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[发明专利]一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺-CN201711059107.3有效
发明人：梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1磷硼一次扩散制绒，对扩散前处理后的硅片一面扩散磷扩散源，另一面扩散硼扩散源或硼铝扩散源，并进行硅片制绒；S2铂扩散，对磷硼一次扩散制绒后的硅片扩散铂扩散源本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
一种 frgpp 芯片玻钝前多重扩散工艺

[发明专利]一种硅片一次负压扩散工艺-CN201710615675.0有效
发明人：李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;朱建佶 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片一次负压扩散工艺，包括如下步骤：对双面减薄后的硅片进行扩散前处理，处理后的硅片进行印刷扩散源，采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源；将硅片相同扩散源的面相对进行叠片装舟；在扩散炉内进行低压扩散并进行扩散后处理。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，且加工周期得以缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，且该扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；采用该工艺方法进行硅片液态源一次扩散，使得制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
一种硅片一次扩散工艺

[发明专利]一种硅片玻钝前液态源扩散工艺-CN201710615672.7有效
发明人：李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;钟瑜 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片玻钝前液态源扩散工艺，包括如下步骤：对双面减薄后放入硅片扩散前处理，处理后的硅片进行印刷扩散源，采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源；将硅片相同扩散源的面相对进行叠片装舟；在扩散炉内进行低压扩散并进行扩散后处理，扩散后处理后进行硅片表面制绒。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
一种硅片玻钝前液态扩散工艺

[实用新型]扩散源瓶-CN202123013888.7有效
发明人：郑傲然;徐冠群;李红飞;夏伟;李宁 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C30B31/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扩散源瓶，涉及太阳能电池制造技术领域，包括插入源瓶主体的进气管和出气管，且源瓶主体内底壁向下凹陷形成集源区，且进气管伸入源瓶主体的一端向下延伸至靠近集源区最低底面，所述进气管管身向上间隔固定连接有不少于一个的挡板且挡板上开设有若干通孔，本实用新型在使用中，通过挡板阻挡捕获氮气，并通过通孔将进气管排出的大气泡氮气分割形成小气泡氮气，增大氮气的比表面积，从而使得氮气能够带出更多的三氯氧磷蒸汽，为后续在硅片表面形成PN结提供足够的磷源，也使得小流量的氮气就足以满足带出所需磷源，降低氮气的流量和氮气机的工作成本。
扩散

[实用新型]一种硅片扩散制结用的扩散源液供给装置-CN201120574640.5有效
发明人：刘润中;韩小旭 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： F17D1/12 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种硅片扩散制结用的扩散源液供给装置，该装置包括：第一源瓶，所述第一源瓶内盛装有已利用但未用完的扩散源液；第二源瓶，所述第二源瓶内盛装有未被利用的扩散源液，且所述第二源瓶内的扩散源液与第一源瓶内的扩散源液相同；其中，所述第一源瓶的出气管与所述第二源瓶的进气管相连，所述第一源瓶的进气管与扩散源液气体供给装置相连，所述第二源瓶的出气管与扩散炉相连；且所述第一源瓶的进气管、第一源瓶的出气管、第二源瓶的进气管和第二源瓶的出气管均为耐腐蚀性气管采用本实用新型实施例所提供的硅片扩散制结用的扩散源液供给装置，能够充分利用更换下来的源瓶内的扩散源液，且成本低，危险性小。
一种硅片扩散制结用供给装置

[实用新型]一种扩散源搅拌装置-CN201220215170.8有效
发明人：俞舟;刘海;武会达;吴而义 -专利权人：无锡德鑫太阳能电力有限公司;无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： B01F13/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种扩散源搅拌装置。现有技术采用人工摇晃方式来使扩散源与溶剂混合均匀，存在着浪费人力及难以确保混合均匀的问题。本实用新型的扩散源搅拌装置用于将设置在扩散源容器中的扩散源与溶剂搅拌均匀，所述扩散源搅拌装置包括设置在扩散源容器外的线圈、供电模块、控制模块以及设置在扩散源容器中的搅拌磁铁，所述供电模块连接在线圈上且向线圈输出变化的电流以使线圈产生旋转的磁场，从而带动搅拌磁铁在扩散源容器中搅拌，所述控制模块控制供电模块是否对线圈供电以搅拌扩散源和溶剂的混合溶液。本实用新型可减轻操作人员的工作强度，并提高扩散源搅拌的均匀性。
一种扩散搅拌装置

