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[发明专利]半导体封装结构及其制作方法-CN201710430483.2在审
发明人：许诗滨;许哲玮 -专利权人：恒劲科技股份有限公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种半导体封装结构及其制作方法，其包括载板、芯片、凸块、封装层与热膨胀匹配层。芯片位于载板的上表面上。凸块用以电性连接芯片与载板的内连接端。封装层用以包覆凸块、芯片及载板的上表面。热膨胀匹配层覆盖于封装层的整个上表面，并暴露出封装层的侧面，其中，热膨胀匹配层的热膨胀系数与封装层的热膨胀系数不同，且热膨胀匹配层的边缘与封装层的边缘齐平。借由热膨胀匹配层产生整体平衡效果，而减少板翘问题。
封装层热膨胀匹配层载板上表面凸块半导体封装结构热膨胀系数芯片电性连接芯片边缘齐平内连接端整体平衡减少板包覆制作侧面暴露覆盖

[发明专利]高温操作所用的多种材料阀塞-CN200480018621.7有效
发明人：保罗·T·阿尔曼;金伯尔·拉尔夫·巴罗恩 -专利权人：费希尔控制产品国际有限公司
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： F16K27/00 文献下载
摘要：在构造阀塞时使用多种材料，因此它在轴向和径向上的热膨胀率不同，从而使阀塞的热膨胀性能与和它配合的组件的热膨胀性能精密地匹配。具体地说，该阀塞的下游端(19)的径向热膨胀与接收该阀塞下游端的保持器部件(36)的径向热膨胀精密地匹配。该阀塞的上游端(31)的径向热膨胀与阀盒(43)和座环(41)的径向热膨胀精密地匹配，从而在阀处于闭合位置时使阀塞适当关闭或者置于座上。该阀塞体和间隔管的轴向热膨胀与阀盒保持器、阀盒或阀体的轴向热膨胀精密地匹配，这取决于阀的设计。
高温操作所用多种材料

[发明专利]一种微电子封装热膨胀系数可靠性匹配优化方法-CN201410766286.4有效
发明人：万毅 -专利权人：温州大学
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微电子封装热膨胀系数可靠性匹配优化方法，是把人工智能理论、可靠性理论和健壮设计理论引入到微电子封装的热设计中，基于自适应高斯基智能神经网络、三水准健壮实验设计和非线性有限元相融合的微电子封装热膨胀系数可靠性匹配和健壮优化，把封装主要热失效部件的热疲劳应变作为目标函数对热循环载荷作用下的微电子封装器件材料的热膨胀系数进行最优匹配，在设计范围内获得最佳匹配的热膨胀系数参数集，使主要热失效部件的内部最大等效热疲劳应变减到最小此方法既能减小微电子封装在循环热负载作用下的热机械失效率，还能保证了材料热膨胀系数在循环热负载的扰动下，仍能使封装维持高可靠性。
一种微电子封装热膨胀系数可靠性匹配优化方法

[发明专利]芯片帽及戴有芯片帽的倒装芯片封装-CN201310456311.4在审
发明人：申宇慈 -专利权人：申宇慈
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：在倒装芯片封装中，倒装芯片和基板之间的CTE（热膨胀系数）不匹配是引起倒装芯片封装的翘曲和可靠性方面的问题的根本原因。当前的发明构思是通过使用芯片帽来约束倒装芯片的热变形，以减少热膨胀系数的不匹配。当使用具有高的热膨胀系数和高模量的芯片帽，盖有芯片帽的倒装芯片具有相对高的整体的热膨胀系数，降低了与基板之间的热膨胀系数的不匹配。其结果是，倒装芯片封装的翘曲和可靠性同时得到根本改善。
芯片倒装封装

