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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]可降低电阻的双向无引脚半导体封装结构-CN200680020003.5有效
发明人：孙明;张晓天;刘凯 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明提供一种可降低电阻的双向无引脚半导体封装结构，包括导线架、芯片及封装胶体，其中导线架具有一个与漏极引脚整合的芯片焊垫、一个源极引脚焊区及一个门极引脚焊区，且源极引脚焊区与门极引脚焊区的面积加大；芯片与芯片焊垫相连接，其源极焊区与源极引脚焊相连接，门极焊区与门极引脚焊区连接；而封装胶体至少部分包覆芯片、漏极引脚、门极引脚焊区及源极引脚焊区。
降低电阻双向引脚半导体封装结构

[发明专利]双扁平无引脚半导体封装-CN200680001453.X有效
发明人：刘凯;张晓天;孙明;罗礼雄 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2006-01-05 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种双扁平无引脚半导体封装，包含有导线架、晶粒与填充胶，导线架具有晶粒接合垫以及与晶粒接合垫共同形成漏极引脚、栅极引脚与源极引脚，而晶粒结合于晶粒接合垫，其晶粒源极接合区域连接于源极引脚，晶粒栅极接合区域连接于栅极引脚，至于填充胶则至少部分覆盖于晶粒、漏极引脚、栅极引脚与源极引脚。
扁平引脚半导体封装

[实用新型]半导体功率元件-CN201420842383.2有效
发明人：廖奇泊;周雯 -专利权人：廖奇泊;周雯
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体功率元件，包括闸极引脚、集极引脚、源极引脚、功率芯片、第一散热基板、闸极、源极、第一引线、第二引线、第二散热基板，集极引脚位于闸极引脚和源极引脚之间，第一散热基板与集极引脚连接在一起，闸极、源极都位于功率芯片上，功率芯片位于第一散热基板上，源极和第二散热基板之间通过一根第二引线连接，源极和源极引脚之间通过另一根第二引线连接，闸极引脚和闸极之间通过第一引线连接，第二散热基板与源极引脚连接在一起
废水排放工艺制备环氧苯乙烷方法

[发明专利]一种级联型GaN功率器件封装结构-CN202310348421.2有效
发明人：冯延晖;岳春晓;邱颖宁 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开一种级联型GaN功率器件封装结构，所述AIN层设置空腔，HEMT芯片位于AIN层空腔内，正置于框架基岛的上表面，MOSFET芯片位于AlN层上表面，HEMT芯片的栅极与MOSFET芯片的漏极形成面积堆叠；所述框架引脚包括框架栅极引脚、框架源极引脚和框架漏极引脚，框架栅极引脚、框架源极引脚和框架漏极引脚平行排列且垂直位于框架基岛的同一侧边；HEMT芯片的漏极与框架漏极引脚电气互连，MOSFET芯片的源极与框架源极引脚电气互连，MOSFET芯片的栅极与框架栅极引脚电气互连。本发明在降低共源共栅级联氮化镓器件寄生电感的同时最大程度实现高效散热。
一种级联 gan 功率器件封装结构

[发明专利]具有凹洞板互联的半导体封装-CN200880001385.6有效
发明人：孙明;石磊;刘凯 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：此封装包含有引线框架、半导体芯片、图案化源极连接、半导体芯片漏极区域与封装材料，引线框架具有漏极引脚、源极引脚和栅极引脚，半导体芯片耦合到引线框架上，并具有若干金属化源极区域和一个金属化栅极区域，图案化源极连接上形成有若干个凹洞，并用以使栅极引脚至半导体芯片的金属化栅极区域连接，半导体芯片漏极区域耦接于漏极引脚，而封装材料覆盖于至少一部分的半导体芯片、漏极引脚、源极引脚与栅极引脚。
具有凹洞板互联半导体封装