[发明专利]杂质扩散方法和太阳能电池制造方法-CN202110984658.0有效
发明人：叶继春;闫宝杰;曾俞衡;杜浩江;程皓;刘伟;廖明墩 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种杂质扩散方法和太阳能电池制造方法，其中所述杂质扩散方法包括：在待处理基板上形成第一扩散源层，所述第一扩散源层富含受主或施主杂质元素，且所述第一扩散源层中氧和氮的原子浓度比之和小于10at％；在所述第一扩散源层上形成第二扩散源层，所述第二扩散源层富含氧元素和/或氮元素；对所述待处理基板进行退火处理，使得所述第一扩散源层中的所述受主或施主杂质元素扩散入所述待处理基板，并且使得所述第二扩散源中的氧元素和/或氮元素扩散入所述第一扩散源层。
杂质扩散方法太阳能电池制造

[发明专利]硼扩散源片的制备和检测补源方法-CN201110056260.7有效
发明人：谢晓东;邓爱民;保爱林;朱建华 -专利权人：绍兴旭昌科技企业有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼扩散源片的制备和检测补源方法。其制备方法为：将硼扩散源粉末均匀分散于醇类或醚类或酯类有机溶剂中，然后将分散均匀的液态扩散源均匀涂抹在硅基片表面，烘干后形成用于硼扩散的硼扩散源片。其检测补源方法为：通过检测确定是否对硼扩散源片进行补源，如需补源，其方法是：在硼扩散源片表面重新涂覆所述的液态扩散源，烘烤干燥后即可继续使用。本发明具有成本低廉、操作简单、可多次重复使用且适用于大批量硼扩散作业等优点。
扩散制备检测方法

[发明专利]一种稀土永磁材料及其扩散方法、扩散源及其制备方法-CN202310466654.2在审
发明人：刘炜烨;汪元亮;吴小洁;刘源;郭一方 -专利权人：宁波松科磁材有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土永磁材料及其扩散方法、扩散源及其制备方法。其中，稀土永磁材料的扩散方法包括以下步骤：S10：获取扩散源细粉；S20：将扩散源细粉和有机溶剂、抗氧化剂混合，搅拌均匀得到扩散源浆料；S30：将扩散源浆料涂覆在金属基板的表面，烘烤得到扩散源基板；S40：按照扩散源基板、钼网、待处理磁材的顺序组装，进行热处理和回火处理得到稀土永磁材料。采用本发明提供的技术方案通过采用扩散源基板的方式进行扩散处理，一方面可以提高扩散的效率，另一方面也简化了工艺流程。
一种稀土永磁材料及其扩散方法制备

[发明专利]一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法-CN201810909448.3在审
发明人：杨俊;古进;石文坤;迟鸿燕;吴王进 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供的一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，采用N型单晶硅片为衬底材料，使用深结扩散工艺制造欧姆接触，其步骤为：硅片清洗→一次携带源扩散→一次涂源扩散→二次携带源扩散→二次涂源扩散→三次携带源扩散→第四次携带源扩散。采用携带源扩散和涂源扩散交替扩散的方式，大大提升了芯片的表面浓度，降低了合金型电压调整二极管的正向压降，该工艺对于深结台面型半导体器件的制造具有较高的使用推广价值。
源扩散扩散二极管电压调整正向压降携带合金型涂源台面型半导体器件衬底材料硅片清洗扩散工艺欧姆接触制造芯片

[发明专利]扩散源温度的调控方法及装置-CN201611141731.3有效
发明人：曹洋洋;张伟 -专利权人：徐州鑫宇光伏科技有限公司;协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种扩散源温度的调控方法及装置，所述方法包括：实时获取扩散源的当前剩余体积；在所述当前剩余体积下判断是否需要提高所述扩散源的温度；若是，则提高所述扩散源的温度。本发明在太阳能晶体硅电池的生产过程，实时获取生产过程中扩散源的当前剩余体积，并根据当前剩余体积判断是否需要提高扩散源温度，如果需要，则提高扩散源的温度；由此，在生产过程中，当前剩余体积的减少，会导致方阻偏大，此时为保持方阻的稳定性，可以提高扩散源的温度降低方阻，使方阻保持稳定；同时，不反应气体相对携带的扩散源量也会增加，防止不反应气体在扩散源的液位降低时导致携带的扩散源量减小，从而提高太阳能电池的工艺参数的稳定性
扩散温度调控方法装置

