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[发明专利]硅片水膜去水装置-CN201611177358.7有效
发明人：孙铁囤;汤平;姚伟忠 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片水膜去水装置，包括水槽，所述水槽的一端为硅片的输入端，所述水槽的另一端为硅片的输出端，所述水槽内转动设置有用于输送硅片的输送辊，所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的电机，所述水槽上设有压平板，所述压平板位于所述输送辊上方，所述压平板具有水平段和导向段，所述导向段位于水槽上靠近输入端的一端，所述水平段为平面，本发明能够有效的去除硅片水膜多余的水，使得水膜均匀铺平在硅片上，良好的适用性，降低了生产成本，避免了硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本的问题。
硅片水膜去水装置

[实用新型]硅片水膜去水装置-CN201621398295.3有效
发明人：孙铁囤;汤平;姚伟忠 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片水膜去水装置，包括水槽，所述水槽的一端为硅片的输入端，所述水槽的另一端为硅片的输出端，所述水槽内转动设置有用于输送硅片的输送辊，所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的电机，所述水槽上设有压平板，所述压平板位于所述输送辊上方，所述压平板具有水平段和导向段，所述导向段位于水槽上靠近输入端的一端，所述水平段为平面，本实用新型能够有效的去除硅片水膜多余的水，使得水膜均匀铺平在硅片上，良好的适用性，降低了生产成本，避免了硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本的问题。
硅片水膜去水装置

[发明专利]刻蚀硅片水膜去水装置-CN201611157688.X有效
发明人：孙铁囤;姚伟忠;徐天伟 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种刻蚀硅片水膜去水装置，包括水槽，所述水槽内转动设有若干用于输送硅片的输送辊，所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的第一电机，所述水槽上转动设置有去水辊，所述去水辊位于所述输送辊上方且一一对应，所述去水辊外周面开设有若干第一环形槽，所述水槽外设有用于驱动去水辊转动的第二电机，所述输送辊与所述去水辊旋转方向相反，所述水槽上设有集水盒，所述集水盒上设有开口朝上的集水腔，本发明操作简单方便，能够有效去除硅片水膜多余的水，防止了硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本的问题。
刻蚀硅片水膜去水装置

[实用新型]刻蚀硅片水膜去水装置-CN201621381317.5有效
发明人：孙铁囤;姚伟忠;徐天伟 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种刻蚀硅片水膜去水装置，包括水槽，所述水槽内转动设有若干用于输送硅片的输送辊，所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的第一电机，所述水槽上转动设置有去水辊，所述去水辊位于所述输送辊上方且一一对应，所述去水辊外周面开设有若干第一环形槽，所述水槽外设有用于驱动去水辊转动的第二电机，所述输送辊与所述去水辊旋转方向相反，所述水槽上设有集水盒，所述集水盒上设有开口朝上的集水腔，本实用新型操作简单方便，能够有效去除硅片水膜多余的水，防止了硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本的问题。
刻蚀硅片水膜去水装置

[发明专利]一种用于涂布机的去水机构-CN202010674505.1有效
发明人：冯波;沈明杰;贺新阁 -专利权人：深圳市恒捷自动化有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： F26B5/00 文献下载
摘要：本申请涉及涂布机的技术领域，涉及一种用于涂布机的去水机构，包括机架，所述机架上转动连接有两个间隔设置的第一去水杆，所述第一去水杆为多棱柱状。本申请具有以下效果：当膜材通过两个第一去水杆时，膜材的两侧将会与第一去水杆接触，此时由于第一去水杆为多棱柱状，其棱边将会抵触在膜材上，从而将膜材上的水洗液去除，并且第一去水杆将会随着膜材的运动发生转动，两个第一去水杆将会不断将膜材上的水洗液出去，减小水洗液进入至下一个水箱中的可能性。
一种用于涂布机机构

