专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]掺铊碘化铯薄膜表面缺陷处理方法-CN201310269684.0有效
  • 刘爽;郭丽娜;张红柳;陈静;钟智勇 - 电子科技大学
  • 2013-06-28 - 2013-09-18 - C30B33/02
  • 本发明公开了一种掺铊碘化铯薄膜表面缺陷处理方法。本发明的技术方案是,掺铊碘化铯薄膜表面缺陷处理方法,包括以下步骤:a、将掺铊碘化铯薄膜放入热风循环干燥箱;b、在热风循环干燥箱中充氮气,排出箱内气体,使箱内形成洁净的环境;c、设定箱内温度为20~50℃(请给出一个范围),利用鼓风系统驱动箱内氮气循环,保证箱内温度均匀;d、达到设定时间,取出掺铊碘化铯薄膜。本发明处理过程简便,无需外加其他措施改变薄膜结构,处理后的样品孔洞、间隙等微小缺陷消失,薄膜的连续致密性和表面结构明显变好,对提高掺铊碘化铯薄膜的连续致密性和空间分辨率等性能有很重要的意义。
  • 碘化薄膜表面缺陷处理方法
  • [发明专利]化铯纳米晶及其制备方法和应用-CN201810573441.9有效
  • 权泽卫;宋伟东;吴晓彤 - 南方科技大学
  • 2018-06-06 - 2021-11-09 - C09K11/61
  • 本发明涉及量子点技术领域,具体提供一种碘化铯纳米晶及其制备方法。所述碘化铯纳米晶的制备方法至少包括以下步骤:在165~195℃下将铯源前躯体溶液与碘源前躯体溶液反应5~12min,反应结束立即淬冷处理,获得碘化铯纳米晶;所述铯源前躯体溶液、碘源前躯体溶液均不溶解有氧分子所述制备方法合成了不同形貌的离子型碘化铯纳米晶,而且获得的碘化铯纳米晶没有其他相或者杂质,也没有副产物的存在,纯度高达99.9%及以上,比其块体材料更好的光学转换能力和效率,同时也能在一定程度上弥补块体闪烁体材料在反应时间上比较慢的不足之处
  • 碘化纳米及其制备方法应用
  • [发明专利]无放射性低阻电极敏感玻璃-CN98111243.9无效
  • 仓东卿;张秀成 - 中国科学院南京土壤研究所
  • 1998-04-13 - 1999-10-20 - C03C3/076
  • 本发明公开了一种无放射性低阻电极敏感玻璃,由二氧化硅,碱金属氧化物,玻璃结构调整剂和玻璃电阻调整剂组成,所述碱金属氧化物为氧化锂或氧化钠,所述玻璃结构调整剂和玻璃电阻调整剂为氧化氧化镧、氧化铅及氧化钇的混合物,或者为氧化铝、氧化钐、氧化锗及氧化铊的混合物。氧化铅和氧化钇或者氧化钐、氧化锗和氧化铊作为玻璃网络改良剂代替了部分二氧化硅,既改善了敏感玻璃的结构,又增加了搬运电荷的载流子。
  • 放射性电极敏感玻璃

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