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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

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2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电动汽车用高容量铅酸蓄电池的纳米硅胶体电解质-CN200910010619.X无效
发明人：于文学;张为宏;胡秀东;于洪涛 -专利权人：于文学
申请日： 2009-03-10 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01M10/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种电动汽车用高容量胶体密封免维护铅酸蓄电池的一种纳米硅胶体电解质产品的生产工艺，其特征是组分如下：纳米二氧化硅、分析纯硫酸、聚丙烯酰胺、硅酸钠、硫酸钠、无水乙醇及高纯水。有机物与催化剂的介入提高了离子迁移的速度，使之成为一种高性能的纳米硅胶体电解质，其主要由纳米二氧化硅的硅氧键形成了骨架，它的小分子效应形成了几维乃至多维的离子迁移的通道，从而达到了降低内阻，提高容量的效果本发明使用的硅酸钠经过特殊工艺处理后，其二氧化硅粒径控制在1～100纳米之间，胶体的凝胶时间可以根据需要人为控制，避免了凝胶后灌注难以发挥其特性的弊病，胶体的包容性解决了电解液分层影响蓄电池寿命的顽疾，
电动汽车容量蓄电池纳米硅胶电解质

[发明专利]高强度耐磨高透光聚碳酸酯薄膜-CN201310179281.7无效
发明人：林峰;徐浩;林楚越 -专利权人：上海冠旗电子新材料股份有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C08J7/06 文献下载
摘要：一种高强度耐磨高透光聚碳酸酯薄膜，包括聚碳酸酯制成的基材，所述基材为厚度0.025mm～0.25mm的片或薄膜，所述片或薄膜的上、下两个表面中至少有一面喷涂一层由紫外线干燥固化的纳米二氧化硅，单面平均喷涂厚度为1~100μm，所述纳米二氧化硅的粘度为18~38MPa·s，粒径分布为0.1μm~0.5μm的分体粒子大于99%，比表面积25~100m2/g。本发明高强度耐磨高透光聚碳酸酯薄膜在聚碳酸酯的表面喷涂并用紫外线干燥固化了一层纳米二氧化硅，在不影响到薄膜的透光性的前提下，提高了薄膜的强度和拉伸延展性，并使得耐磨性和光洁度得到改善，使得该薄膜的用途更加广泛
强度耐磨透光聚碳酸酯薄膜

[发明专利]零偏4H-SiC衬底上的同质外延方法-CN201310077087.8无效
发明人：王悦湖;孙哲;张玉明;张义门;吕红亮 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种零偏4H-SiC衬底上的同质外延方法，主要解决现有技术对材料的浪费的问题并且提高了SiC外延层质量，其实现步骤是：先将碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，3.75mL/min的SH4，并保持30分钟；将SiH4逐渐增至15mL/min，将C3H8的流量逐渐增至3mL/min，生长外延层；生长结束后，在氢气流中冷却；最后向反应室充入氩气至常压，取出长有碳化硅外延层的衬底本发明制备的碳化硅外延层继承了衬底的晶型，表面平整，结晶完整性好，消除了4H-SiC同质外延层中的基面位错，可用于SiC的器件制造。
sic 衬底同质外延方法

[发明专利]新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏及其制造方法-CN201210298943.8无效
发明人：曹晓星 -专利权人：深圳市宝明科技股份有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏及其制造方法，所述新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏包括透明基板，依次层叠于透明基板的二氧化硅层、五氧化二铌层、黑色树脂层、ITO电极、绝缘层；所述的二氧化硅层为整面覆盖玻璃，五氧化二铌层为整面覆盖住二氧化硅层；所述的ITO电极为水平方向或垂直方向导通电极，具有规则图形结构；ITO电极为ITO导通电极1与ITO导通电极2组成，ITO导通电极1与ITO导通电极2在同一层面，相互独立
新型 ito 层非搭接一体式电容触摸屏及其制造方法

[发明专利]一种高稳定性纳米二氧化硅溶胶镀膜液的制备方法-CN201210379725.7无效
发明人：陈娟 -专利权人：彩虹集团公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：一种高稳定性纳米二氧化硅溶胶镀膜液的制备方法，首先将金属醇盐：溶剂：水：催化剂：水解速度控制剂：成膜控制剂按质量百分比为5～30:47～85：1～5：0.5～2:3～10：5～12配备，然后将溶剂均分成两份PH值为9～11的碱性硅溶胶，随后将水解控制剂加入，混合搅拌后倒入三口瓶中，冷凝回流后，均匀滴加成膜剂，得到有添加剂的溶胶样品，最后将溶胶样品用PH值调节剂将PH值调节至5～6；在弱酸条件下，纳米二氧化硅溶胶的稳定性大幅提高，延长溶胶的有效使用时间和保存时间，解决了现有碱性纳米二氧化硅溶胶因稳定性差引起凝胶化时间短的问题。
一种稳定性纳米二氧化硅溶胶镀膜制备方法