[发明专利]一种双极膜电辅助去离子装置、制酸方法及其应用-CN202110617631.8在审
发明人：陈小平;吕苏;董红晨;郝楠;黄建波;晏博 -专利权人：广东栗子科技有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：一种双极膜电辅助去离子装置、制酸方法及其应用，在双极膜电辅助去离子装置制水工况时，原水从接近施加负极电压方向的流道进入双极膜电辅助去离子装置进行脱盐处理，经处理后的液体从接近施加正极电压方向的流道排出得到酸性制水本发明通过双极膜电辅助去离子装置制酸方法能够制备得到酸性制水，且制备方法简单。本发明通过双极膜电辅助去离子装置制酸方法制备得到的酸性制水对制水设备进行产生的水垢进行清洗，只需要通过制水设备内部的双极膜电辅助去离子装置就得到的酸性制水，并对制水设备内部进行清洗，从而大大简化了清洗难度同时提高了清洗效果本发明的双极膜电辅助去离子装置通过制酸方法容易制得到酸性制水。
一种双极膜电辅助离子装置方法及其应用

[发明专利]硅片去水膜设备-CN201710167124.2有效
发明人：孙铁囤;汤平;姚伟忠 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片去水膜设备，包括设置在机架上的水槽，所述水槽内设有用于输送硅片的输送辊，所述机架上设有板体，所述板体位于所述水槽上方，所述板体靠近输送辊的一侧开设有进水道，所述板体内设有集水腔，所述集水腔与所述进水道连通，所述板体上设有排水口，所述排水口与所述集水腔连通，所述机架上设有用于控制板体靠近或者远离输送辊的微调机构，本发明硅片去水膜设备在使用时，传统去水方式无法完全将水去除，而通过改进同样是对水膜进行挤压，通过板体上的进水道，使得硅片上的水通过进水道溢流至排水腔内，避免了传统通过匀水辊去水无效的问题。
硅片去水膜设备

[实用新型]硅片去水膜设备-CN201720273826.4有效
发明人：孙铁囤;汤平;姚伟忠 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片去水膜设备，包括设置在机架上的水槽，所述水槽内设有用于输送硅片的输送辊，所述机架上设有板体，所述板体位于所述水槽上方，所述板体靠近输送辊的一侧开设有进水道，所述板体内设有集水腔，所述集水腔与所述进水道连通，所述板体上设有排水口，所述排水口与所述集水腔连通，所述机架上设有用于控制板体靠近或者远离输送辊的微调机构，本实用新型硅片去水膜设备在使用时，传统去水方式无法完全将水去除，而通过改进同样是对水膜进行挤压，通过板体上的进水道，使得硅片上的水通过进水道溢流至排水腔内，避免了传统通过匀水辊去水无效的问题。
硅片去水膜设备

[发明专利]一种双极膜电辅助去离子系统及其提高制水量的方法-CN202110617633.7在审
发明人：陈小平;吕苏;董红晨;郝楠;黄建波;晏博 -专利权人：广东栗子科技有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：一种提高双极膜电辅助去离子系统产水量的方法及一种双极膜电辅助去离子系统，将双极膜电辅助去离子系统脱盐工况下制备得到的产水标准范围外的制水作为再生用水。因为再生工况对水质要求较低，对于产水标准范围外制水是不能饮用但可以进行再生，因此本发明在脱盐工况下得到产水标准范围外制水作为再生用水，从而在双极膜电辅助去离子系统在其他条件相同的情况下，可以整体提高双极膜电辅助去离子系统制水量，且产水标准范围的制水均作为产水提供给用户。
一种双极膜电辅助离子系统及其提高水量方法

[发明专利]一种制备碱性水的方法及其双极膜电辅助去离子装置-CN202110617617.8在审
发明人：陈小平;吕苏;董红晨;郝楠;黄建波;晏博 -专利权人：广东栗子科技有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：一种制备碱性水的方法及其双极膜电辅助去离子装置，在双极膜电辅助去离子装置的制碱工况时，双极膜电辅助去离子装置中双极膜的阳离子交换膜朝向负电极，双极膜中的阴离子交换膜朝向正电极，而且原水从接近负电极的流道进入双极膜电辅助去离子装置进行制碱处理，经处理后的液体从接近正电极的流道排出得到碱性水。本发明在通过原水进入与正负极之间的方向关系，从而制备得到碱性水，这种制碱方法简单。填补了现有技术中双极膜电辅助去离子装置并不能制备碱性水的技术空白。
一种制备碱性方法及其双极膜电辅助离子装置

