暗区上，然后逐渐增大直流电压，此过程中出射光点位置不变，而干涉图样将发生变化，当出射光点再次落在干涉图样的下一个紧邻暗区时，记下此时的直流电压数值U；再由理论计算可求得相应电光系数。
一种测量电光晶体系数方法装置

[发明专利]一种电光调制器-CN202211242455.5在审
发明人：李雪征 -专利权人：北京世维通科技股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本申请公开了一种电光调制器，用以防止铌酸锂电光调制器沿晶体的解理面裂开。所述电光调制器包括：铌酸锂晶体，以及设置于铌酸锂晶体的光波导结构、高频调制电极；所述高频调制电极具有与外电路连接的电极引出结构，其中，所述电极引出结构设置于铌酸锂晶体的外平面；所述电极引出结构包括平行设置的多个条状电极，所述多个条状电极所在直线平行于所述铌酸锂晶体的解理方向。采用本申请所提供的电光调制器能够减小电极与铌酸锂晶体之间的应力，进而降低了铌酸锂晶体沿解理面裂开的风险。
一种电光调制器

[实用新型]一种新型DKDP晶体电光开关-CN200720024413.9无效
发明人：李宇飞;孙渝明;侯学元;李群 -专利权人：山东大学
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型DKDP晶体电光开关，包括圆柱形DKDP晶体，在晶体两端均加有环状电极，两端的电极宽度都探出晶体端部一部分，探出部分的电极宽度大于或等于每端整个电极宽度的1/4。这样在反向电场区域没有晶体，那么即使存在反向电场，也不会对电光效应产生相反的作用。本实用新型将电极宽度的一部分探出晶体端部，使反向电场区域没有晶体，不会对电光效应产生相反的作用。有效地解决了在普克尔盒加电压时部分电极宽度下反向电场问题，增加了电光晶体的有效长度。
一种新型 dkdp 晶体电光开关

[实用新型]一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件-CN201220658089.7有效
发明人：张会云;张晓;尹贻恒;张洪艳;申端龙;吴志心;张玉萍 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件，包括外壳、电极、电光晶体，电光晶体包括从左到右依次设置的两块低电导率、非临界温度相位匹配切割的KTP晶体，依次旋转90°放置；在第一块KTP晶体的上、下通电面镀金膜，在第二块KTP晶体的前、后通电面镀金膜；从第一块KTP晶体的上通电面镀金膜和第二块KTP晶体的前通电面镀金膜引出金线，连接到正电极；从第一块KTP晶体的下通电面镀金膜和第二块KTP晶体的后通电面镀金膜引出金线，连接到负电极；器件电光调Q作用时采用退压工作方式。本实用新型实现光参量和电光调Q两种功能的同时消除了走离角、补偿了静态双折射相位延迟，消除了晶体加压时对相位匹配角的影响。
一种 ktp 晶体参量电光器件

[发明专利]光学器件和光学通信装置-CN202211198483.1在审
发明人：牧野俊太郎;仓桥辉雄 -专利权人：富士通光器件株式会社
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：一种光学器件包括：电光晶体层；第一光波导，其形成于电光晶体层中；以及电极，其向第一光波导施加电信号。此外，光学器件包括：第二光波导，其处于非晶态、形成于电光晶体层中、并且连接至第一光波导。
光学器件通信装置

[实用新型]一种电光Q开关-CN201620887966.6有效
发明人：赵修强 -专利权人：赵修强
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电光Q开关，包括圆筒形壳体，所述壳体内设置有方形晶体槽，所述晶体槽四面均设置有安装槽，所述壳体上设置有两个电极，所述电极穿透壳体与方形晶体槽连接；采用这种结构的电光Q开关，改变了现有技术中必须采用圆柱形晶体的现状，可以采用方形DKDP晶体，使得整个电光Q开关的能量等级提高，功率也得到了大幅提升，且解决了晶体散热的问题。
一种电光开关

[发明专利]一种高重频固体激光发射系统-CN202310100615.0在审
发明人：黄富瑜;任国全;毛少娟;李刚;应家驹;武东生 -专利权人：中国人民解放军陆军工程大学
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种高重频固体激光发射系统，包括光学谐振腔、泵浦电源组件和复合制冷组件；光学谐振腔内按轴线方向依次设置有后腔镜、电光Q开关晶体、布儒斯特片、Nd：YAG激光晶体棒、泵浦氙灯、光阑和输出镜，电光Q开关晶体为硅酸镓镧晶体材料，所述泵浦电源组件分别与所述泵浦氙灯和所述电光Q开关晶体电性连接。本发明工作稳定，采用硅酸镓镧晶体替代传统KD*P和LN等常用晶体作为电光开关材料，硅酸镓镧晶体无自然双折射，不会在空气中潮解，抗光伤阈值较高，且在较高重复频率下，晶体仍可正常工作，能够满足中高功率高重频激光器的要求
一种高重频固体激光发射系统

[发明专利]电光装置的驱动方法、电光装置以及电子装置-CN01141125.2有效
发明人：木村睦 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2001-09-28 - 公布日： 2002-07-24 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：本发明的课题是提供在不设置复位线的情况下利用时间灰度法进行电光装置的多灰度显示的方法。在与扫描线与数据线的交点对应地具备电光元件、驱动该电光元件的驱动晶体管和控制该驱动晶体管的开关晶体管的电光装置中,通过多次重复由经扫描线对开关晶体管供给导通信号、与其对应地对驱动晶体管供给选择驱动晶体管的导通或非导通的置位信号的置位步骤和经扫描线对上述开关晶体管供给导通信号、与其对应地对上述驱动晶体管供给使上述驱动晶体管成为非导通的复位信号的复位步骤规定的置位－复位工作来得到灰度。
电光装置驱动方法以及电子