专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]SONOS器件的制造方法-CN201811396604.7有效
  • 朱华宁;章晶;黄冠群 - 上海华力微电子有限公司
  • 2018-11-22 - 2020-09-01 - H01L27/115
  • 本发明公开了一种SONOS器件的制造方法,包括步骤:形成第一衬垫氧化硅层和第二氮化硅层,形成浅沟槽场氧;第一衬垫氧化硅层和第二氮化硅层的厚度定义出浅沟槽场氧的台阶高度。去除第二氮化硅层。将ONO层的形成区域外的第一衬垫氧化硅层的部分厚度湿法去除。去除第三保护层;进行湿法刻蚀将ONO层的形成区域外的第一衬垫氧化硅层完全去除同时在ONO层的形成区域保留部分厚度。在进行ONO层的隧穿氧化硅层形成工艺之前,还包括一次湿法浸泡工艺,保留的第一衬垫氧化硅层使湿法浸泡工艺前后浅沟槽场氧的台阶高度得到保持。本发明能避免湿法刻蚀工艺对场氧的台阶高度的影响,能提高工艺窗口。
  • sonos器件制造方法

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