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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]单晶生长设备及单晶生长方法-CN202011408811.7在审
发明人：郭鸿震 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶生长设备及方法。本发明可以避免坩埚内的多晶硅料溢出和加热器上的片状物掉落至间隙内造成旋转基座的磨损以及因内衬管的堵塞造成旋转基座无法正常旋转等问题，有助于提高单晶生长设备的稳定性和使用寿命，提高单晶生长品质。
生长设备方法

[发明专利]锭生长设备及锭生长方法-CN202310252905.7在审
发明人：朴玹雨 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：一种锭生长设备及锭生长方法，锭由颈部部分、肩部部分、主体部分以及尾部部分构成。锭生长设备包括存储器和处理器，存储器被配置成存储人工神经网络。处理器学习人工神经网络以获得与训练数据对应的初级肩部形状模型，基于在第一锭的肩部部分生长期间获得的肩部信息来更新获得的初级肩部形状模型以获得二级肩部形状模型，基于二级肩部形状模型来设置用于第一锭的尾部部分生长的目标尾部温度，并且根据设置的目标尾部温度来控制第一锭的尾部部分的生长。
生长设备方法

[发明专利]薄膜生长腔室和薄膜生长装置-CN201610179954.2有效
发明人：胡国新;肖蕴章;胡强;冉军学;何斌;黎天韵;朱正涛;钟山;蒋国文;王其忻 -专利权人：广东省中科宏微半导体设备有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜生长腔室和薄膜生长装置，薄膜生长腔室为方形腔室；方形腔室内具有至少一个托盘放置区，托盘放置区用于放置承载有待生长薄膜的基片的方形托盘；方形腔室的顶面具有至少一个进气结构，进气结构包括进气孔和与进气孔连接的方形匀气装置本发明中的方形腔室可以无限制地扩大，只要扩大的顶面上设置有进气结构，就能为下方的方形托盘内的基片提供满足薄膜均匀生长需求的均匀气体，从而能够提高薄膜生长装置的产能。
薄膜生长装置

[发明专利]晶棒生长设备及生长方法-CN202010647709.6有效
发明人：赵旭良 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明提供一种晶棒生长设备及生长方法。晶棒生长设备包括生长炉、坩埚、加热器、提拉机构、红外探测仪、分度盘、传感器及控制装置；坩埚位于生长炉内；提拉机构包括提拉线及驱动装置，提拉线一端与晶棒的上部相连接，另一端与驱动装置相连接，晶棒的下部伸入坩埚内，晶棒上具有多根沿纵向延伸的晶线；红外探测仪位于生长炉的外侧；分度盘位于生长炉的上方，且与提拉机构相连接，以在提拉机构的带动下和晶棒同步旋转，分度盘的等分线的正投影位于相邻两根晶线之间；传感器位于分度盘的外围
生长设备方法

[发明专利]晶体的生长装置及生长方法-CN202011079436.6有效
发明人：刘奇;黄末;陈翼;冯厚坤;冯参 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体的生长装置及生长方法，包括炉体、坩埚、冷却套及导流筒，冷却套设在炉体的内部并对晶体进行冷却，导流筒设置在冷却套的外围，导流筒包括上导流筒部和下导流筒部，上导流筒部呈筒体状且环绕冷却套设置该生长装置中，冷却套沿着坩埚的轴向移动，影响到炉体内热场分布，可微调固液界面处温度梯度，从而可拉制一定宽度无缺陷生长区域的晶体，解决了现有技术中固液界面的温度梯度较难控制导致拉制出缺陷较多生长区域的晶体
晶体生长装置方法

[发明专利]可调节生长环境的植物生长装置-CN201310181771.0无效
发明人：易继先 -专利权人：长春亿思达科技发展集团有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： A01G9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节生长环境的植物生长装置，是由居住间、加工间和种植园构成，所述的加工间与居住间相邻，加工间的棚顶覆和种植园的周边设有天阳能电池板，天阳能电池板与蓄电池相连，种植园的顶棚为高透光滤波玻璃顶棚种植园的地面下覆设地热装置和温度传感器，地热装置下覆设防水隔热层，地热装置由设置在居住间屋顶的太阳能热水器或地源热泵供热，种植园设有带加热装置的供水管，种植园内设置有梯形种植架，每层梯形种植架的底面设置有植物生长LED灯，植物生长LED灯的波长为植物生长所需的波长，LED灯和植物生长LED灯由蓄电池供电，温度传感器与设置在种植园内的温度显示器相连。
调节生长环境植物装置

[发明专利]植物生长剂及植物生长培育方法-CN97102089.2无效
发明人：石本正一;服部俊雄 -专利权人：米可多化工有限公司;大日精化工业株式会社
申请日： 1997-01-28 - 公布日： 2001-10-10 - 主分类号： A01N59/18 文献下载
摘要：本发明的植物生长剂，其特征是含有用通式MFe［Fe(CN)＃-[6]］（M表示碱金属或铵基，2个Fe中的一个是2价，另一个是3价）表示的化合物为主要成分的蓝色颜料和能使植物体的表层的角质层变化后易于向植物组织内渗透的物质本发明的植物生长培育方法是在上述的蓝色颜料和能使植物体的表层的角质层变化后易于向植物组织内渗透的物质中，加入表面活性剂和溶剂制成浓原液，将该浓原液用溶剂稀释5—100倍后，喷哂在育苗的植物上。$＃!
植物生长培育方法

