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[发明专利]厚正极片及其制备方法及二次电池-CN202310801843.0在审
发明人：郜明文;陈琪 -专利权人：宝晟（苏州）能源科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚正极片及其制备方法及二次电池，涉及锂电池制造领域，其技术方案要点在于厚正极片的结构，厚正极片包括集流体以及设置在所述集流体上的正极膜，所述正极膜沿远离集流体的方向设置多层；所述正极膜是将正极活性材料、粘结剂、导电剂的干粉均匀混合后，进行原纤维化，然后将锂盐添加剂均匀混入原纤维化后的混合物中，最后压制获得；沿远离集流体的方向，正极膜的导电剂含量逐层降低，锂盐添加剂含量逐层增加。本发明从改变电极孔隙率以及改变电极中导电剂分布的角度，改进了厚正极片的结构，提高了厚正极片的电子电导率和离子电导率。
正极及其制备方法二次电池

[发明专利]激光调阻机的全自动送料及收料装置-CN201711212370.1在审
发明人：沈玉良 -专利权人：苏州市东科电子有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01C17/242 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光调阻机的全自动送料及收料装置，包括用于将多个待加工的厚膜电路片整齐地叠合在送料料盒中的送料单元，用于将加工完成的厚膜电路片层叠的设置在收料料盒中的收料单元，用于将待加工厚膜电路片稳固的夹持在加工平台上方的定位夹紧单元，用于将送料单元中的待加工厚膜电路片拾起并转移到加工平台，同时并将加工平台上已经加工完成的厚膜电路片移交至收料单元的放料取料单元，和控制单元。
激光调阻机全自动料及装置

[发明专利]多频分光光度计的修正值的获取方法-CN201510470556.1有效
发明人：王俐;张维维;敖雪丽 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G01J3/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种多频分光光度计的修正值的获取方法，其包括建立目标色阻在不同膜厚下与其对应的频谱的映射关系的数据库；准确测量目标色阻的待测色片的膜厚DX；从数据库中选取与待测色片的膜厚DX相近的第一膜厚D1、第二膜厚D2及其对应的频谱T1、T2作为参考频谱；利用公式T1＝Aeat1和T2＝Aeat2得到一定波长下目标色阻的第一常数A和第二常数a，根据第一常数A和第二常数a，利用公式T＝Aeat计算出待测色片的膜厚DX对应的参考频谱T，并将待测色片的膜厚DX对应的参考频谱T作为多频分光光度计的修正值。
分光光度计修正获取方法

[发明专利]用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法、终端设备和存储介质-CN202011535772.7在审
发明人：李雪健;李志林;张继亮;顾林;王虎 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，包括：在衬底上形成氧化层；沉积氮化层，湿法刻蚀；生长多晶硅；刻蚀去除晶圆背面的多晶硅；生长ONO膜。本发明是在ONO沉积前增加一道晶背刻蚀工艺，将前期生长在晶背的多晶硅刻蚀掉，从而使晶背膜厚与对比片和控片一致，使得位于对比片和控片背面的薄膜一致，进而使其各自下方的量产晶圆与其余量产晶圆受到相同的热辐射，从而使生长出来的ONO膜厚一致，避免由于ONO膜厚偏差造成的器件性能降低，提高量产晶圆的均一性，进而提高量产器件的良品率。
用于量产 ono 控制方法终端设备存储介质

[发明专利]一种膜厚控制装置及其镀膜方法-CN202110426189.0在审
发明人：张翼;程西容;陈俊宏;钟永文;成松;黄中玉 -专利权人：湖北华鑫光电有限公司;湖北三峡职业技术学院
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明提供一种膜厚控制装置，包括膜厚控制仪、振荡器、真空罩，所述真空罩内设有探头和挡板，膜厚控制仪通过振荡器与真空罩内的探头相连，探头包括石英晶振片和待镀膜基片，用于基于石英晶振片的振动对待镀膜基片进行镀膜，并将振动频率反馈给膜厚控制仪，膜厚控制仪驱动探头发生振动，并控制挡板闭合，通过真空罩底部的蒸发源将镀膜材料蒸发到探头的待镀膜基片上，在镀膜过程中，通过实时测量探头的振动频率，来控制探头中待镀膜基片的镀膜厚度本发明还提供一种膜厚控制装置的镀膜方法。
一种控制装置及其镀膜方法

