|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 4932756个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]绝缘膜的改性方法-CN201110303695.7无效
-
大﨑良规;高桥哲朗;前川浩治
-
东京毅力科创株式会社
-
2011-09-29
-
2012-05-09
-
H01L21/28
- 抑制由从通过等离子体氮化处理所形成的氧化氮化硅膜的N脱落造成的膜中氮浓度的降低，将被处理体间、组间的氮浓度的波动降到最小限度。绝缘膜的改性方法中，进行对在被处理体的表面露出的氧化硅膜进行等离子体氮化处理，形成氧化氮化硅膜的氮化处理工序，和对上述氧化氮化硅膜的表面进行氧化处理的改性工序，从氮化处理工序结束到上述改性工序开始之间，另外，在将氮化处理工序刚结束后的氧化氮化硅膜的膜中氮浓度设为NC0、将改性工序后的氧化氮化硅膜的膜中氮浓度的目标值设为NCT时，进行等离子体氮化处理使得NC0＞NCT。
- 绝缘改性方法
- [发明专利]氧化膜形成方法-CN02809018.7无效
-
菱屋晋吾;秋山浩二;古泽纯和;青木公也
-
东京毅力科创株式会社
-
2002-02-28
-
2004-08-04
-
H01L21/316
- 一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶片的表面上形成保护氧化膜；氧化膜形成工序是在减压条件下以规定温度对晶片进行氧化处理，形成氧化膜。氧化膜形成工序最好是在进行前处理工序的反应容器内和前处理工序连续进行。前处理工序最好在比氧化膜形成工序的温度低的温度下进行，而且，最好是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行。根据该氧化膜形成方法，可形成良好的晶体管元件的栅极绝缘膜。
- 氧化形成方法
- [发明专利]铌固体电解电容器的制造方法-CN200980129545.X有效
-
中村英则;涩谷义纪
-
昭和电工株式会社
-
2009-07-28
-
2011-06-29
-
H01G9/052
- 本发明了提供了一种铌固体电解电容器的制造方法，包含使用铌作为阳极体，对上述阳极体进行化学转化处理的工序，上述化学转化处理工序包含：形成上述阳极体的化学转化皮膜的第一化学转化处理工序；对第一化学转化处理后的阳极体进行热处理的热处理工序；以及，对热处理后的阳极体进行再次化学转化的第二化学转化处理工序，第一化学转化处理工序和第二化学转化处理工序是在使用硝酸金属盐作为电解质的化学转化液中，在40℃～溶剂沸点的温度下进行电解化学转化的工序，上述热处理工序在150～300℃的温度下进行。本发明的铌固体电解电容器的制造方法，其使发挥电介质作用的氧化皮膜的稳定性提高，防止了漏电流增加，改善了收率和可靠性。
- 固体电解电容器制造方法
- [发明专利]促进氧化处理方法-CN200510053686.1有效
-
加藤康弘;岩本卓治
-
富士电机系统株式会社
-
2005-03-10
-
2006-09-13
-
C02F1/78
- 本发明提供一种促进氧化处理方法，在使臭氧气体与被处理水接触的臭氧接触工序之后串联地配置混合和注入臭氧气体及过氧化氢的促进氧化处理工序，根据臭氧接触工序中的臭氧注入量，控制促进氧化处理工序中的臭氧注入量及过氧化氢注入量根据本发明，发现了在同时使用臭氧和过氧化氢的促进氧化处理中经济、有效而且安全的臭氧注入控制方法以及过氧化氢注入方法。另外，不存在没有溶存臭氧不能控制这样的问题，使用广泛应用的测量器具，利用简单的操作，控制臭氧注入量和过氧化氢注入量不会过多也不会不足。
- 促进氧化处理方法
|