[发明专利]一种可调节热膨胀系数的硅基陶瓷型芯的制备方法-CN201410175419.0有效
发明人：林泉洪;张炫;梁静静;周亦胄;金涛;孙晓峰;赵昌龙;崔白圭;金仁守;都政铉 -专利权人：中国科学院金属研究所;韩国机械研究院
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷型芯领域，具体为一种可调节热膨胀系数的硅基陶瓷型芯的制备方法，用于调节硅基陶瓷型芯热膨胀特性。采用调整硅基陶瓷型芯中氧化铝的含量来控制型芯的热膨胀系数，在准备硅基陶瓷型芯浆料的过程中需严格控制氧化铝的含量，而后利用上述浆料通过压注成型和高温烧结制备硅基陶瓷型芯。硅基陶瓷型芯是精密铸造构件中形成复杂空腔结构的关键模板，其与型壳的匹配性在使用过程中至关重要。而决定二者匹配性的关键是二者的热膨胀系数必须接近。该方法是通过改变硅基陶瓷型芯中氧化铝微粉的含量，达到调节型芯自身热膨胀特性的目的，从而根据型壳实际需要，制备不同热膨胀特性的型芯，达到二者在浇注过程中尺寸匹配的最终目的。
一种调节热膨胀系数陶瓷制备方法

[发明专利]一种具有热膨胀匹配性能的RHU壳体-CN201410813716.3在审
发明人：阎勇;侯旭峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有热膨胀匹配性能的RHU壳体。本发明属于空间用同位素热源技术领域。一种具有热膨胀匹配性能的RHU壳体，其特点是：具有热膨胀匹配性能的RHU壳体侧面设有一条缝隙，RHU壳体在受热膨胀时通过缝隙释放应力；缝隙位置设有凸耳，用螺丝紧固，在螺丝与凸耳之间加入蝶形弹簧，通过蝶形弹簧的形变来实现缝隙的收缩本发明具有结构简单、操作方便、安全可靠、性能稳定、可以有效释放热应力，RHU壳体热膨胀匹配性能良好等优点。
一种具有热膨胀匹配性能 rhu 壳体

[发明专利]抗热膨胀性树脂和抗热膨胀性金属-CN201110228962.9有效
发明人：久保田纯;三浦薫;薮田久人;松村喜彦;岛川祐一;东正树 -专利权人：佳能株式会社;国立大学法人京都大学
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C08L79/04 文献下载
摘要：本发明提供均具有小的热膨胀的树脂系和金属系的抗热膨胀性部件。更具体地，提供抗热膨胀性树脂和抗热膨胀性金属，各自包括在20℃具有正的线膨胀系数的树脂或金属以及分散在该树脂或金属中的固体颗粒，其中该固体颗粒至少包括由下述通式(1)表示的氧化物：(Bi1-xMx)NiO3
抗热膨胀树脂金属

[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置-CN201510198772.5有效
发明人：李广宁;沈哲敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成用于形成硅通孔的凹槽；形成覆盖所述凹槽侧壁和底部用于吸收膨胀应力的保护层；在所述保护层上形成至少一层过渡层；用金属铜填充所述凹槽，其中，所述过渡层采用金属材料，且所述过渡层的热膨胀系数小于铜的热膨胀系数。本发明提出的半导体器件的制作方法，在形成硅通孔时在硅和铜之间加入热膨胀系数较小的金属材料来形成Si/Cu之间的过渡层来减小两种材料之间的热不匹配性，经过过渡层到金属铜层，材料的热膨胀系数逐渐增大，从而可有效降低各层材料之间的热不匹配性
半导体器件制作方法电子装置

[发明专利]热膨胀性石墨-CN201210174693.7有效
发明人：宫本纪光;冈干夫 -专利权人：爱沃特株式会社
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C01B31/00 文献下载
摘要：本发明是热膨胀性石墨及其制造方法，本发明的热膨胀性石墨在1000℃时的膨胀度为大于150cc/g小于等于250cc/g，并且由于热膨胀开始温度在270℃以上，硫浓度为3%（重量）以上7%（重量）以下，因此本发明可以配合用于历来存在困难的高熔点的聚合物，可以提供具有优异的阻燃性和机械特性的TEG—聚合物组合物。
热膨胀石墨