[实用新型]可调节生长环境的植物生长装置-CN201320267818.0有效
发明人：易继先 -专利权人：长春亿思达科技发展集团有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： A01G9/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节生长环境的植物生长装置，是由居住间、加工间和种植园构成，所述的加工间与居住间相邻，加工间的棚顶覆和种植园的周边设有天阳能电池板，天阳能电池板与蓄电池相连，种植园的顶棚为高透光滤波玻璃顶棚种植园的地面下覆设地热装置和温度传感器，地热装置下覆设防水隔热层，地热装置由设置在居住间屋顶的太阳能热水器或地源热泵供热，种植园设有带加热装置的供水管，种植园内设置有梯形种植架，每层梯形种植架的底面设置有植物生长LED灯，植物生长LED灯的波长为植物生长所需的波长，LED灯和植物生长LED灯由蓄电池供电，温度传感器与设置在种植园内的温度显示器相连。
调节生长环境植物装置

[实用新型]植物生长设备框架及植物生长设备-CN202120720876.9有效
发明人：刘东;陈洪川 -专利权人：深圳市蔬心宝科技有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： A01G9/00 文献下载
摘要：本申请涉及植物生长设备技术领域，本申请公开一种植物生长设备框架及植物生长设备。
植物生长设备框架

[实用新型]植物生长光源模组及植物生长灯-CN202123320036.2有效
发明人：郑朝曦;吴学坚;程寅山;徐钊;刘富彬 -专利权人：深圳市佑明光电有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种植物生长光源模组及植物生长灯，其中植物生长光源模组包括：导电支撑板，设有导电电路；第一光源芯片，设于导电支撑板的支撑面上，且与导电电路电连接，第一光源芯片用于发出第一预设波长范围的红光；
植物生长光源模组

[发明专利]用于植物生长的设备和生长装置-CN201280046243.8在审
发明人： N.杰文恩;A.桑邓萨亚里 -专利权人：自然创意有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于植物生长的设备(10)，其包括：框架（11），植物（12）可以设置到框架（11）以在基质（13）中生长；灌溉机构（14），其装配到所述框架上，用灌溉液体来灌溉所述基质；装配到框架上用于形成穿过基质的气流的机构植物和其基质一起中的至少某些被放置于模块化生长单元（16）中并且用于生长单元的位点（17）布置于框架中，生长单元能独立于灌溉机构可分离地安装到位点（17）中。此外，本发明还涉及一种生长装置（16）。
用于植物生长设备装置

[发明专利]外延生长基座与外延生长方法-CN02809679.7有效
发明人：石桥昌幸;J·F·克鲁格;土肥敬幸;堀江大造;藤川孝 -专利权人：三菱住友硅晶株式会社
申请日： 2002-12-23 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种用于外延生长设备和方法中的基座，其中，多个圆形通孔被制作在凹坑底部壁中向着圆形底部壁的中心达大约1/2半径距离的外围区域中。这些通孔的总开口表面积为底部壁表面积的0.05－55％。在半导体晶片被安装在凹坑中之后，在使源气体和载气(亦即反应气体)在基座的上表面侧流动，并使载气在下表面侧流动的情况下，进行外延生长。
外延生长基座方法

[发明专利]单晶生长方法及单晶生长装置-CN01805759.4有效
发明人：阿部孝夫;山田透 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2001-12-26 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种切克劳斯基法(CZ法)的单晶生长方法和单晶生长装置。其特征为至少在结晶生长界面近旁以包围拉晶中的单晶的形态配置由铜或比铜热传导率更高的金属所形成的冷却筒，且通过使冷却媒体在该冷却筒中流动，强制性冷却结晶成长界面近旁进行单晶生长。藉此，提供一种即使成长具300mm以上直径的硅单晶，也可对成长中的单晶发挥最大限度的冷却效果，以提供结晶成长速度高速化的单晶生长方法及单晶生长装置。
生长方法装置

[发明专利]缩短植物生长柜水培草莓生长周期的方法及植物生长柜-CN202010033235.6在审
发明人：张冰洁;刘畅;韩鹏 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： A01G31/06 文献下载
摘要：本发明公开了缩短植物生长柜水培草莓生长周期的方法及植物生长柜，方法包括：将草莓苗分株定植于植物生长柜的定植孔中；草莓苗渡过适应培养期后，将营养液循环泵入定植孔下方的底座内，草莓苗的根部浸在营养液中；调节植物生长柜中的环境因子参数至满足生长初期条件，培养至草莓苗开花；调节植物生长柜中的环境因子参数至满足开花期条件，培养至草莓苗坐果；调节植物生长柜中的环境因子参数至满足果实生长期条件，培养至初次采收果实。本发明的方法能够保证使用家庭植物生长柜的消费者在相对较短的时间内收获高质量的草莓浆果，有利于家庭用植物生长柜的推广使用。
缩短植物生长水培草莓周期方法

[发明专利]一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法-CN202110154587.1在审
发明人：王庆国;吴锋;徐军;唐慧丽;罗平;薛艳艳 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法，生长装置包括：坩埚(6)；晶体生长模具(7)；籽晶杆(1)；晶体生长模具(7)置于坩埚(6)内；籽晶杆(1)可上下移动地设置在生长模具(7)上方，籽晶杆(1)下部设有用于牵引晶体生长的籽晶(4)，坩埚(6)外套设有使坩埚(6)感应加热的感应线圈(12)。生长方法包括以下步骤：(1)原料的预处理；(2)装料；(3)熔晶；(4)引晶；(5)放肩；(6)等径生长阶段；(7)降温退火。与现有技术相比，本发明采用导模法进行晶体生长，具有长晶固液界面小、结晶速度快、晶体质量高、可定型定向生长等优点，成为超大尺寸晶体的主流生长方式之一。
一种 ycob 晶体生长生长装置方法

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