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[发明专利]用于中子屏蔽材料的多孔碳化硼陶瓷材料及其制备方法-CN202310639390.6在审
发明人：郭学;张振昊;孙海滨;冯玉润;许伟;高鹏;吕源涛;张玉军 -专利权人：山东亚赛陶瓷科技有限公司;山东理工大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于中子屏蔽材料的多孔碳化硼陶瓷材料及其制备方法，包括如下步骤：将碳化硼粉体与烧结助剂按比例混合球磨，制备浆料，浆料经过喷雾干燥制备成混合物粉体；所述碳化硼粉体的D50小于2μm，烧结助剂选自酚醛树脂、氧化铝或稀土氧化物中的一种或其组合；将混合物粉体与造孔剂按比例混合均匀，等静压压制成坯体，坯体在真空或惰性气氛中排胶和无压烧结，得到多孔碳化硼陶瓷材料
用于中子屏蔽材料多孔碳化陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高导热氮化铝陶瓷的制备方法-CN201510276618.5有效
发明人：秦明礼;鲁慧峰;何庆;吴昊阳;曲选辉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C04B35/582 文献下载
摘要：本发明以氮化铝粉体为基本原料，采用稀土金属氟化物EuF3、LaF3、SmF3或其混合物为烧结助剂，烧结助剂稀土氟化物的加入量为氮化铝粉末质量的2％‑8％，经湿磨混合、干燥、成形、脱脂、烧结形成氮化铝陶瓷
一种导热氮化陶瓷制备方法

[发明专利]微孔陶瓷、陶瓷发热体及其制备方法和应用-CN201811511801.9有效
发明人：黎海华;向其军;谭毅成 -专利权人：深圳市商德先进陶瓷股份有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C04B35/185 文献下载
摘要：该一种微孔陶瓷的制备方法，包括如下步骤：将原料混合得到混合料，其中，按照质量百分含量计，原料包括如下组分：50％～70％的莫来石、5％～20％的烧结助剂及20％～40％的造孔剂，烧结助剂为熔点小于或等于500℃的玻璃粉，造孔剂为纤维状，且造孔剂的长度为100微米～200微米，直径为40微米～60微米；将混合料成型得到生坯；将生坯烧结，得到微孔陶瓷。
微孔陶瓷发热及其制备方法应用

[发明专利]一种高压绝缘材料及其制备方法和应用-CN202110428589.5有效
发明人：张伟儒;李洪浩;孙峰;董廷霞;白健;李新 -专利权人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明以具有优异绝缘性的氮化硅材料为原料，利用绝缘性好的烧结助剂，能够减少烧结助剂对氮化硅陶瓷绝缘性的影响，从而保证材料的绝缘性能；本发明采用氮化硅陶瓷，其柱状晶粒结构和高致密度使其抗冲击性能优异；本发明通过在坯体表面涂抹氮化硼，能够隔绝烧结过程中炉体内石墨部件对坯体的渗透，从而提高材料的电阻率，进一步提高其绝缘性能。
一种高压绝缘材料及其制备方法应用

[发明专利]一种微纳多级多孔柔性纤维膜及制备方法-CN202210352035.6有效
发明人：朱才镇;唐寅;刘会超;邝兴文;田雷;徐坚 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： D04H1/4391 文献下载
摘要：本发明利用氧化铝溶胶作为主要原料，通过添加适量的烧结助剂、纺丝助剂，通过调控离心纺丝法的工艺条件制备氧化铝凝胶纤维膜，并在纤维膜中制造微米级孔和大孔；再通过调控微波烧结的工艺条件，在纤维内部制造纳米级孔微波烧结能够改善纤维内部孔隙率，提高纤维膜力学性能、柔韧性，最终可以得到具有微纳多级多孔γ‑Al2O3柔性纤维膜。
一种多级多孔柔性纤维制备方法