[发明专利]热膨胀性片-CN201910343740.8有效
发明人：高桥秀树;堀内雄史;本柳吉宗;三井乡史 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B32B5/18 文献下载
摘要：一种热膨胀性片，包含热膨胀性材料，并具备设置在基材的一个面上的热膨胀层，所述热膨胀性材料根据吸收了从包含将电磁波转换成热的热转换材料的热转换层产生的热的量而膨胀，其特征在于，还具备含有色彩调整剂的色彩调整层，设置于所述热膨胀层上和所述基材的另一个面上的至少任意一方，在所述热转换层设置在所述色彩调整层上的情况下，所述色彩调整层使得设置有所述热转换层的第一区域和未设置有所述热转换层的第二区域之间的色感差异难以被视觉辨认
热膨胀

[发明专利]热膨胀性薄片-CN202010570693.3有效
发明人：堀内雄史;本柳吉宗;高桥秀树;三井乡史 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B41M3/06 文献下载
摘要：本发明提供热膨胀性薄片以及热膨胀性薄片的制造方法。热膨胀性薄片在基材的一方的面上形成包含热膨胀性材料的热膨胀层，在使所述热膨胀层膨胀时，所述基材追随所述热膨胀层的膨胀变形，所述基材变形成浮凸状。
热膨胀薄片

[发明专利]热膨胀性薄片、热膨胀性薄片和造形物的制造方法-CN201810028605.X有效
发明人：本柳吉宗;堀内雄史 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供热膨胀性薄片以及热膨胀性薄片的制造方法。热膨胀性薄片具备：第1热膨胀层，其形成于基材的一方的面上，含有第1热膨胀性材料；第2热膨胀层，其形成于所述第1热膨胀层上，含有第2热膨胀性材料，所述第2热膨胀层还含有白色颜料。
热膨胀薄片造形制造方法

[发明专利]一种热膨胀匹配的红外低发射率涂料及其制备方法和涂层-CN202010466877.5在审
发明人：齐伦;翁小龙;袁乐;罗志浩;韦彪 -专利权人：电子科技大学;西华大学
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种热膨胀匹配的红外低发射率涂料，包括如下质量份的组分：有机溶剂30～50g，有机粘结剂55～65g，无机粘结剂8～12g，低发射率颜料25～35g和质量分数为9～11wt％的锌粉粒子。与传统有机低发射率涂料相比，本发明解决了有机粘结剂高温失效、无机粘结剂在涂层中成膜使得涂层与基板热膨胀系数匹配较低等难题，所得的低发射率涂料具有耐高温、低发射率、高结合强度和热膨胀系数匹配等特点，产物可耐受550℃高温，经高温处理后附着力≥6.0±0.4Mpa、热膨胀系数匹配程度优异，涂层发射率在8～14μm波段约为0.35，在3～5μm波段约为0.21，满足了各领域对耐高温低发射率涂层的需求。本发明还涉及一种热膨胀匹配的红外低发射率涂料的制备方法及一种热膨胀匹配的红外低发射率涂层。
一种热膨胀匹配红外发射涂料及其制备方法涂层

[其他]涂层玻璃-CN85103644无效
发明人：迈克尔·格兰特·斯科特 -专利权人：标准电话和电缆公共有限公司
申请日： 1985-05-20 - 公布日： 1986-11-19 - 主分类号： C03C17/40 文献下载
摘要：为了解决光纤一类的玻璃元件和涂敷于其上的金属质涂层之间的粘附问题，要对所采用的金属质涂层进行选择，使它的热膨胀系数基本上与玻璃的热膨胀系数相匹配。表现出“殷钢效应”的金属质合金具有很低的热膨胀系数，通过改变它们的组成比，可使其热膨胀系数与相应玻璃的热膨胀系数相匹配。Fe100-xBx型的金属质玻璃可用在石英玻璃或其他硅酸盐玻璃上。
涂层玻璃

[发明专利]热膨胀性薄片以及热膨胀性薄片的制造方法-CN201810114810.8在审
发明人：堀内雄史;本柳吉宗;高桥秀树;三井乡史 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： B41M3/06 文献下载
摘要：本发明提供热膨胀性薄片以及热膨胀性薄片的制造方法。热膨胀性薄片在基材的一方的面上形成包含热膨胀性材料的热膨胀层，在使所述热膨胀层膨胀时，所述基材追随所述热膨胀层的膨胀变形，所述基材变形成浮凸状。
热膨胀性热膨胀层基材热膨胀性材料膨胀变形浮凸状制造追随膨胀

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