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[发明专利]一种高比表面积多孔氮掺杂石墨化纳米碳材料的制备方法-CN201310281968.1有效
发明人：付宏刚;孙立;田春贵;杨颖;阚侃;历美彤;尹婕;田国辉;陈亚杰 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种高比表面积多孔氮掺杂石墨化纳米碳材料的制备方法，本发明涉及碳材料的制备方法。本发明要解决现有技术制备氮掺杂石墨化纳米碳材料存在比表面积小、含氮量低、产率低、石墨化程度差和成本高的问题。本发明制备的高比表面积多孔氮掺杂石墨化纳米碳材料与现有的氮掺杂石墨化纳米碳纳米材料相比，石墨化程度提高、氮含量增加、比表面积显著增大，且具有明显的孔径分布。本发明用于制备高比表面积多孔氮掺杂石墨化纳米碳材料。
一种表面积多孔掺杂石墨纳米材料制备方法

[发明专利]一种氮掺杂石墨烯及其制备方法-CN201811374952.4在审
发明人：门毅;刘小林 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮掺杂石墨烯的制备方法，包括以下步骤：将三聚氰胺和氧化石墨烯分散液混合，进行水热反应，得到氮掺杂还原氧化石墨烯；将所述氮掺杂还原氧化石墨烯进行退火处理，得到氮掺杂石墨烯。本发明利用水热反应在还原氧化石墨烯的同时也可以有效的将氮掺杂至还原氧化石墨烯结构中；进行退火处理可以进一步的还原水热反应过程中未还原的含氧官能团，得到氮掺杂石墨烯。
还原氧化石墨烯氮掺杂石墨烯氮掺杂水热反应退火处理制备充放电循环性能分散液混合含氧官能团氧化石墨烯锂离子电池电极材料三聚氰胺比容量充放电还原水热反应石墨烯还原

[发明专利]一种聚苯胺氮掺杂碳泡沫、制备方法和应用-CN202210565504.2在审
发明人：肖抗;肖伯昊;林润潼;刘兆清 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明涉及水处理技术领域，具体公开了一种聚苯胺氮掺杂碳泡沫PANI/NCF复合材料、制备方法及应用，其制备方法的步骤为：将三聚氰胺高温煅烧形成氮掺杂碳泡沫NCF，清洗并干燥氮掺杂碳泡沫NCF，后将溶于质子酸的苯胺、氮掺杂碳泡沫NCF及引发剂在酸性条件下，冰水浴发生原位聚合，形成聚苯胺氮掺杂碳泡沫PANI/NCF复合材料。本发明将氮掺杂碳泡沫和聚苯胺进行原位聚合，形成的复合材料可以实现对阴阳离子有机污染物的高效去除，同时本发明形成的复合材料机械强度大、抗疲劳性能强，适用于废水处理。
一种苯胺掺杂泡沫制备方法应用

[发明专利]一种氮硼掺杂石墨相氮化碳量子点及其制备方法与应用-CN202011511908.0有效
发明人：田颖;井绪峰;王旭;陈唐涵;张军杰;雷若姗;黄飞飞;徐时清 -专利权人：中国计量大学上虞高等研究院有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C01B21/082 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮硼掺杂石墨相氮化碳量子点及其制备方法与应用，属于量子点制备技术领域。本发明先将含氮有机物和硼源混合经热分解得到硼掺杂石墨相氮化碳；然后将硼掺杂石墨相氮化碳与水混合进行充分分散，得到硼掺杂石墨相氮化碳粒径小且分散相对均匀的硼掺杂石墨相氮化碳分散液；再将氨水与硼掺杂石墨相氮化碳分散液混合进行水热反应，将氮掺杂进硼掺杂石墨相氮化碳中；最终所得的氮硼掺杂石墨相氮化碳量子点对三价铁离子的检测灵敏度高。
一种掺杂石墨氮化量子及其制备方法应用

[发明专利]氮碳掺杂金属氧化物的制备方法和氮碳掺杂金属氧化物-CN201910626132.8在审
发明人：黄宇;马美品;李海军;蔡惠群 -专利权人：银隆新能源股份有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及氮碳掺杂金属氧化物的制备方法和氮碳掺杂金属氧化物；上述氮碳掺杂金属氧化物的制备方法，包括将聚苯胺和N‑甲基吡咯烷酮混合，并添加MIL‑101(Fe)，制得PAN@MIL‑101(Fe)；将PAN@MIL‑101(Fe)煅烧；本发明的氮碳掺杂金属氧化物的制备方法制备的氮碳掺杂金属氧化物可以减轻充放电前后的体积变化，提高导电性，从而保证电极材料优异的储锂性能。
掺杂金属氧化物氮碳制备电池技术领域甲基吡咯烷酮导电性储锂性能电极材料体积变化充放电聚苯胺煅烧保证