[发明专利]一种SPS烧结制备YAG透明陶瓷的方法-CN201810921386.8有效
发明人：张乐;蒋志刚;陈浩 -专利权人：徐州凹凸光电科技有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种SPS烧结制备YAG透明陶瓷的方法，该方法是先经过煅烧、配料、球磨、干燥、过筛等步骤得到粉体，然后将粉体填充到模具中，然后置于SPS烧结炉内进行SPS烧结，通过控制烧结阶段的升温速率、升压温度本发明在SPS烧结时精确控制升压温度与升压速率，可有效抑制在烧结阶段YAG陶瓷晶粒的异常生长，从而有效排除陶瓷内部的残余气孔，不需要添加任何烧结助剂，且烧结时间短，烧结温度低，更加节能环保。
一种 sps 烧结制备 yag 透明陶瓷方法

[发明专利]一种氮化硅烧结体添加剂-CN200910044400.1无效
发明人：彭虎;刘建平 -专利权人：湖南赛瑞新能源有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C04B35/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅烧结体添加剂，它由烧结助剂和活性复合氧化物组成，它们的重量百分比含量为：烧结助剂29.5％～65.2％，活性复合氧化物34.8～70.5％；所述活性复合氧化物是氧化锂(Li烧结体中加入本发明的添加剂后改变了氮化硅发热体晶间相的成分，提高了常压烧结氮化硅烧结体的耐火度，改善了发热体在高温时的机械性能，得到了使用温度为1200～1400℃，热传导率为21～32W·m^-1·K^-1，线膨胀系数为3.1×10^-6～3.8×10^-6/℃(40～800℃)，致密度大于98％的氮化硅烧结体发热体。实现了氮化硅发热体的“常压、低温、快烧”烧结。
一种氮化烧结添加剂

[发明专利]一种用于中温烧结的锶铋钛基储能介质材料及制备方法-CN201910332237.2有效
发明人：杨魁勇;程华容;齐世顺;宋蓓蓓 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于中温烧结的锶铋钛基储能介质材料及制备方法，包括基料、改性剂和烧结助剂；基料为SrO‑xBi2O3‑:Sub>3、CeO2和Y2O3中的一种或一种以上；烧结助剂包括本发明采用固相法制备出SrO‑xBi2O3‑(1+3x)TiO2基料，通过添加改性剂和烧结助剂获得一种具有较高的介电常数、击穿强度和绝缘电阻率，较低的损耗和烧结温度，以及温度系数稳定且可调的储能介质材料。
一种用于烧结锶铋钛基储能介质材料制备方法

[发明专利]温度补偿型陶瓷组合物、烧结助剂系统及层压陶瓷组件-CN03146617.6无效
发明人：李文熙;李俊德;胡庆利 -专利权人：国巨股份有限公司
申请日： 2003-07-08 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：Nd_xSm_y)_{2B>w+3x+3y+3z}所代表的主陶瓷材料系统与式(II)(Zn、Si、Cu、Al、Mg、Ba、Bi、B)O所代表的烧结助剂材料系统，其中式(I)所代表的主陶瓷材料系统包含：10－30摩尔％的氧化钡，10－30摩尔％的氧化钕，0－20摩尔％的氧化钐及40－70摩尔％的二氧化钛，式(II)所代表的烧结助剂材料系统的含量为5－40摩尔％，其中式(II)所代表的烧结助剂材料系统包含：1－5重量％的氧化镁，1－5重量％的氧化铜，5－30重量％的氧化锌，20－60重量％的氧化铋，5－10重量％的氧化铝及1至20重量％的氧化硼。本发明还涉及如上述的烧结助剂系统，以及一种层压陶瓷组件，其由用于与纯银电极超低温共烧的温度补偿型陶瓷组合物制得。
温度补偿陶瓷组合烧结助剂系统层压组件

[发明专利]一种多孔β-SiAlON陶瓷及其制备方法-CN202110523904.2有效
发明人：曾宇平;李雪晴;姚冬旭;左开慧;夏咏锋;尹金伟;梁汉琴 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/599 文献下载
摘要：β‑SiAlON陶瓷及其制备方法，所述多孔β‑SiAlON陶瓷的制备方法为：以Si3N4粉体作为原料粉体、Y‑α‑SiAlON为烧结助剂，经烧结后，得到所述多孔β‑SiAlON陶瓷。
一种多孔 sialon 陶瓷及其制备方法