[发明专利]化学机械研磨时间控制方法-CN200610029616.7无效
发明人：王海军;王贝易;程晓华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械研磨时间控制方法，包括以下步骤：建立光片速率的均值规格；测试机台光片的研磨速率；测量晶圆膜厚前值；测试光片有台阶差和无台阶差时的速率；计算比较因子；测量第一个需要研磨产品的膜厚前值和台阶高度；计算第一个产品需要研磨的时间，进行研磨；测量第一个产品膜厚后值，判断膜厚后值是否超规格；计算第二个产品所需要的研磨时间，研磨后判断膜厚后值是否超规格；计算第N个产品所需要的研磨时间，研磨后判断膜厚后值是否超规格
化学机械研磨时间控制方法

[发明专利]一种双石英晶振膜厚控制仪及误差校正方法-CN202010554627.7有效
发明人：游龙;王垚元 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双石英晶振膜厚控制仪及误差校正方法，属于膜厚监测领域，包括：真空室，真空室内的蒸镀源、基片结构和双石英晶振片结构，真空室外的振荡器和控制装置；基片结构内含作为镀膜载体的基片；双石英晶振片结构包括：一对或多对石英晶振片，固定在真空室内壁上的第一外壳，其面向蒸镀源的一面设有第一窗口，其内设有第一转盘，每一对石英晶振片固定于第一转盘的两面，且通过导热材料相连；振荡器用于向第一窗口处的一对石英晶振片通入相同的变化电流，使之振动；控制装置用于根据石英晶振片振动产生的电子信号计算实时膜厚，并根据计算结果控制蒸镀功率，以及控制第一转盘的转动。本发明能够提高石英晶振膜厚控制仪的膜厚测量精度。
一种石英晶振膜厚控制误差校正方法

[实用新型]一种双面高导热能力的厚膜发热元件-CN202021946116.1有效
发明人：周云;胡瑞龙;余庚 -专利权人：东莞市中科智恒新材料有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H05B3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面高导热能力的厚膜发热元件，其包括箱体，箱体的两侧均设置有发热机构，所述发热机构包括嵌装固定于箱体两侧的发热片，箱体的侧面设置有盖合于发热片外侧的导热罩，导热罩上固定有一层厚膜，所述导热罩上均布有导热柱，导热柱的一端插接于厚膜内，导热柱的另一端伸入导热罩内，所述导热罩与厚膜接触的一侧均布有折弯部，所述箱体内固定有第一接线管，第一接线管的两端分别与两个发热片连接。本实用新型中设置的折弯部增大了导热罩与厚膜的接触面积，进而使得热传递效果好，速度快，进而使得发热效果好，且导热罩覆盖在发热片的外侧，使得通过设置的导热罩能够对发热片进行保护，延长发热片的使用寿命。
一种双面导热能力发热元件

[发明专利]一种石墨烯厚膜及其制备方法-CN202210651995.2有效
发明人：任志东;杨程;许婧 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯厚膜及其制备方法。该石墨烯厚膜主要由石墨烯纳米片和高分子树脂碳化物组成，其体积密度为1.7g/cm3～2.5g/cm3，厚度为50μm～该石墨烯厚膜的制备过程主要包括氧化石墨烯膜的制备以及石墨烯厚膜的制备。本发明特别地通过调控氧化石墨烯膜的组份，获得了主要由石墨烯纳米片和高分子树脂碳化物组成的功能性石墨烯厚膜，解决了现有导热膜产品厚度小、热扩散系数小，不满足高功率电子产品散热性能需求的问题。
一种石墨烯厚膜及其制备方法

[实用新型]一种蒸镀设备-CN202021521382.X有效
发明人：乔小平 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种蒸镀设备，包括蒸镀装置、旋转机构、遮挡装置以及膜厚仪；所述旋转机构设置于所述蒸镀装置一侧，所述旋转机构与所述遮挡装置连接，所述膜厚仪设置于所述遮挡装置一侧；所述膜厚仪包括晶振片，所述晶振片设置于所述遮挡装置一侧；所述旋转机构用于旋转所述遮挡装置；所述蒸镀装置用于蒸镀蒸镀材料；所述遮挡装置用于调节遮挡蒸镀材料蒸汽到晶振片上的比例。本实用新型的蒸镀设备通过遮挡装置来调节遮挡蒸镀材料蒸汽到晶振片上的比例，以适应不同蒸镀材料镀率的需求，从而延长晶振片使用寿命，且实现对膜厚精确的控制。
一种设备

