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[实用新型]装饰膜及装饰结构-CN201821078973.7有效
发明人：李可峰;张艳芳;许仁;王伟 -专利权人：维达力实业（深圳）有限公司;万津科技有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C23C30/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种装饰膜及装饰结构，该装饰膜包括硬质膜和设于该硬质膜表面的光学薄膜，其中光学薄膜由一层氮化硅膜或一层氮氧化铝膜组成；或该光学薄膜包括至少两层氮化硅膜和设置在相邻两层氮化硅膜之间的氮氧化铝膜。上述装饰膜，通过在硬质膜表面设置包括至少一层氮化硅膜或至少一层氮氧化铝膜的光学薄膜，即可实现高硬、提亮等效果。
氮化硅膜光学薄膜装饰膜氮氧化铝膜硬质膜装饰结构两层表面设置申请

[发明专利]一种基于新型图形化衬底的LED芯片及其制造方法-CN202211415780.7在审
发明人：请求不公布姓名;陈传国 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本申请提供一种基于新型图形化衬底的LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括氧化铝氮氧化铝图形化衬底、缓冲层和LED结构层，其中所述缓冲层外延生长在氧化铝氮氧化铝图形化衬底上，所述LED结构层外延生长在缓冲层上；所述氧化铝氮氧化铝图形化衬底包括：氧化铝层和氮氧化铝图形层；所述缓冲层包括：氮化铝层和氮氧化硅层；所述氧化铝氮氧化铝图形化衬底中的氧化铝层由所述氧化铝氮氧化铝图形化衬底中的所述氮氧化铝层覆盖；所述缓冲层覆盖在所述氧化铝氮氧化铝图形化衬底上，所述LED结构层覆盖在所述缓冲层上。
一种基于新型图形衬底 led 芯片及其制造方法

[发明专利]切削工具-CN202180035445.1在审
发明人：奥野晋;山西贵翔;引地将仁;小林史佳 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：一种切削工具，其具备基材和设置在上述基材上的覆膜，其中，上述覆膜包含：第一氧化铝层，其设置在上述基材上；钛化合物层，其设置在上述第一氧化铝层的正上方；以及第二氧化铝层，其设置在上述钛化合物层的正上方，在上述第一氧化铝层中，与上述钛化合物层邻接的部分形成界面区域，在上述第一氧化铝层中，不是上述界面区域的部分形成非界面区域，上述界面区域中的氮的含有比例为0.2at％以上且11at％以下，上述非界面区域中的氮的含有比例为0at％以上且0.15at％以下，上述钛化合物层包含与上述第一氧化铝层邻接的碳氮氧化钛的层。
切削工具

[发明专利]一种携带式电子装置外壳-CN201310638414.2无效
发明人：任保林 -专利权人：任保林
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H05K5/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种携带式电子装置外壳，包括铝基材、氧化铝膜层和类钻石薄膜层，氧化铝膜层形成于铝基材的表面，类钻石薄膜层形成于氧化铝膜层的表面，该类钻石薄膜层的材料为非结晶碳氮或非结晶碳氢氮，由此，具有良好的耐磨性能及耐腐蚀性能
一种携带式电子装置外壳

[发明专利]铝或铝合金的壳体及其制造方法-CN201110070401.0无效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;陈晓强 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种壳体，包括铝或铝合金基体，该壳体还包括依次形成于该铝或铝合金基体上的铝膜层和防腐蚀膜层，该防腐蚀膜层为氮氧化铝梯度膜，其掺杂有铱金属离子，所述氮氧化铝梯度膜中氮和氧的原子百分含量由靠近铝或铝合金基体向远离铝或铝合金基体的方向呈梯度增加该通过离子注入掺杂了铱金属离子的氮氧化铝梯度膜组成的复合膜层显著地提高了所述壳体的耐腐蚀性。本发明还提供了上述壳体的制造方法。
铝合金壳体及其制造方法

[发明专利]一种PERC太阳能电池背钝化膜、其制备方法及PERC太阳能电池-CN202011541161.3在审
发明人：宋飞飞;何悦;王英杰 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种PERC太阳能电池背钝化膜、其制备方法及PERC太阳能电池，所述制备方法包括：将前处理后的硅片置于管式PECVD设备中，通入含铝前驱体和含氧前驱体，升温后发生反应，在硅片背面沉积形成氧化铝层；沉积完成后冷却，通入含硅前驱体和含氮前驱体，在氧化铝层基础上依次沉积形成氮氧化硅层和至少一层氮化硅层，得到太阳能电池背钝化膜。本发明通过在硅片背面沉积单面氧化铝层以及多层含氮硅层，共同构成背钝化膜，实现硅片的背钝化效果，且单面氧化铝层能够克服双面氧化铝时正面会抵消PN结的电势缺陷，还可灵活调节膜层的组合，有效降低载流子的复合速率
一种 perc 太阳能电池钝化制备方法