[发明专利]氟化钙的生产方法-CN200610106969.2无效
发明人：李世江;侯红军;杨华春;皇甫根利;于贺华;闫春生;张梅 -专利权人：多氟多化工股份有限公司
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C01F11/22 文献下载
摘要：以氟硅酸和氧化钙为原料，包括以下步骤：(1)将氟硅酸溶液和氧化钙反应10～60分钟，反应结束后，过滤得到氟硅酸钙固体；(2)将氟硅酸钙在200～600℃的温度下分解1～5小时，生成氟化钙固体产品和四氟化硅气体；(3)将四氟化硅气体用水吸收并水解，过滤得到的氟硅酸溶液返回去制氟硅酸钙，二氧化硅固体经洗涤、干燥得到白炭黑。
氟化钙生产方法

[发明专利]一种新型的二氧化硅包覆碳纳米管的方法-CN200810040009.X无效
发明人：邓小勇;焦正;陈雯婷;栾启夏;李玲;叶张梅;刘振;倪庆顺;蔡正伟 -专利权人：上海大学
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化硅包覆碳纳米管的方法。其中多壁碳纳米管与混合液的质量比为1∶5～1∶10；调节步骤b所得溶液的pH＝8.5－9.5，室温搅拌24小时，在前10个小时内每隔2小时超声1分钟；反应结束后，离心弃上清液，用无水乙醇洗涤，干燥后即得二氧化硅包覆的碳纳米管该法的优点是：①包覆效果好，可在碳纳米管表面获得较均匀单一的SiO₂包覆层；②操作简单，工艺流程少；③二氧化硅包覆层厚度可调节，经包覆的碳纳米管具有更加广泛的用途。
一种新型二氧化硅包覆碳纳米方法

[发明专利]高分子复合门制造方法-CN200710151614.X无效
发明人：赵俊江 -专利权人：赵俊江
申请日： 2007-09-25 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： B28B15/00 文献下载
摘要：，具体地说，是一种高分子复合门制造方法，生产高分子复合门产品所用基本原料由细料、粗料、锁孔及合页处用料、活性剂和玻璃纤维布五部分构成；按质量比计算，细料配方为氧化镁100、氯化镁溶液80－100、二氧化硅10、植物秸秆粉沫5－10；粗料配方为氧化镁100、氯化镁溶液100、二氧化硅10、植物秸秆粉末60；锁孔及合页处用料配方为氧化镁100、氯化镁溶液60－70、二氧化硅20、白乳胶10－15、破碎玻璃纤维布适量
高分子复合门制造方法

[发明专利]一种提高倒装焊芯片亮度的方法-CN200610030770.6无效
发明人：冯雅清;叶国光;应华兵;章加奇 -专利权人：上海蓝宝光电材料有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高倒装焊芯片亮度的方法，其特征在于，将高反射率的金属镀在原来金属电路及吸光的金球上，其方法为：首先用热反应炉使硅基板表面氧化，生成一层二氧化硅，用曝光机光刻出图形，将不需要部分二氧化硅用1％～30％氢氟酸缓冲溶液蚀刻掉，用蒸镀机蒸镀上一层高反射率的金属于二氧化硅层上，用硝酸铁混合溶液蚀刻出占硅基板的表面面积百分比在40％～95％的相邻两块正负极；其次用植球机在两块正负极表面分别植上金球
一种提高倒装芯片亮度方法

[发明专利]以多壁碳纳米管为模版制备二氧化硅纳米管的方法-CN200810040010.2无效
发明人：邓小勇;吴明红;栾启夏;陈雯婷;刘振;叶张梅;李玲;蔡正伟 -专利权人：上海大学
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种以多壁碳纳米管为模版制备二氧化硅碳纳米管的方法。1∶5～1∶10；调节步骤2所得溶液的pH＝8.5－9.5，室温搅拌24小时，在前10个小时内每隔2小时超声1分钟；反应结束后，离心弃上清液，用无水乙醇洗涤，干燥后在800℃温度下煅烧3小时，即得二氧化硅纳米管本发明制备的二氧化硅纳米管成管率高，形状完整，管壁平滑，无明显缺陷，并可控制管壁厚度。
多壁碳纳米模版制备二氧化硅方法