[实用新型]一种电子烟加热元件-CN201820755160.0有效
发明人：丁毅;陈湖 -专利权人：深圳市卓力能电子有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H05B3/10 文献下载
摘要：本实用新型是一种电子烟加热元件，包括底座，设置在底座上的至少一片发热体；所述的发热体包括金属片基体、包裹在所述的金属片基体上的绝缘介质层，印刷在所述的绝缘介质上的具有设定电阻的厚膜电阻，所述的厚膜电阻的两端与设置在底座内的电极电连接本实用新型提供了一种金属基体的电子烟加热元件，采用双片及多片结构，减少烟支外层烟草到发热片的距离，从而减小温度差。厚膜电阻式发热片以金属为基体在保证了强度及韧性的情况下，厚膜电阻能做到陶瓷片状发热体厚度的1/2甚至更薄，因此，结构做成了双片及多片依然可以保证顺畅地插入到烟支的内部。
厚膜电阻加热元件电子烟发热体底座本实用新型发热片金属片双片烟支电极电连接绝缘介质层多片结构金属基体绝缘介质陶瓷片状温度差电阻多片减小烟草保证金属印刷

[实用新型]一种具有厚膜封装结构的点火模块-CN201220143901.2有效
发明人：谢关红 -专利权人：长沙康柯汽车配件有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种具有厚膜封装结构的点火模块，包括厚膜基片、管芯基片、底板和外壳，所述厚膜基片和管芯基片均固定于所述底板上，底板固定于所述外壳内，所述厚膜基片包括其上设置有主控电路的氧化铝陶瓷基片；所述管芯基片包括其上焊接有达林顿管管芯裸片的氧化铍片；所述氧化铝陶瓷基片利用环氧树脂层胶合于所述底板上，所述氧化铍片焊合于所述底板上；所述底板利用环氧树脂层封装于所述外壳内。
一种具有封装结构点火模块

[发明专利]一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法-CN202110674594.4在审
发明人：张义;王成新;王建立;李毓锋 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法。所述方法包括步骤如下：(1)通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度；(2)在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上生长GaN厚膜，然后通入刻蚀性原材料，一边去除托盘上多晶GaN颗粒，一边生长GaN厚膜，得到GaN厚膜。本发明在开始生长GaN厚膜时通入刻蚀性原材料至GaN厚膜生长结束或在GaN厚膜生长过程中间断通入刻蚀性原材料，可以避免托盘上生长多晶GaN，或者将托盘上已经生长的多晶GaN去除，直接避免和减少厚膜GaN生长过程中托盘上的多晶GaN颗粒落到外延片上，实现了GaN厚膜表面多晶GaN颗粒数量＜5个，成功制备得到表面平滑光亮的GaN厚膜。
一种减少表面颗粒 gan 生长方法

[实用新型]一种固定长度可调厚膜加热器-CN201720211970.5有效
发明人：吴鹿生;董志超;钱建伟;谢江西 -专利权人：浙江安扬新能源科技有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H05B3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种固定长度可调厚膜加热器，包括厚膜加热器与下U型盖板，厚膜加热器包括上厚膜加热板与下厚膜加热板，上厚膜加热板设置在下厚膜加热板上，下U型盖板上设有上U型盖板，上厚膜加热板与下厚膜加热板的一端为自由端，上厚膜加热板与下厚膜加热板的另一端设置在下U型盖板与上U型盖板的端部之间，下U型盖板与上U型盖板的端部设有侧盖板；上U型盖板与下U型盖板之间设有引线板；引线板的端部与上厚膜加热板连接，上厚膜加热板与下厚膜加热板通过导线串联；上厚膜加热板与下厚膜加热板之间设有绝缘片。
一种固定长度可调加热器

[发明专利]激光调阻方法-CN201911296671.6有效
发明人：李艳红 -专利权人：武汉驰电科技有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01C17/242 文献下载
摘要：本发明提出了一种离线式激光调阻机及调阻方法，通过设置工件固定组件，可方便固定厚膜电阻片，并通过探针选择性与厚膜电阻片上的零位金属线电性连接，设置转盘和弹片模拟弹性触片在金属线上的滑动过程，调阻自动化，速度大幅度提高；通过转盘和弹片一次转动滑过厚膜电阻片，即可测量出各金属线对应的电阻，然后依次进行调阻，速度快，效率高，精度高；设置定位金属线，辅助激光器快速对厚膜电阻片进行定位，可省去人工操作激光器对准的工作量，大幅度提升效率
激光方法