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[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710487764.1有效
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氧化铪介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710487776.4有效
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氧化铪介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488421.7有效
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氧化铪介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488977.6有效
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[实用新型]氮化镓半导体器件-CN201720740734.2有效
发明人：刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接本实用新型的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件

[发明专利]氮化镓自立基板、发光元件及它们的制造方法-CN201580001462.8有效
发明人：渡边守道;吉川润;七泷努;今井克宏;杉山智彦;吉野隆史;武内幸久;佐藤圭 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
氮化自立发光元件它们制造方法

[发明专利]低位错氮化镓的生长方法-CN201110332793.3无效
发明人：吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种低位错氮化镓的生长方法，包括如下步骤：步骤1：取一基板，该基板包括一衬底和制作在其上的氮化镓模板；步骤2：用腐蚀液腐蚀氮化镓模板的表面，在氮化镓模板的表面形成六角微坑；步骤3：在具有六角微坑的氮化镓模板的表面涂覆二氧化硅凝胶，将六角微坑覆盖，用甩胶机进行甩胶处理；步骤4：采用高温烧结使氮化镓模板上的二氧化硅凝胶固化；步骤5：用NaOH溶液处理，除去氮化镓模板11上微坑以外的二氧化硅凝胶；步骤6：再采用高温烧结，使六角微坑内的二氧化硅凝胶变成晶体；步骤7：在处理后的氮化镓模板上外延氮化镓材料，完成低位错氮化镓的生长。
低位氮化生长方法

[发明专利]一种透明的氮化镓基晶体管及其制备方法-CN202210419893.8在审
发明人：刘志宏;赵雪利;许淑宁;何佳琦;邢伟川;冯欣;杨伟涛;周瑾;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化镓的透明晶体管及其制备方法，该结构自下而上依次包括衬底层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的电极；其中衬底层采用透明材料，沟道层材料为氮化镓，势垒层材料为镓铝氮或铟镓氮，电极采用透明导电材料本发明提供了一种氮化镓基晶体管，通过选取可见光区间透明的材料制备晶体管，改善了结构的整体透光率，并提出了可行的制备方法，可将其应用于透明电子学领域。
一种透明氮化晶体管及其制备方法

[发明专利]一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法、制得的二维氮化镓膜-CN202110822741.8有效
发明人：于欣欣;张起瑞;吴长征;周扬;王大军;杨广 -专利权人：安徽泽众安全科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括以下步骤：将液态金属镓转移至衬底表面后形成金属镓膜；金属镓经过膜氧化即在衬底表面得到氧化镓膜；采用化学气相沉积法制备二维氮化硼膜；将二维氮化硼膜转移至氧化镓膜顶面，使氧化镓膜被二维氮化硼膜包覆得到硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物；将硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物放入含有氮源的环境中进行氮化处理，冷却后得到氮化镓膜。本发明的有益效果在于：本发明基于氮化硼的稳定性、绝缘性和对激子发光性能的促进作用，以二维氮化硼与衬底为模板，在二维氮化硼与衬底间限域性生长氮化镓，钝化氮化镓的高能面，形成稳定二维氮化镓结构。
一种二维氮化模板制备方法

[发明专利]氮化镓基异质结气敏传感器的制作方法-CN201410742712.0在审
发明人：唐健;宋金德;宋杰;董维胜;陆从相;刘成林;陈杰 -专利权人：盐城师范学院;江苏星峰光电科技有限公司;盐城泰克科技有限公司
申请日： 2014-12-01 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及材料结构设计和晶体外延生长领域，特别是一种氮化镓基异质结气敏传感器的制作方法，其特征在于：(1)在衬底上生长低温氮化镓成核层；(2)然后再生长非有意掺杂氮化镓高阻层；(3)然后在700℃～850℃的温度范围内生长一层铟镓氮插入层；(4)再生长很薄的低温氮化镓隔离层；(5)在低温氮化镓隔离层之上，生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层；(6)在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上，生长氮化铝插入层；(7)在氮化铝插入层上生长三层铝组分阶变的铝镓氮势垒层；(8)在1000℃～1100℃范围内生长非有意掺杂的氮化镓帽层。(9)在非有意掺杂的氮化镓帽层上淀积具有气敏传感特性的肖特基电极。
氮化镓基异质结气敏传感器制作方法