[实用新型]一种防水卷材去水装置及覆膜去水系统-CN202220234506.9有效
发明人：魏巍;周昊 -专利权人：上海东方雨虹防水技术有限责任公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B29C37/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防水卷材去水装置及覆膜去水系统，所述覆膜去水系统包括按防水卷材的前进方向依次设置的冷却水床、上膜覆膜对辊、去水装置，以及下膜覆膜对辊，所述去水装置包括并列设置的前后2个脱水辊，设置于2本实用新型在涂油成型后，能够有效去除卷材下表面的水分，避免改性沥青的下表面与下隔离膜之间形成水分残留。
一种防水卷材装置覆膜去水系

[发明专利]一种双极膜电辅助去离子装置及其双极膜电辅助去离子装置碱性水制备方法-CN202110617604.0在审
发明人：陈小平;吕苏;董红晨;郝楠;黄建波;晏博 -专利权人：广东栗子科技有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：一种双极膜电辅助去离子装置及一种双极膜电辅助去离子装置碱性水制备方法，在双极膜电辅助去离子装置的制碱工况时，通过调节输入的制碱电量制备碱性水。所述制碱电量大于等于吸盐电量的1.1倍；所述吸盐电量为双极膜电辅助去离子装置在吸盐工况时对流体中的阴阳离子进行吸附处理所输入的电量。本发明在通过调节制碱工况时的制碱电量，从而制备得到碱性水，填补了现有技术中双极膜电辅助去离子装置并不能制备碱性水的技术空白。
一种双极膜电辅助离子装置及其碱性制备方法

[发明专利]一种双极膜电辅助去离子系统及其不间断出水方法-CN202110617639.4在审
发明人：陈小平;吕苏;董红晨;郝楠;黄建波;晏博 -专利权人：广东栗子科技有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：一种双极膜电辅助去离子系统及双极膜电辅助去离子系统不间断出水方法，设置有多个滤芯单元，多个滤芯单元均为双极膜电辅助去离子装置结构的滤芯单元；至少存在一个滤芯单元在制水的同时分配部分产水作为再生用进水输入至需要再生的其它滤芯单元，正在产水滤芯单元的另一部分产水作为系统产水排出双极膜电辅助去离子系统。本发明的其中一部分滤芯单元处于再生期间，另一部分滤芯单元仅分配一部分产水对这些滤芯单元进行再生，另一部分的产水还可以作为系统产水排出，从而能进行不间断制备产水。
一种双极膜电辅助离子系统及其不间断出水方法

[发明专利]混合膜脱盐装置、设备及其脱盐方法-CN201310195066.6有效
发明人：伊学农;宋桃莉;段小龙;张艳森;周伟博;金鑫 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C02F1/469 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合膜脱盐处理装置、设备以及脱盐方法，其特征在于，混合膜脱盐处理装置包括：阳极和阴极；复数个电去离子膜片组，都设置在阳极和阴极之间并且与电场的方向相垂直，均包含用于形成淡水室和浓水室的电去阳离子膜片和电去阴离子膜片；复数个高压去离子膜柱，被匹配设置在淡水室中；复数个低压去离子膜柱，被匹配设置在浓水室中；高压入水管；以及出水管组；其中，高压入水管被连接到每个浓水室和淡水室、阳极室以及阴极室的位置，低盐管与每个高压去离子膜柱相连接，中盐管与每个低压去离子膜柱相连接，高盐管与每个浓水室、阳极室以及阴极室相连接。
混合脱盐装置设备及其方法

[实用新型]一种硅片去PSG上料水膜铺平装置-CN202220456972.1有效
发明人：梁成才 -专利权人：江苏润阳世纪光伏科技有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅片去PSG上料水膜铺平装置，该装置包括机架，滚轮输送线，喷淋喷头，其特征在于：在滚轮输送线上方，且与喷淋喷头相对平行的设置有刮水板，刮水板通过安装座可拆卸的设置在去PSG上料水膜铺平装置的机架上，刮水板与滚轮输送线上传送的硅片的距离为0.8㎜。该装置能够刮掉硅片水膜覆盖区域过多的水，而且使硅片扩散面表面的水膜覆盖更加均匀，从而避免出现因水膜覆盖不全导致的边缘过刻，以及硅片表面部分区域水膜水量过多掉入HF槽从而导致的欠刻、抛光面异常的情况。
一种硅片 psg 上料水膜铺平装置

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