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[发明专利]一种立方氮化硼的制备方法-CN201811539003.7在审
发明人：苗中正 -专利权人：盐城师范学院
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：本发明提供一种立方氮化硼的制备方法。以氨基钠和氟硼酸铵作为反应前驱体，海绵状的镍做催化剂，加热反应得到三方氮化硼；将三方氮化硼和触媒材料进行充分混合，压制成圆柱状，放入顶压机高温高压处理，采用酸碱提纯即可得到立方氮化硼。本发明所公开的方法以ABC方式排列的三方氮化硼为原料制备立方氮化硼，可提升转化率、降低原料浪费，具备制备简单、成本低、易于工业化批量生产的特点。
立方氮化硼氮化硼制备工业化批量生产高温高压处理反应前驱体充分混合触媒材料氟硼酸铵加热反应原料制备氨基钠顶压机海绵状圆柱状提纯放入镍做酸碱催化剂压制

[发明专利]一种超声剥离六方氮化硼的方法-CN202011280218.9在审
发明人：虞锦洪;赵夙;王梦杰;侯肖;周瑜婷;于磊;褚伍波;林正得;江南 -专利权人：宁波材料所杭州湾研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本申请公开了一种超声剥离六方氮化硼的方法，所述方法包括以下步骤：将含有六方氮化硼粉体的混合水溶液Ⅰ进行超声处理，得到六方氮化硼纳米片。与现有的超声剥离法相比，本发明用水替代了有机溶剂，无需添加剂，利用超声波在水相里产生的强烈的空化效应，克服六方氮化硼原子层之间的范德华力和离子键性质的作用力，进而提高六方氮化硼纳米片的产率，实现六方氮化硼纳米片的制备规模化
一种超声剥离氮化方法

[发明专利]一种氮化硼纳米片复合低介电高导热硅胶垫片及其制备方法-CN202310686658.1在审
发明人：李晓丰;杨妍;周彬;秦显营;李宝华 -专利权人：深圳石墨烯创新中心有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硼纳米片复合低介电高导热硅胶垫片及其制备方法，具体涉及复合材料技术领域。所述方法包括氮化硼纳米片表面修饰、氮化硼纳米片复合导热粉体的制备和氮化硼纳米片复合导热硅胶垫片的制备。本发明制备的高导热硅胶垫片中的氮化硼纳米片具有自润滑性，可降低混合和分散过程对设备腔体的磨耗，提高生产设备的使用寿命；氮化硼纳米片的引入，亦能改善成品外观、品质和长期使用稳定性。
一种氮化纳米复合低介电高导热硅胶垫片及其制备方法

[发明专利]一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法-CN201410051811.4有效
发明人：周智;胡颖;单欣岩;陆兴华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G01N27/403 文献下载
摘要：本发明涉及基于固态纳米孔的分子或离子探测技术领域，尤其涉及一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法。氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，包括基材，以及设置在基材上的氮化硼薄膜，所述氮化硼薄膜上设置有纳米孔，所述基材上设置有与所述纳米孔连通的通孔。本申请通过在原子层厚度的氮化硼薄膜上设置纳米孔，且经过处理后的氮化硼薄膜具有良好的亲水性，进而提高了纳米孔传感器的亲水性。
一种氮化纳米传感器及其制造方法

[发明专利]一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法-CN201811422281.4有效
发明人：梁宝岩;张旺玺;王文科;许广存 -专利权人：中原工学院
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硼材料领域，特别是指一种氧化石墨烯作为模板制备纳米六方氮化硼颗粒的方法。本发明基于氮化硼的有机物前驱体法，该方法优化制备工艺，以硼酸、三聚氰铵以及氧化石墨烯为原料，在溶液状态下反应，获得前驱体，前驱体和石墨烯充分复合，在随后的热处理过程中，石墨烯的存在抑制了氮化硼晶粒的长大，从而得到纳米氮化硼粉体。最后，通过空气中氧化石墨烯，得到单相氮化硼粉末。
一种氧化石墨作为模板制备纳米氮化颗粒方法