[发明专利]一种氮化镓半导体材料及其化学刻蚀方法-CN202211286389.1在审
发明人：刘德昂 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓半导体材料及其化学刻蚀方法，包括以下步骤：（1）、将氮化镓材料进行ICP‑RIE刻蚀；（2）、在2wt%‑30wt%的四甲基氢氧化铵溶液中加入0.01wt%的聚乙二醇辛基苯基醚，配成刻蚀液；（3）、将经过ICP‑RIE刻蚀的氮化镓材料放入刻蚀液中加热至30℃‑100℃进行化学刻蚀，加热时间是30min；（4）、在进行化学刻蚀的同时采用紫外光以30mW/cm2光强照射氮化镓材料和刻蚀液，增加刻蚀速度；（5）、取出氮化镓材料，用纯水冲洗并甩干。
一种氮化半导体材料及其化学刻蚀方法

[发明专利]基于直接键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管制备方法-CN202010617072.6有效
发明人：吴立枢;孔月婵;郭怀新 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直接键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管制备方法，包括：清洗碳化硅基氮化镓圆片和临时载片；碳化硅基氮化镓圆片与临时载片正面相对临时键合；去除碳化硅基氮化镓圆片的碳化硅衬底；清洗氮化镓外延层；在氮化镓外延层表面和金刚石衬底表面分别蒸发金属层；利用氩原子束对氮化镓外延层与金刚石衬底表面的金属层进行轰击并完全去除掉金属层，并进行键合；去除液分离金刚石基氮化镓与临时载片；在金刚石基氮化镓正面制备晶体管本发明利用直接键合工艺将氮化镓外延层与金刚石衬底结合在一起，减少了对氮化镓外延层损伤的风险，同时减少了低热导率键合材料的引入，可进一步提高金刚石对氮化镓晶体管的散热效果。
基于直接工艺金刚石氮化晶体管制备方法

[发明专利]集成热电式传感器的功率电子部件-CN202180009688.8在审
发明人：纪尧姆·萨韦利;C·布莱恩;勒内·埃斯科菲耶;马克·普利索尼耶 -专利权人：原子能与替代能源委员会
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：一种电子部件(365)，包括载体(10)、设置在载体上的热电式传感器(350)和功率晶体管(355)，功率晶体管包括基层(20)，基层包含选自氮化镓、氮化铝镓、砷化镓、镓铟、氮化镓铟、氮化铝、氮化铝铟及其混合物的晶体管材料
集成热电传感器功率电子部件

[发明专利]基于六方氮化硼和氮化铝在金刚石衬底上生长氮化镓的方法-CN201911003262.2有效
发明人：宁静;刘起显;王东;张进成;贾彦青;闫朝超;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，特别涉及一种氮化镓的生长方法，主要解决现有技术中外延生长氮化镓材料质量差的问题。其实现方案是：1)在硅片上通过微波等离子体化学气相淀积MPCVD生长金刚石衬底；2)通过金属有机物化学气相淀积MOCVD方法在金刚石衬底上生长六方氮化硼过渡层；3)采用光刻与刻蚀工艺对六方氮化硼过渡层进行图形化；4)采用电化学沉积方法在图形化的六方氮化硼过渡层上沉积氮化铝；5)采用金属有机物化学气相淀积MOCVD方法在覆盖了图形化的六方氮化硼和氮化铝的金刚石衬底上依次外延生长低温氮化镓层和高温氮化镓层。本发明提高了氮化镓材料的质量，可用于制作氮化镓薄膜及其器件。
基于氮化金刚石衬底生长方法

[发明专利]一种生长氮化镓系薄膜的复合衬底及其制备方法和应用-CN201210393338.9无效
发明人：庄文荣;孙明 -专利权人：江苏汉莱科技有限公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种生长氮化镓系半导体薄膜的复合衬底及其制备方法和其应用，本方法通过在MOCVD磊晶生长氮化镓系薄膜前对传统的磊晶衬底即本发明所述的衬底，进行溅射镀膜处理，形成与氮化镓系薄膜更为匹配的复合衬底材料，用于生长氮化镓薄膜。
一种生长氮化薄膜复合衬底及其制备方法应用

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