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[外观设计]外壁沟槽状筒灯-CN201930345858.5有效
发明人：黄良春 -专利权人：佛山市南海勤智灯饰有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：外壁沟槽状筒灯。;2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于照明。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
外壁沟槽状筒灯

[发明专利]半导体装置-CN202110489242.1在审
发明人：中野佑纪 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2016-02-08 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包含：半导体层，包含有源部和栅极指状物部；MIS晶体管，被形成于所述有源部，并且，包含栅极沟槽、以及依次沿着所述栅极沟槽的侧面的源极区域、沟道区域和漏极区域；多个第一栅极指状物沟槽，在所述栅极指状物部中由所述栅极沟槽的延长部构成；栅极电极，埋入到所述栅极沟槽和所述第一栅极指状物沟槽中；第二导电型的第一底部杂质区域，被形成于所述第一栅极指状物沟槽的至少底部；栅极指状物，横穿过所述多个第一栅极指状物沟槽，电连接于所述栅极电极；以及第二导电型的电场缓和区域，在相邻的所述第一栅极指状物沟槽之间形成得比所述第一栅极指状物沟槽的底部深。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201680019148.7有效
发明人：中野佑纪 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2016-02-08 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包含：半导体层，包含有源部和栅极指状物部；MIS晶体管，被形成于所述有源部，并且，包含栅极沟槽、以及依次沿着所述栅极沟槽的侧面的源极区域、沟道区域和漏极区域；多个第一栅极指状物沟槽，在所述栅极指状物部中由所述栅极沟槽的延长部构成；栅极电极，埋入到所述栅极沟槽和所述第一栅极指状物沟槽中；第二导电型的第一底部杂质区域，被形成于所述第一栅极指状物沟槽的至少底部；栅极指状物，横穿过所述多个第一栅极指状物沟槽，电连接于所述栅极电极；以及第二导电型的电场缓和区域，在相邻的所述第一栅极指状物沟槽之间形成得比所述第一栅极指状物沟槽的底部深。
半导体装置

[实用新型]一种桂花肠机-CN200920183187.8无效
发明人：郑会法 -专利权人：郑会法
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： A22C17/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桂花肠机，主要由圆柱沟槽凸轮往复移动机构、盘状沟槽凸轮往复移动机构、夹持输送轮间歇机构组成，其中圆柱沟槽凸轮往复移动机构主要包括圆柱沟槽凸轮、侧向冲花刀、滚子及连杆或摆杆，盘状沟槽凸轮往复移动机构主要包括盘状沟槽凸轮、垂直冲花切刀、夹持输送轮、超越离合器、滚子及连杆或摆杆，圆柱沟槽凸轮为一圆柱体且在圆柱体外圆上设有弧形沟槽，并在沟槽内嵌入滚子，连杆或摆杆通过滚子与圆柱沟槽凸轮相连接，侧向冲花刀与圆柱沟槽凸轮相连接，盘状沟槽凸轮为圆盘状，其一侧端面设有心形沟槽，沟槽内嵌入滚子，连杆或摆杆通过滚子与盘状沟槽凸轮相连接，垂直冲花切刀与盘状沟槽凸轮相连接，若干个夹持送料轮其圆周上设有圆弧槽并上下叠加、前后排列而成，并由超越离合器驱动若干个夹持输送轮作间歇运动
一种桂花

[实用新型]一种高炉风口小套-CN201220697866.9有效
发明人：姜本熹;周火青;王玉稳;孔建益;王兴东;杨志泉;李向伟;张玉奎;刘志斌 -专利权人：武汉钢铁（集团）公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C21B7/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高炉风口小套，包括风口小套本体，所述风口小套本体的前端外侧以及前端面设有多个沟槽。所述沟槽为多个环绕风口的环形沟槽，或者为多个以风口为中心向外辐射的辐射状沟槽，或者为多个环绕风口的环形沟槽和多个以风口为中心向外辐射的辐射状沟槽的组合。所述环形沟槽和辐射状沟槽的断面为燕尾槽型。所述环形沟槽和辐射状沟槽的槽底根部与侧面形成圆角。所述环形沟槽和辐射状沟槽内浇注有耐火材料。本实用新型的有益效果：抗磨损、抗渣铁侵蚀、抗龟裂能力强，可提高风口小套的寿命。
一种高炉风口

[发明专利]一种具有固定转向的花纹轮胎-CN201410359378.0有效
发明人：杨建;王国林;周海超;赵璠 -专利权人：江苏大学
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B60C11/117 文献下载
摘要：轮胎中心周向肋条及两个纵向花纹沟槽组成胎面中心区域，由胎面中心区域向胎肩部位顺势延伸的S状、C状花纹沟槽分割而成为胎肩区域。在S状和C状沟槽形成之间，设有三条弓形花纹沟槽，连通纵向花纹沟槽和C形花纹沟槽，在靠近胎侧边缘部位设有一条仅连通S状和C形花纹沟槽的弓形花纹沟槽。胎面花纹以S状花纹沟槽和C状花纹沟槽组合为单一节距，在不同节距花纹间隔的空白区域上，设有两个弧形的尖刀状花纹沟槽和防滑细沟槽。
一种具有固定转向花纹轮胎

[实用新型]一种具有固定转向的花纹轮胎-CN201420415408.0有效
发明人：杨建;王国林;周海超;赵璠 -专利权人：江苏大学
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： B60C11/117 文献下载
摘要：轮胎中心周向肋条及两个纵向花纹沟槽组成胎面中心区域，由胎面中心区域向胎肩部位顺势延伸的S状、C状花纹沟槽分割而成为胎肩区域。在S状和C状沟槽形成之间，设有三条弓形花纹沟槽，连通纵向花纹沟槽和C形花纹沟槽，在靠近胎侧边缘部位设有一条仅连通S状和C形花纹沟槽的弓形花纹沟槽。胎面花纹以S状花纹沟槽和C状花纹沟槽组合为单一节距，在不同节距花纹间隔的空白区域上，设有两个弧形的尖刀状花纹沟槽和防滑细沟槽。
一种具有固定转向花纹轮胎