[发明专利]一种利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法-CN202210761776.X有效
发明人：汪良恩;王锡康;姜兰虎;乔建明 -专利权人：山东芯源微电子有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池片生产技术领域，具体涉及一种利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，包括绒面制备、扩散前清洗和扩散；所述扩散过程包括：步骤一选择相同或不同的半导体膜状扩散源，所述半导体膜状扩散源包括磷纸源和硼纸源；步骤二将半导体膜状扩散源切割成与硅片扩散区相同的尺寸和形状；步骤三把已表面处理后的硅片与半导体膜状扩散源进行叠片；步骤四将叠片装入扩散舟，然后将扩散舟放入扩散炉内进行扩散操作；与现有技术相比，本发明申请的积极效果在于：改变了现有的硅基高效太阳能发电基片制造PN结还在延续原来的气态源或者液态源扩散方式的现状；克服了硅片扩散过程中生产效率低、制造工艺繁琐的不利问题。
一种利用扩散制造太阳能发电方法

[实用新型]新型扩散源瓶装置及扩散源瓶系统-CN201721481094.4有效
发明人：王续;李邦勇;潘岳林;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C30B31/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型扩散源瓶装置及扩散源瓶系统，包括固定源瓶、进气管、出气管、供液源瓶及挡板。进气管的一端位于固定源瓶的外部，另一端位于其内部且靠近其底部；出气管的一端位于固定源瓶的外部，另一端位于其内部且靠近其顶部；供液源瓶位于固定源瓶上方，通过加液管道与其连通，且加液管道的底端靠近其底部；挡板设于固定源瓶的内部，且进气管与出气管位于其一侧、加液管道位于其另一侧；挡板的顶边高于加液管道的底端，挡板的侧边与固定源瓶的侧壁连接，挡板的底边与固定源瓶的底部连接，且挡板的底部设有通液孔。本实用新型中的供液源瓶能够自动地为固定源瓶供给源，使得液位保持恒定，解决了现有的扩散源瓶装置不便于换源的问题。
固定源挡板扩散源瓶加液管道出气管供液源进气管本实用新型底端恒定侧壁连接底部连接液位保持供给源通液孔自动地外部侧边顶边连通

[发明专利]半导体硅片液态源扩散炉-CN200610030727.X有效
发明人：符育刚;袁晓;李红波 -专利权人：上海航天汽车机电股份有限公司;上海太阳能科技有限公司
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体硅片液态源扩散炉，该装置包括：扩散炉管和喷源石英管。扩散炉管为两端开放式结构，在炉管的内壁安装有2根～10根喷源石英管，其直径为φ2～φ10mm，喷源石英管的管壁分布着孔径大小均匀的毛细孔，喷源石英管的出口端连接液态扩散源的源瓶。本发明解决了扩散炉中气源扩散不均匀的问题，达到了生产效率高、扩散均匀等有益效果。
半导体硅片液态扩散

[发明专利]用于半导体制造过程中的扩散室及其扩散方法-CN201310538055.3有效
发明人：叶瑾琳;廖世蓉 -专利权人：叶瑾琳;廖世蓉
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C30B31/16 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体制造过程中的扩散室及其扩散方法。通过扩散控制装置，使扩散源由点变成了和半导体样品平行的面，相当于使扩散源到样品每个区的距离一样，并可控制浓度高低和扩散深度，以在半导体制造过程中控制扩散通量；使扩散浓度和深度的均匀性大大提高，源材料在半导体样品里浓度均匀分布由于扩散控制装置及其扩散路径离扩散源（源材料）很近，源材料一经挥发，扩散控制装置先起阻挡作用，使得扩散控制装置的下表面迅速被源材料均匀充满，再经过扩散路径重新分配，均匀到达样品各个区域。
用于半导体制造过程中的扩散及其方法

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