[发明专利]一种具有立方氮化硼、纤锌矿型氮化硼和金刚石的超硬材料及其制备方法-CN201510521165.8有效
发明人：许洪新;刘旭辉;荒木正任;戴文久;刘俊生;肖攀;龙芸芸;邹广田 -专利权人：珠海市钜鑫科技开发有限公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： B22F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有立方氮化硼、纤锌矿型氮化硼和金刚石的超硬材料，包括聚晶层和硬质合金层，聚晶层烧结在硬质合金层上，聚晶层由纤锌矿型氮化硼、立方氮化硼和金刚石组成。本发明还公开了该超硬材料的制备方法，将纤锌矿型氮化硼在高压、高温条件下转化成立方氮化硼，最终形成烧结体。所得超硬材料的硬度高于金刚石，可以制成各种切削工具、拉丝工具和研磨工具。
一种具有立方氮化锌矿金刚石材料及其制备方法

[发明专利]场发射阴极及其制备方法-CN201911258955.6有效
发明人：洪序达;梁栋;郑海荣 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供了一种场发射阴极的制备方法，包括以下步骤：提供导电基板；配置六方氮化硼纳米片分散液，在所述导电基板上沉积所述六方氮化硼纳米片分散液，干燥后形成六方氮化硼纳米片薄膜，得到含有六方氮化硼纳米片薄膜的基板；提供阳极，以所述含有六方氮化硼纳米片薄膜的基板作为阴极，并将所述阴极接地处理；将所述阴极和所述阳极置于真空环境中，对所述阳极施加电压逐渐升高的正向电压，直至发生打火现象，得到六方氮化硼纳米片场发射阴极
发射阴极及其制备方法

[发明专利]高填充量六方氮化硼纳米片/纤维/聚合物块状复合材料及制备方法-CN202010396219.3有效
发明人：薛彦明;付坤;杨靖文;翟庆洪;唐成春 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明为高填充量六方氮化硼纳米片/纤维/聚合物块状复合材料及制备方法，包括六方氮化硼纳米片、纤维以及聚合物基体；所述纤维连接所处不同叠层的所述六方氮化硼纳米片，形成六方氮化硼纳米片‑纤维杂化填料网络；六方氮化硼纳米片与纤维之和占总物质质量的通过在聚合物基体中构建高比例填充的六方氮化硼纳米片/纤维三维网络，所述复合材料具有良好的加工性，并具有优异的力学性能。
填充量六方氮化纳米纤维聚合物块状复合材料制备方法

[发明专利]氮化硼团聚体、其生产方法及其用途-CN201180054277.7有效
发明人：马丁·恩格勒;克里希纳·乌伊贝尔;延斯·艾克勒 -专利权人： ESK陶瓷有限两合公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C04B35/583 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硼团聚体，其包含以一种择优取向相互团聚的薄层状六方氮化硼一次颗粒，所述团聚体成型为片状。本发明还涉及一种制备所述氮化硼团聚体的方法，其特征在于，薄层状六方氮化硼一次颗粒通过如下方式团聚：它们以一种择优取向相互排列在一起。根据本发明的所述的片状团聚体是用于聚合物的合适填料，用于制造聚合物-氮化硼复合体，以及用于氮化硼烧结体的热压。
氮化团聚生产方法及其用途