[发明专利]半导体器件-CN201710538230.7有效
发明人：凯勒·特里尔;差诺·帕克 -专利权人：威世硅尼克斯公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一多个沟槽状结构和第二多个禁用沟槽状结构。所述第一多个沟槽状结构中的每一个包括与栅极金属相接触的栅电极和与源极金属相接触的源电极。所述第二多个禁用沟槽状结构与所述第一多个沟槽状结构交错设置。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201280027379.4有效
发明人：凯勒·特里尔;差诺·帕克 -专利权人：威世硅尼克斯公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一多个沟槽状结构和第二多个禁用沟槽状结构。所述第一多个沟槽状结构中的每一个包括与栅极金属相接触的栅电极和与源极金属相接触的源电极。所述第二多个禁用沟槽状结构与所述第一多个沟槽状结构交错设置。
半导体器件

[发明专利]一种平面三维沸腾结构及其加工方法-CN201010283837.3无效
发明人：向建化;刘晓初;汤勇;张春良 -专利权人：广州大学
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： F28F13/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种平面三维沸腾结构及其加工方法，属于强化传热技术领域，包括一条周向螺旋状沟槽1和多条径向沟槽2，周向螺旋状沟槽1沿圆形平面边缘呈涡状曲线向中心位置逐渐接近，多条径向沟槽2在中心点位置重合，呈放射状向直径方向延伸，先利用周向螺旋状沟槽加工方法到周向螺旋状沟槽结构，后在其基础上利用径向螺旋状沟槽加工方法加工径向沟槽，螺旋状沟槽和径向沟槽形成多个交叉点，最终在工件平面内形成从中心向边缘分布的径向菱柱凸台
一种平面三维沸腾结构及其加工方法

[实用新型]一种平面三维沸腾结构-CN201020531918.6无效
发明人：向建化;刘晓初;汤勇;张春良 -专利权人：广州大学
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： F28F13/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种平面三维沸腾结构，属于强化传热技术领域，包括一条周向螺旋状沟槽1和多条径向沟槽2，周向螺旋状沟槽1沿圆形平面边缘呈涡状曲线向中心位置逐渐接近，多条径向沟槽2在中心点位置重合，呈放射状向直径方向延伸，先利用周向螺旋状沟槽加工方法到周向螺旋状沟槽结构，后在其基础上利用径向螺旋状沟槽加工方法加工径向沟槽，螺旋状沟槽和径向沟槽形成多个交叉点，最终在工件平面内形成从中心向边缘分布的径向菱柱凸台3，金字塔形凸台
一种平面三维沸腾结构

[发明专利]取向电工钢板及其磁畴细化方法-CN202180085715.X在审
发明人：权五烈;金佑信;宋在华 -专利权人：浦项股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C21D8/12 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例的取向电工钢板，其包括：在电工钢板的一面或两面上沿着与轧制方向交叉的方向(X1方向)形成的线状沟槽；以及在电工钢板的一面或两面上沿着与轧制方向交叉的方向(X2方向)排列的点状沟槽；沿着轧制方向形成有多个线状沟槽和点状沟槽，所述点状沟槽排列方向(X2方向)的点状沟槽间的间距D3为轧制方向上的点状沟槽间的间距D2的0.02至1.7倍。
取向电工钢板及其细化方法

[发明专利]导光板以及光源模组-CN201610348428.4有效
发明人：邱文彦;李清祥;李建辉;周民俊 -专利权人：台湾扬昕股份有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：底面形成有多个第一条状沟槽。第一条状沟槽的排列方向垂直于第一入光面。第一条状沟槽的深度及第一条状沟槽于排列方向上的宽度随着第一条状沟槽与第一入光面的距离的增加而增加。各第一条状沟槽具有第一迎光面以及第一背光面。第一迎光面位于第一入光面与第一背光面之间。各第一迎光面包括多个第一平面，且第一平面沿各第一条状沟槽的延伸方向间隔设置。
导光板以及光源模组

[发明专利]沟槽MOSFET器件及其制作方法-CN201010593571.2有效
发明人：王加坤 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种沟槽MOSFET器件及其制作方法。所述沟槽MOSFET器件包括：基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层；位于所述外延层中的第一沟槽和接触孔；其中，所述第一沟槽为梳状沟槽。本发明所提供的沟槽MOSFET器件，由于其外延层中的第一沟槽为梳状沟槽，而梳状沟槽所具有的弯曲结构能明显增加沟道宽度，从而可减小沟道电阻，进一步可减小导通电阻。
沟槽 mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN201811560751.3在审
发明人：施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该制备方法包括下列步骤：提供一基底；形成多个第一沟槽、多个第二沟槽、多个第一岛状结构和多个第二岛状结构，其中每个该第一岛状结构与每个该第二岛状结构通过该第一沟槽隔开，所述多个第一岛状结构通过该第二沟槽彼此隔开，以及所述多个第二岛状结构通过该第二沟槽彼此隔开；共形地形成一第一介电层，其覆盖每个该第一沟槽的一侧壁及一底部，以及覆盖每个该第二沟槽的一侧壁和一底部；形成一半导体层在该第一介电层上；执行一氧化将该半导体层转化为在每个该第一沟槽及每个该第二沟槽中的一半导体氧化物层；形成一第二介电层以填充所述多个第二沟槽。
半导体结构制备方法

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