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- [实用新型]碳化硅单晶生长控制装置-CN202120483498.7有效
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林大野;王治中;蔡钦铭
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广州爱思威科技股份有限公司
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2021-03-05
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2022-01-04
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C30B25/16
- 本实用新型提供一种碳化硅单晶生长控制装置，包括壳体、加热装置、硅源气体管道和碳源气体管道。壳体内形成有反应腔室，反应腔室内设有碳化硅籽晶置放位；加热装置设于壳体，用以控制反应腔室的内部温度；硅源气体管道用以向反应腔室内通入硅源气体，碳源气体管道用以向反应腔室内通入碳源气体；硅源气体管道设有第一质量流量控制器，用以监测和控制硅源气体的流量；碳源气体管道设有第二质量流量控制器，用以监测和控制碳源气体的流量。本实用新型能够调节和控制硅源气体流量和碳源气体流量之比，使得反应腔室内硅源气体中的Si与碳源气体中C的比例为1:1，从而能够制备出高纯度高质量的SiC单晶。
- 碳化硅生长控制装置
- [实用新型]塑料瓶内壁非晶碳镀膜机-CN01203128.3无效
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黄胜兴;梁荣庆
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黄胜兴;李自茂
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2001-01-12
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2001-11-21
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C23C16/26
- 本实用新型涉及一种利用碳源气体在微波激发下形成等离子体而在塑料瓶内壁沉积非晶碳薄膜的塑料瓶内壁非晶碳镀膜机,该机至少包含一个这样的结构单元,一个由真空系统操纵从而可造成塑料瓶内腔真空的装置,一个使微波发生系统发生的微波作用于塑料瓶,使塑料瓶内腔的产生碳源气体形成等离子体的谐振腔;还有一个与碳源气体注入系统连通并可向塑料瓶内腔注入碳源气体的碳源气体通道。由本机器加工的塑料瓶有效控制瓶内气体从瓶壁流失和瓶外气体从瓶壁渗入。
- 塑料瓶内壁非晶碳镀膜
- [发明专利]一种柔性导电膜及电路板的制备方法-CN202111142927.5有效
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廖勇志
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廖勇志
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2021-09-28
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2023-08-25
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H05K3/12
- 包括以下几个步骤：(1)将含铜原料填充到粉体仓中待用；(2)将包含有还原性气体、惰性气体和碳源气体的混合气体置入气体仓内待用；(3)打开激光，同时含铜原料在混合气体的带动下进入成型舱体，在激光的照射下，含铜原料与混合气体的还原气体反应生成铜单质，生成的铜单质在激光条件下诱导混合气体中的碳源生成石墨烯膜包裹铜的导电粒子。本发明采用气态碳源、铜源粉体，还原性气体在激光状态下进行反应，生成铜单质，生成的铜单质在激光条件下诱导混合气体中的碳源生成石墨烯膜包裹铜的导电粒子，从而形成导电通路。采用气态碳源不易在纳米铜表面团聚，导电均匀。
- 一种柔性导电电路板制备方法
- [发明专利]外延成长方法-CN201210445788.8无效
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宋健民
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铼钻科技股份有限公司
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2012-11-09
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2014-04-16
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C30B29/36
- 本发明是有关于一种外延成长方法，包括：提供一衬底；提供一溶剂及一溶质，设置于衬底表面，液化溶剂使溶质溶在溶剂内，以形成一熔融液于衬底表面；通入一碳源气体，其具有一稀释气体及一反应气体；以及形成一外延层于衬底表面；其中，熔融液通过一温度梯度熔解碳源气体及衬底，以形成外延层于衬底表面。因此，本发明通过利用碳源气体作为外延层的碳源，可解决衬底成长外延层时晶格不匹配过大的情形，进而得到高质量的外延层。
- 外延成长方法
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