专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果437697个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种利用废弃焦粉活化深度处理垃圾渗滤液的方法-CN201410426314.8有效
  • 代晋国;宋乾武;吴琪 - 北京博力扬环保科技有限公司
  • 2014-08-26 - 2014-12-10 - C02F1/28
  • 本发明涉及一种利用废弃焦粉活化深度处理垃圾渗滤液的方法,包括以下步骤:将废弃焦粉经过筛选后装入活化炉,升温并采用水蒸气进行活化处理,得到活化半焦;将活化半焦降至常温后送入活化料仓,经过粉碎机粉碎后制得粉末状的活化焦粉;通过对废弃焦粉采用蒸汽活化开孔后,形成丰富的微孔、中孔以及大孔结构,能够吸附经过生化处理后的垃圾渗滤液中的大分子难生物降解有机物。经过生化处理后的垃圾渗滤液采用三级逆流吸附的方式进行深度处理,将活化焦粉采用自动投加器投加到三级吸附沉淀系统中进行吸附处理;吸附饱和的活化焦粉排出到自然干化系统,经过自然干化后,回收再利用。
  • 一种利用废弃活化深度处理垃圾渗滤方法
  • [发明专利]半导体器件内形成高压结的方法-CN02159827.4无效
  • 朴正焕;郭鲁烈 - 海力士半导体有限公司
  • 2002-12-27 - 2004-01-21 - H01L21/336
  • 该方法包括,形成一双重扩散漏极结,通过注入一种比注入该双重扩散漏极结中的杂质的原子量高的杂质,使该双重扩散漏极结非晶化至一第一深度,将杂质注入直至小于该第一深度的一第二深度,使得杂质浓度达到一预设值,然后活化该杂质因而,本发明能够通过抑制杂质的扩散减小薄层电阻,通过降低结的深度抑制沟道现象,并通过充分活化杂质而去除晶体缺陷,并且由于随后的用于活化的退火工艺可在高温下进行,从而改善工艺的可靠性和器件的电学特性。
  • 半导体器件形成高压方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top