[发明专利]硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法-CN201910567342.4有效
发明人：曾培源;沈健民;何占宇;李建稳;王帝 -专利权人：沈健民
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜的制备方法，通过将碳源、催化剂、硫源和氮源进行混合，然后混合液体注入管式炉内得到硫、氮双掺杂碳纳米管，最后制成薄膜。本发明利用CVD法，通过改变硫源、氮源的种类和用量，对硫、氮双掺杂碳纳米管的生长进行了调控，最终得到了高纯度的硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜；本发明所制备的硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜具有产量大、工艺简单等优点。
掺杂纳米薄膜及其制备方法

[发明专利]一种孔隙分布均匀的氮硫掺杂介孔碳电极材料的制法和应用-CN202011456224.5有效
发明人：夏新良 -专利权人：邯郸市华源炭素有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01G11/34 文献下载
摘要：本发明涉及超级电容器碳电极技术领域，且公开了一种孔隙分布均匀的氮硫掺杂介孔碳电极材料，以聚丙烯腈的氰基作为氮源，聚丙烯腈链端的接枝的巯基作为硫源，得到氮、硫共掺杂介孔碳，氮掺杂形成丰富的吡咯氮、吡啶氮和石墨氮，而吡咯氮和吡啶氮可以提供丰富的赝电容效应，从而提高介孔碳电极材料的实际比电容，而石墨氮可以提供碳基体的导电性能，加速电极反应中电荷的传输和迁移，而硫掺杂形成丰富的噻吩硫和氧化态硫结构，可以改善介孔碳基体的电化学活性位点和催化活性，使氮硫共掺杂介孔碳电极材料具有良好的双层电容、赝电容效应、表现出更高的实际比电容。
一种孔隙分布均匀掺杂介孔碳电极材料制法应用

[发明专利]一种一步原位制备氮含量和种类可调的掺杂石墨烯的方法-CN201510337459.5有效
发明人：韩杰才;宋波;李加杰;张宇民 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种一步原位制备氮含量和种类可调的掺杂石墨烯的方法，它涉及一种制备氮含量和种类可调控的掺杂石墨烯的方法。本发明的目的是要解决目前氮掺杂石墨烯制备工艺复杂，制备成本较高，难以工业化以及制备的氮掺杂石墨烯中氮元素含量和种类可控的问题，本发明方法为：将氮化碳放入一端密封的石英管中，在石英管开口端放置圆柱形石英堵头，将石英管转移至管式炉中，在惰性气氛保护下进行升温，保温，继续升温，并保温来调控氮掺杂石墨烯种氮元素含量和种类，即完成。本发明方法简单，环境友好，氮掺杂石墨烯种氮元素的含量和种类可控，可用于替代商业Pt/C作为氧还原催化剂，本发明应用于电池、光催化、催化氧化、气体传感器和药物输运领域。
一种一步原位制备含量种类可调掺杂石墨方法

[发明专利]一种一维氮掺杂碳囊泡、电池正极材料及其合成方法-CN201910682524.6有效
发明人：谭迎宾;李铮铮;徐丽敏;杨兵 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维氮掺杂碳囊泡，其为内部具有空腔的核壳结构，核壳结构呈棒状，一维氮掺杂碳囊泡的氮含量为1‑10wt％。此外，本发明还公开了一种电池正极材料，其包括上述的一维氮掺杂碳囊泡，其中核壳结构的空腔内填充有正极材料。另外，本发明还公开了一种上述的一维氮掺杂碳囊泡的合成方法，其包括步骤：将介孔二氧化硅模板和碳氮有机物研磨混合；研磨混合后的粉末置于保护气氛下进行升温加热；采用碱液搅拌以去除介孔二氧化硅模板，得到所述一维氮掺杂碳囊泡所述的一维氮掺杂碳囊泡具有较高的导电性和高的氮含量以及高比表面积，因而其可以在储能、催化、医药领域具有极好的应用前景。
一种一维氮掺杂碳囊泡电池正极材料及其合成方法