[发明专利]铝或铝合金的壳体及其制造方法-CN201110046354.6无效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;詹益淇;陈晓强 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：一种壳体，包括铝或铝合金基体，该壳体还包括依次形成于该铝或铝合金基体上的铝膜层和防腐蚀膜层，该防腐蚀膜层为氮氧化铝梯度膜，其掺杂有钆金属离子，所述氮氧化铝梯度膜中N和O的原子百分含量由靠近铝或铝合金基体向远离铝或铝合金基体的方向呈梯度增加该通过离子注入掺杂了钆金属离子的氮氧化铝梯度膜组成的复合膜层显著地提高了所述壳体的耐腐蚀性。本发明还提供了上述壳体的制造方法。
铝合金壳体及其制造方法

[发明专利]铝或铝合金的壳体及其制造方法-CN201110047553.9无效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;詹益淇;陈晓强 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：一种壳体，包括铝或铝合金基体，该壳体还包括依次形成于该铝或铝合金基体上的铝膜层和防腐蚀膜层，该防腐蚀膜层为氮氧化铝梯度膜，其掺杂有镧金属离子，所述氮氧化铝梯度膜中N和O的原子百分含量由靠近铝或铝合金基体向远离铝或铝合金基体的方向呈梯度增加该通过离子注入掺杂了镧金属离子的氮氧化铝梯度膜组成的复合膜层显著地提高了所述壳体的耐腐蚀性。本发明还提供了上述壳体的制造方法。
铝合金壳体及其制造方法

[发明专利]切削工具-CN202180035469.7在审
发明人：奥野晋;山西贵翔;引地将仁;小林史佳 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：一种切削工具，其具备基材和设置在上述基材上的覆膜，其中，上述覆膜包含：第一氧化铝层，其设置在上述基材上；钛化合物层，其设置在上述第一氧化铝层的正上方；以及第二氧化铝层，其设置在上述钛化合物层的正上方，在上述第一氧化铝层中，与上述钛化合物层邻接的部分形成界面区域，在上述第一氧化铝层中，不是上述界面区域的部分形成非界面区域，上述界面区域中的氮的含有比例为0.2at％以上且10.5at％以下，上述非界面区域中的氮的含有比例为0at％以上且0.15at％以下，上述钛化合物层包含与上述第一氧化铝层邻接的碳氮化钛的层。
切削工具

[发明专利]一种氮氧传感器用多孔氧化铝膜-CN202110197718.4在审
发明人：彭琛;雷运清 -专利权人：成都能斯特新材料科技有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮氧传感器用多孔氧化铝膜，包括金属保护壳、保护槽和导线，所述金属保护壳表面开设有保护槽，所述金属保护壳一侧固定连接有导线，所述保护槽内部固定连接有保护金属保护壳及其内部设备的多孔氧化铝膜，此氮氧传感器用多孔氧化铝膜通过安装多孔氧化铝层，不会对氮氧检测电流进行增强或者削弱，电流数值不会受到影响，保证氮氧检测器数据的准确性，方便尾气与氮氧检测感应器充分反应，能够直接观察内部仪器的使用情况，能够对损坏的仪器进行及时更换，保证氮氧检测器的正常使用，通过安装粘接层，粘接层所使用的无溶剂胶，不含有机溶剂，非常环保，不会对使用者身体产生危害，并且无溶剂胶粘接力强。
一种传感器用多孔氧化铝

[实用新型]一种氮氧传感器用多孔氧化铝膜-CN202120395720.8有效
发明人：彭琛;雷运清 -专利权人：成都能斯特新材料科技有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮氧传感器用多孔氧化铝膜，包括金属保护壳、保护槽和导线，所述金属保护壳表面开设有保护槽，所述金属保护壳一侧固定连接有导线，所述保护槽内部固定连接有保护金属保护壳及其内部设备的多孔氧化铝膜，此氮氧传感器用多孔氧化铝膜通过安装多孔氧化铝层，不会对氮氧检测电流进行增强或者削弱，电流数值不会受到影响，保证氮氧检测器数据的准确性，方便尾气与氮氧检测感应器充分反应，能够直接观察内部仪器的使用情况，能够对损坏的仪器进行及时更换，保证氮氧检测器的正常使用，通过安装粘接层，粘接层所使用的无溶剂胶，不含有机溶剂，非常环保，不会对使用者身体产生危害，并且无溶剂胶粘接力强。
一种传感器用多孔氧化铝