[发明专利]烧结球形颗粒-CN200580030660.3无效
发明人： R·迪恩克尔;M·埃蒙兹;S·卡诺瓦;B·埃尔德雷德;B·A·威尔逊 -专利权人：卡博陶粒有限公司
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： E21B43/267 文献下载
摘要：描述了包含氧化铝微粒、粘土和铝土矿中至少一种和任选的烧结助剂的烧结、球形复合颗粒或微粒以及它们的制造方法。同时还描述了这种颗粒在液压破裂地下岩层与研磨中的用途。
烧结球形颗粒

[发明专利]一种烧结生产用混合水预处理方法-CN201910525193.5在审
发明人：刘广;孙立伟;于原浩;刘义;岳增林;谢高峰 -专利权人：美匡冶金技术研究院（苏州）有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C22B1/242 文献下载
摘要：本发明揭示了一种烧结生产用混合水预处理方法，包括如下步骤：提供磁化水；在磁化水中混合加入MBC‑Z型功能性助剂，将混合水喷加到一次混料机内的烧结混合料中。本发明的有益效果主要体现在：改善烧结料混合、造粒效果，降低混合料含水量、强化焦粉煤粉燃烧反应、提高烧结料层透气性，从而实现提高烧结矿产量、降低烧结矿固体燃料消耗的目的。
一种烧结生产混合预处理方法

[发明专利]一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法-CN202011625259.7有效
发明人：杜君;程华容;王新;祁晓旭;赵伟利;王帅 -专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司;北京元陆鸿远电子技术有限公司;元六鸿远（苏州）电子科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：施主材料：La2O3和Nb2O5；烧结助剂base:Sub>CO3；受主材料：Bi2O3、CuO和ZnO中的一种或多种；烧结助剂用于降低瓷料烧结温度并促进晶粒发育；受主材料作为氧化烧结的晶界绝缘化涂覆料；基于上述陶瓷材料以二次烧结完成晶界层陶瓷基板制备，分别为还原半导体化烧结和氧化晶界层绝缘烧结。本发明在陶瓷材料中掺加助烧剂并采用二次烧结方式制备陶瓷基板，一方面节省能源，另一方面可以在较低烧结温度下得到较大尺寸粒径，有利于介电常数提高；同时，在晶界绝缘化过程中，添加ZnO，提升产品绝缘电阻和绝缘强度
一种高介晶界层陶瓷材料晶界层陶瓷制备方法

[发明专利]一种粉末冶金材料齿轮的烧结方法-CN201910120581.5在审
发明人：李建峰;符人慧;钟智超;钟训华 -专利权人：益阳市再超粉末冶金有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C22C33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉末冶金材料齿轮的烧结方法，通过在600‑800℃条件下，对铁、镍、钼、钛粉进行预扩散处理，提高各元素分布的均匀性，尤其是TiC颗粒分布的均匀性；再将余下的石墨粉、润滑剂、烧结助剂进行混合，通过在60‑120℃条件下稳压，然后再经过500‑700℃的低温烧结，再通过900‑1000℃的高温烧结。本方法烧结温度低，TiC颗粒分布均匀，产品密度大，硬度高，抗弯强度高。
烧结粉末冶金材料颗粒分布均匀性齿轮低温烧结高温烧结扩散处理烧结助剂元素分布润滑剂石墨粉抗弯稳压钛粉

[发明专利]碳酸钙烧结体及其制造方法、以及植骨材料-CN202080021903.1在审
发明人：鹈沼英郎;古泽利武;梅本奖大;田近正彦 -专利权人：株式会社白石中央研究所
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C04B35/057 文献下载
摘要：本发明提供一种不使用烧结助剂也能够得到良好的烧结体的碳酸钙烧结体的制造方法。该方法的特征在于，包括：将碳酸钙压缩成型，制造成型体的工序；通过在温度500℃以下的条件下对上述成型体进行加热，除去上述成型体中所含的有机成分的工序；和通过在碳酸气气氛且温度450℃以上的条件下将上述成型体烧结，得到碳酸钙烧结体的工序。
碳酸钙烧结及其制造方法以及材料