[发明专利]纳米活化水杯及其制作工艺-CN200310109186.6无效
发明人：朱星河 -专利权人：朱星河
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米活化水杯及其制作工艺，在杯体内表面涂覆由氧化锌、氧化硅、氧化锶、氧化锝、聚四氟乙烯(或釉)、景德镇高岭土、纳米远红外材料混合物制成的胶状物。各组份配比为：氧化锌10－20份、氧化硅15－30份、氧化锶4－15份、氧化锝5－15份、聚四氟乙烯(或釉)40－50份、景德镇高岭土1－2份、纳米远红外材料3－30份。具体制作工艺如下：将氧化锌、氧化硅、氧化锶、氧化锝、聚四氟乙烯(或釉)、景德镇高岭土、纳米远红外材料混合物进行研磨，粒度均要求在10nm－1μm，将混合物送于喷枪，经高温熔化，均匀喷涂于杯体内表面。
纳米活化水杯及其制作工艺

[发明专利]聚酯瓶及其制备方法-CN200510038013.9无效
发明人：田兴友;郑瑾;刘文涛;张献;崔平;李勇 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2005-03-04 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： C08L67/00 文献下载
摘要：瓶主要组成为聚合物，特别是聚合物中含二氧化硅纳米粒子，该粒子与聚合物间的重量百分比为0.1～10％比90～99.9％、且两者间为核、壳结构，其以Si－O－C化学键相连接；方法包括用常规法获得聚合物的单体、表面含有活性Si－OH键的二氧化硅纳米粒子，以及瓶坯的制备和吹塑成型，完成步骤为：1)将聚合物单体的二元酸和二元醇与二氧化硅纳米粒子在温度220～250℃、压力0.2～0.4MPa下搅拌80～100分钟得混合物
聚酯瓶及其制备方法

[实用新型]一种架空阻燃屏蔽电缆-CN201520078365.6有效
发明人：金玲 -专利权人：金玲
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本实用新型所采用的技术解决方案是一种架空阻燃屏蔽电缆，包括填充绳、芯线、金属铠装层、护套、陶瓷化硅橡胶层、第2聚四氟乙烯绝缘层、耐老化电缆护套和阻燃涂覆层，所述的芯线包括镀锡铜丝绞束、铜包层和第1聚四氟乙烯绝缘层，所述的镀锡铜丝绞束外挤包有铜包层，所述的铜包层外绕包有第1聚四氟乙烯绝缘层；所述的芯线设置有金属铠装层，所述的芯线与金属铠装层之间填充有填充绳；所述的金属铠装层外绕包有陶瓷化硅橡胶层，所述的陶瓷化硅橡胶层外挤包有第
一种架空阻燃屏蔽电缆

[实用新型]一种日夜两用型滤光片的膜系结构-CN201520545208.1有效
发明人：吴险峰;吕涛;赵年宏;孙怀张 -专利权人：上海巨煌光电科技有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：，滤光膜包括依次镀在玻璃基板上的第一低折射率膜层、主膜系、高折射率膜层和第二低折射率膜层，主膜系由高折射率膜层和第三低折射率膜层交替组成，主膜系的总层数为82层，第一低折射率膜层为115nm厚度的二氧化硅膜层，第二低折射率膜层为75.11nm厚度的二氧化硅膜层，高折射率膜层是光学厚度为1/4λ的五氧化三钛膜层，第三低折射率膜层是光学厚度为1/4λ的二氧化硅膜层。
一种日夜两用滤光结构

[实用新型]N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件-CN201320226137.X有效
发明人：包健;杨同春 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件，其中，本征非晶硅钝化层沉积在N型晶体硅衬底的正面上；重掺杂P型非晶硅层沉积在本征非晶硅钝化层的上表面上；正面透明导电膜层沉积在重掺杂P型非晶硅层的上表面上；正面电极层位于正面透明导电膜层的上表面上，并且通过该正面透明导电膜层与重掺杂P型非晶硅层电性连接；N型掺氢晶化硅层沉积在N型晶体硅衬底的背面上；重掺杂N型非晶硅层沉积在N型掺氢晶化硅层的下表面上；背面透明导电膜层沉积在重掺杂
型掺氢晶化硅钝化异质结太阳能电池器件

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