[发明专利]一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法-CN202211021069.3在审
发明人：江汉;程虎;徐洋洋;黎国昌;徐志军;卓昌正;王文君 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请提供一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法，所述LED芯片氧化铝氧化硅复合PSS衬底、复合缓冲层和LED结构层，其中，所述复合缓冲层外延生长在氧化铝氧化硅复合PSS衬底上，所述LED结构层外延生长在复合缓冲层上。所述复合缓冲层包括：氮氧化铝/氮化铝层和氮氧化硅层，所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化铝上由所述氮氧化铝/氮化铝层覆盖，所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化硅上由所述氮氧化铝/氮化铝层和氮氧化硅层交错间隔覆盖复合缓冲层在氧化铝和氧化硅材料上有更好厚度均匀性，并且可以更好缓冲氧化铝氧化硅复合PSS衬底到LED垒晶底层因材质不同引起的晶格失陪和应力释放，减少衔接层处的缺陷。
一种基于氧化铝氧化复合衬底 led 芯片及其制造方法

[发明专利]切削工具-CN202180035212.1在审
发明人：奥野晋;山西贵翔;引地将仁;小林史佳 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：一种切削工具，其具备基材和设置在上述基材上的覆膜，其中，上述覆膜包含：第一氧化铝层，其设置在上述基材上；钛化合物层，其设置在上述第一氧化铝层的正上方；以及第二氧化铝层，其设置在上述钛化合物层的正上方，在上述第一氧化铝层中，与上述钛化合物层邻接的部分形成界面区域，在上述第一氧化铝层中，不是上述界面区域的部分形成非界面区域，上述界面区域中的氮的含有比例为0.2at％以上且12at％以下，上述非界面区域中的氮的含有比例为0at％以上且0.15at％以下，上述钛化合物层包含与上述第一氧化铝层邻接的多层结构层，上述多层结构层由第一单位层和第二单位层构成，在上述多层结构层中，上述第一单位层以及上述第二单位层分别交替地层叠，上述第一单位层由碳氮化钛构成，上述第二单位层由碳氮氧化钛构成。
切削工具

[发明专利]一种透光性好的低铁玻璃-CN201711196311.X在审
发明人：廖春波 -专利权人：成都泰达玻璃制品有限公司
申请日： 2017-11-25 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B32B17/06 文献下载
摘要：一种透光性好的低铁玻璃，包括低铁玻璃本体，所述低铁玻璃本体为采用双层低铁超白玻璃，所述双层低铁超白玻璃之间设有空腔，所述双层低铁超白玻璃向光面的外侧涂覆有氮氧化铝膜层，所述氮氧化铝膜层的厚度为100—200nm，所述中空结构的内侧铺设有保温层，所述保温层与向光面的低铁超白玻璃之间涂覆有AR减反射膜层，所述AR减反射膜层的厚度为70—500nm，所述中空结构背光面的外侧涂覆有太阳能吸收层。在本发明的技术方案中，因为采用了低铁超白玻璃，透明度高，透光性强；因为设有氮氧化铝膜层，可有效保持自洁，延长使用寿命。
低铁超白玻璃低铁玻璃氮氧化铝膜层透光性涂覆减反射膜层中空结构保温层背光太阳能吸收层延长使用寿命自洁铺设透明度

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN201310710966.X在审
发明人：安田直树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体区；在所述半导体区上的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上的电荷存储层；在所述电荷存储层上的第二绝缘膜；以及在所述第二绝缘膜上的控制栅电极，其中，所述第二绝缘膜包含：与所述电荷存储层接触的底层之间的中间层（B），所述中间层（B）包含(SiO2)_x(Si₃N₄)_1-x，其中，0.75≤x≤1，所述底层（A）包含氧化铝、氮氧化铝、硅酸铝、氮化硅酸铝、氧化铪以及铝铪氧化物中之一，所述顶层（C）包含氧化铝、氮氧化铝、硅酸铝、氮化硅酸铝以及氮化硅中之一。
非易失性半导体存储器件

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