[发明专利]一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线方法-CN202010557344.8在审
发明人：朱袁正;周锦程;朱久桃;丛微微 -专利权人：无锡电基集成科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线方法，可有效抑制功率芯片源极边缘位置的温度上升，避免雪崩击穿时局部过热问题产生，包括功率芯片、源极金属引脚、栅极金属引脚、栅极金属线、源极金属线、漏极金属引脚、漏极金属垫片，功率芯片表面设置有源极、栅极、漏极，功率芯片的源极通过源极金属线与源极金属引脚连接，功率芯片的栅极通过栅极金属线与栅极金属引脚连接，功率芯片底端的漏极与漏极金属垫片焊接，漏极金属引脚从漏极金属垫片上引出，功率芯片的源极上设置有金属电流桥，金属电流桥为点状或线状。
一种提高功率芯片表面电流均匀方法

[实用新型]一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线结构-CN202021142127.4有效
发明人：朱袁正;周锦程;朱久桃;丛微微 -专利权人：无锡电基集成科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线结构，可有效抑制功率芯片源极边缘位置的温度上升，避免雪崩击穿时局部过热问题产生，包括功率芯片、源极金属引脚、栅极金属引脚、栅极金属线、源极金属线、漏极金属引脚、漏极金属垫片，功率芯片表面设置有源极、栅极、漏极，功率芯片的源极通过源极金属线与源极金属引脚连接，功率芯片的栅极通过栅极金属线与栅极金属引脚连接，功率芯片底端的漏极与漏极金属垫片焊接，漏极金属引脚从漏极金属垫片上引出，功率芯片的源极上设置有金属电流桥，金属电流桥为点状或线状。
一种提高功率芯片表面电流均匀结构

[实用新型]一种超小型低内阻场效应管-CN202220357773.5有效
发明人：燕云峰;李小芹;燕国峰;王小磊;江小芬;肖贵明;张成福 -专利权人：东莞市纽航电子有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超小型低内阻场效应管，涉及半导体器件，包括塑封体和芯片，芯片封装于塑封体内，塑封体上连接有源极引脚、栅极引脚和漏极引脚，源极引脚、栅极引脚和漏极引脚一端均连接于塑封体上，另一端均伸出于塑封体，源极引脚、栅极引脚和漏极引脚均与芯片连接；芯片上连接有电极片，芯片的源极通过电极片与源极引脚连接，芯片的栅极通过电极片与栅极引脚连接，芯片的漏极通过电极片与漏极引脚连接。
一种超小型内阻场效应

[实用新型]半导体场效应晶体管结构-CN201621094899.9有效
发明人：陈素鹏;苏健泉;曾繁川 -专利权人：广州飞虹友益电子科技有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体场效应晶体管结构，包括载芯板、芯片、栅极引脚、源极引脚及导电片，所述载芯板设有漏极引脚，所述芯片设有漏极、栅极及源极，所述芯片固设于所述载芯板、且所述芯片的漏极通过所述载芯板与所述漏极引脚电连接，所述芯片的栅极与所述栅极引脚电连接，所述导电片的两端分别与所述芯片的源极及所述源极引脚粘接固定，使所述芯片的源极与所述源极引脚导通。
半导体场效应晶体管结构

[实用新型]一种新型Toll封装测试板结构-CN202221410838.4有效
发明人：李小建;侯辉;陈天鹰;杨芹 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型Toll封装测试板结构，包括底板，底端设有三个针脚，内部设有三条传输通道；漏极模块，设有两个漏极引脚点和一个漏极接点；栅极模块设有一个栅极引脚点；源极模块设有一个源极引脚点；三个针脚分别与栅极模块、漏极模块和源极模块通过三条传输通道连接；三条传输通道分别通过漏极接点、栅极引脚点和源极引脚点连接；源极模块和漏极模块之间设有沟槽。本实用新型以开尔文四线制的方式，配合在源极和栅极之间设置的沟槽，可以有效消除线路自身阻抗对测试数值准确度带来的干扰，也增大了引脚间的间距，降低了引脚的短接故障，有效限制了源极和栅极之间的漏电增加。
一种新型 toll 封装测试板结