[发明专利]高效钨酸钴/氮掺杂石墨烯电催化剂及其制备方法-CN201810926954.3在审
发明人：聂祝平;黄然;丁伟伟;周伯昕 -专利权人：浙江大学台州研究院
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效钨酸钴/氮掺杂石墨烯电催化剂，包括钨酸钴和氮掺杂石墨烯片，所述钨酸钴负载在所述氮掺杂石墨烯片上。本发明还公开了一种高效钨酸钴/氮掺杂石墨烯电催化剂的制备方法，操作简单，原料绿色，成本低，产品制备周期短，并且重复性好。
氮掺杂石墨烯钨酸钴电催化剂制备产品制备

[发明专利]一种氮/硼/氟三元共掺杂碳纤维及其制备方法-CN201710190733.X在审
发明人：马建民;张丽兰;毛玉华;石桥;武明光 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： D01F9/22 文献下载
摘要：为进一步提高纳米碳材料的电催化性能，本发明提供一种氮/硼/氟三元共掺杂碳纤维，其中，氮含量为5‑20wt％，硼含量为5‑20wt％，氟含量为5‑20wt％。同时，本发明还公开了上述氮/硼/氟三元共掺杂碳纤维的制备方法。本发明提供的氮/硼/氟三元共掺杂碳纤维存在大量孔状结构，比表面积较大，同时由于氮/硼/氟三元掺杂，暴露更多活性位点，该氮/硼/氟三元共掺杂碳纤维具有优异的电催化性能。
一种三元掺杂碳纤维及其制备方法

[发明专利]氮掺杂石墨烯及其制备方法-CN201310054662.2无效
发明人：周明杰;钟辉;王要兵;刘大喜 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种氮掺杂石墨烯的制备方法，包括如下步骤：使用石墨制备氧化石墨；将氧化石墨加入到去离子水中，超声处理，然后加入吡咯超声混合，接着加入过硫酸铵，搅拌进行聚合反应10小时~20小时后，经过滤、清洗及干燥，得到氧化石墨烯-聚吡咯混合物；在无氧气氛中，将氧化石墨烯-聚吡咯混合物加热保温反应，经冷却，得到氮掺杂石墨烯。上述氮掺杂石墨烯的制备方法制备的氮掺杂石墨烯具有较高的的含氮量。此外，还涉及一种氮掺杂石墨烯。
掺杂石墨及其制备方法

[发明专利]一种氮掺杂石墨烯及其制备方法和应用-CN202011547437.9有效
发明人：谭强强;王鹏飞 -专利权人：中国科学院过程工程研究所;湖州中科绿色制造产业创新中心
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明提供一种氮掺杂石墨烯及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：(1)将石墨烯进行活化处理，得到活化石墨烯；(2)将步骤(1)得到的活化石墨烯、卤化剂和催化剂进行卤化反应，得到卤化石墨烯；(3)将步骤(2)得到的卤化石墨烯与氮置换剂进行反应，得到所述氮掺杂石墨烯。本发明提供的制备方法简单易行、工艺条件温和，且可有效控制氮掺杂石墨烯的碳氮键的键型，生成较多的吡啶氮，利于调节石墨烯的电子能带结构，同时可对氮掺杂量进行控制，适于规模化生产。本发明提供的氮掺杂石墨烯可用作锂离子电池的导电材料。
一种掺杂石墨及其制备方法应用

[发明专利]用于铜互连的钛掺杂钽基阻挡层及其制造方法-CN201110298197.8有效
发明人：康晓春;何朋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于铜互连的钛掺杂钽基阻挡层及其制造方法，所述钛掺杂钽基阻挡层包括钛掺杂钽氮薄膜和位于所述钛掺杂钽氮薄膜上的钛掺杂钽薄膜，其中所述钛掺杂钽氮薄膜中钛占钛钽总原子数的百分比为0.1％～2.2％；所述钛掺杂钽薄膜中钛占总原子数的百分比为0.1％～2.2％。相比于现有技术，作为铜互连的阻挡层由现有技术中的钽薄膜/钽氮薄膜组成的钽基阻挡层改变为钛掺杂钽薄膜/钛掺杂钽氮薄膜组成的钛掺杂钽基阻挡层，钛掺杂钽基阻挡层的制造方法是在形成阻挡层过程中，将靶材料从钽更改为钽钛固熔体
用于互连掺杂阻挡及其制造方法

[发明专利]宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法-CN200610127920.5有效
发明人：王晓亮;马志勇;胡国新;肖红领;冉军学;王翠梅;罗卫军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。
宽带氮化镓基异质结场效应晶体管结构制作方法

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