[发明专利]一种六方氮化硼薄膜的超快制备方法-CN202210573345.0有效
发明人：任文才;周天亚;徐川;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明涉及六方氮化硼薄膜制备领域，具体为一种六方氮化硼薄膜的超快制备方法，适于六方氮化硼薄膜的高效制备。本发明通过将高温的金属硼化物基体在液氮中快速冷却(淬火)，在淬火过程中液氮被催化裂解为活性的氮原子，然后与基体表面的硼原子反应生长出六方氮化硼薄膜。本发明制备工艺简单，效率高，成本低，可控性好，可批量制备六方氮化硼薄膜，为六方氮化硼薄膜在电子器件、防腐与耐磨涂层、热管理以及离子输运等领域的应用奠定了基础。
一种氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种具有平面取向的氮化硼膜及其制备方法、包含其的氮化硼复合膜、热界面材料和应用-CN201911234121.1有效
发明人：曾小亮;易鸣明;孙蓉;许建斌;韩猛;叶振强 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硼膜及其制备方法、包含其的氮化硼复合膜、热界面材料和应用，所述氮化硼膜由二维氮化硼纳米片组成，具有平面取向。本发明的热界面材料具有较高的导热性能以及优异的机械性能。
一种具有平面取向氮化及其制备方法包含复合界面材料应用

[发明专利]一种基于大长径比氮化硼纳米片、高导热绝缘复合材料及其制备方法-CN202011583249.1有效
发明人：颜庆伟;林正得;代文;高靖尧;谭雪;吕乐 -专利权人：宁波材料所杭州湾研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化硼纳米片，所述氮化硼纳米片横向尺寸介于1～15μm之间，厚度介于1～10nm之间，长径比介于600～2000之间。所述氮化硼纳米片的制备方法、以及所述氮化硼纳米片与高分子基体形成的绝缘复合材料。
一种基于长径氮化纳米导热绝缘复合材料及其制备方法

[发明专利]活化氮化硼的方法-CN200880017888.2有效
发明人：阿拉舍·摩法卡米 -专利权人：塞拉姆氢技术公司
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01M8/10 文献下载
摘要：本发明涉及活化氮化硼的方法，所述方法包括以下步骤：i)将氮化硼暴露(1)于使得能够提供-OH羟基和/或H3O+的流体中并在氮化硼中产生(2)B-OH键和/或NH2键，以及ii)除去所述流体并回收(4)活性氮化硼
活化氮化方法

[发明专利]一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法、制得的二维氮化镓膜-CN202110822741.8有效
发明人：于欣欣;张起瑞;吴长征;周扬;王大军;杨广 -专利权人：安徽泽众安全科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括以下步骤：将液态金属镓转移至衬底表面后形成金属镓膜；金属镓经过膜氧化即在衬底表面得到氧化镓膜；采用化学气相沉积法制备二维氮化硼膜；将二维氮化硼膜转移至氧化镓膜顶面，使氧化镓膜被二维氮化硼膜包覆得到硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物；将硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物放入含有氮源的环境中进行氮化处理，冷却后得到氮化镓膜。本发明的有益效果在于：本发明基于氮化硼的稳定性、绝缘性和对激子发光性能的促进作用，以二维氮化硼与衬底为模板，在二维氮化硼与衬底间限域性生长氮化镓，钝化氮化镓的高能面，形成稳定二维氮化镓结构。
一种二维氮化模板制备方法

[发明专利]一种氮化硼纳米管增韧氮化硅陶瓷的方法及其制备的产品-CN201810030536.6在审
发明人：骆丽杰;陈拥军;李天峰 -专利权人：海南大学
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种氮化硼纳米管增韧氮化硅陶瓷的方法，包括：(1)称取原料，基于所述原料的总质量，所述原料包括：88.8‑90％的α‑氮化硅，0.1‑1.2％的氮化硼纳米管，2‑8％的氧化铝，2‑8％的氧化钆；(2)将除氮化硼纳米管外的其它原料球磨指定时间后，再将氮化硼纳米管加入继续球磨，将到混合浆料；(3)将所述混合浆料经干燥、过筛后装入模具中，在惰性气氛中进行热压烧结。本发明提供的氮化硼纳米管增韧氮化硅陶瓷的方法，将氮化硼纳米管作为增韧相引入到氮化硅基体中，显著地提高了氮化硅陶瓷的断裂韧性。
氮化硼纳米管氮化硅陶瓷增韧混合浆料氮化硅基体断裂韧性热压烧结氮化硅氧化钆原料球增韧相氧化铝称取过筛球磨制备模具装入引入