[实用新型]一种MOS管封装结构-CN202120216572.9有效
发明人：黄达利 -专利权人：深圳中科四合科技有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MOS管封装结构，器件内部封装有MOS芯片，器件底部分布设置有漏极引脚、栅极引脚和源极引脚，漏极引脚、栅极引脚和源极引脚分别与MOS芯片的漏极、栅极和源极一一对应导通；源极至源极引脚之间通过源极导通线路导通；器件的顶部设置有金属的散热层，散热层与源极导通线路之间链接导通；该封装结构以先进的Fan‑outpanel级封装技术为基础，兼容了PCB厂加工方式形成一种DFN型的封装规格，可以有效提高互连层载电流能力以及散热效果
一种 mos 封装结构

[发明专利]具有凹洞板互连的半导体封装-CN201110354530.2有效
发明人：孙明;石磊;刘凯 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：此封装包含有引线框架、半导体芯片、图案化源极板、半导体芯片漏极区域与封装材料，引线框架具有漏极引脚、源极引脚和栅极引脚，半导体芯片耦合到引线框架上，并具有若干金属化源极区域和一个金属化栅极区域，图案化源极板上形成有若干个凹洞，并用以使栅极引脚至半导体芯片的金属化栅极区域连接，半导体芯片漏极区域耦接于漏极引脚，而封装材料覆盖于至少一部分的半导体芯片、漏极引脚、源极引脚与栅极引脚。
具有凹洞互连半导体封装

[实用新型]一种MOS管和芯片-CN201621158170.3有效
发明人：杨磊;李达寰 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MOS管和芯片，MOS管包括晶圆、金属衬底支架、栅极引脚、源极引脚和漏极引脚，其中，漏极引脚的一端与金属衬底支架连接，栅极引脚的一端和源极引脚的一端分别与晶圆连接，栅极引脚设置在漏极引脚和源极引脚之间本实用新型能够实现最大程度增大漏极引脚和源极引脚之间的安全间距，提高了MOS管的耐高压能力，减少或避免漏电问题，不仅便于后端应用，且有利于进一步小型化MOS管的尺寸，成本低，不存在现有技术中PCB破孔的风险或
一种 mos 芯片

[实用新型]功率半导体器件封装结构-CN202222296545.4有效
发明人：田伟;廖兵 -专利权人：苏州达晶微电子有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开一种功率半导体器件封装结构，其位于MOS芯片上表面的栅极区和源极区分别通过第一金属线和第二金属线电连接到栅极引脚和源极引脚各自的焊接端，位于MOS芯片下表面的漏极区通过导电焊膏层与一陶瓷片上表面连接，漏极引脚的焊接条区位于导电焊膏层内，漏极引脚的引脚条区位于栅极引脚和源极引脚之间，位于陶瓷片下表面的凸起块嵌入金属支撑片的贯通区内；一环氧封装体包覆于MOS芯片、金属支撑片和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上本实用新型功率半导体器件封装结构既提高了源极引脚与MOS芯片电接触的稳定性，也有利于将来自MOS芯片的热量从源极引脚直接传导到外界，改善了功率半导体器件的散热性能。
功率半导体器件封装结构

[发明专利]一种GaN基射频器件及其封装方法-CN201910746367.0在审
发明人：王洪;周泉斌;姚若河;陈家乐 -专利权人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：所述器件包括DFN框架，所述DFN框架包括基岛、引脚栅极、引脚漏极和引脚源极，在电极方向上，引脚漏极位于基岛正面的左上方，引脚源极位于基岛正面的左下方，引脚栅极位于右下方，源极和栅极在同一水平线上；所述器件还包括GaN基射频芯片，GaN基射频芯片通过导电银浆固定在基岛上，GaN基射频芯片的内漏极、内源极和内栅极分别通过引线和DFN框架的引脚漏极、引脚源极和引脚栅极相应连接，分别作为器件漏极、器件源极和器件栅极；
引脚源极漏极射频芯片基岛正面基岛封装同一水平线自动化生产导电银浆方法选择器件栅极射频器件塑料封装电极轻薄塑封料内漏内源生产成本加工应用

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