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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]原料气体供给装置和原料气体供给方法-CN201610866667.9有效
  • 八木宏宪;成嶋健索;松山中成 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-09-29 - 2020-04-21 - C23C16/52
  • 本发明提供使固体原料气化而将含有气体的原料气体供给到成膜处理部时使气化的原料的供给量稳定的技术。在用于向原料容器供给运载气体的运载气体供给通路设置有MFC1，在原料气体供给通路设置有MFM3。并且，在向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释气体供给通路设置有MFC2。求取从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的偏差值，基于从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的值，求取减去偏差值的原料的流量的实测值。依据原料的流量的实测值与原料的目标值的差，调整MFC1的设定值而调整运载气体的流量，调整包含于原料气体的原料的量。
  • 原料气体供给装置方法
  • [发明专利]原料气体供给装置和原料气体供给方法-CN201611095814.3有效
  • 八木宏宪;诸井政幸 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-12-02 - 2019-09-03 - C23C16/455
  • 本发明在将包含收容于原料容器内的固体或液体原料气化后的气体的原料气体供给至成膜处理部时，能够以较高的精度对原料容器内的原料的剩余量进行测定。在用于向原料容器供给载气的载气供给通路设置有MFC1，在原料气体供给通路设置有MFM3。在用于向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释气体供给通路设置MFC2。从MFM3的测定值减去MFC1测定值与MFC2的测定值的合计值，求取偏差值，从自MFM3的测定值减去MFC1的测定值与MFC2的测定值的合计值而得到的值减去偏差值，求取原料的流量的实测值，并求取原料的重量的实测值从原料容器内的初期的填充量(新的原料容器的填充量)减去原料的流量的实测值的累计值，测定原料的剩余量。
  • 原料气体供给装置方法
  • [发明专利]原料气体发生装置-CN201210156431.8有效
  • 久住庸辅;尾崎公一 - 欧姆龙株式会社
  • 2012-05-18 - 2012-12-05 - C23C16/448
  • 一种原料气体发生装置，抑制原料气体的浓度降低。该原料气体发生装置（101）对容器（111）内的固体原料（102）进行加热，产生CVD加工用的原料气体。经由通气管（113）导入到容器（111）内的运载气体通过气体扩散部件（115）的扩散体（131）进行扩散，并从开口部（115A）向垂直下方向喷出。由固体原料102产生的原料气体与运载气体一起从固体原料（102）的上方经由通气管（116）向容器（111）之外排出。本发明例如可适用于产生CVD加工用的原料气体的原料气体发生装置。
  • 原料气体发生装置
  • [发明专利]原料气体供给装置-CN201510493204.8有效
  • 诸井政幸 - 东京毅力科创株式会社
  • 2015-08-12 - 2019-03-05 - C23C16/455
  • 在将包含使固体或液体原料气化得到的气体的原料气体供给成膜处理部时正确调节原料气体所含原料的气化流量。将载气供给收纳有原料的原料容器(3)，将包含已气化原料的原料气体与稀释气体一起间断供给原料的成膜处理部(2)。用质量流量测定仪(7)测定原料气体流量M1，从对该流量测定值在原料气体供给期间积分得到的积分值减去对流过质量流量测定仪(7)的载气流量测定值C1在供给期间积分得到的积分值求得原料气化量A。求出取得的气化量A与原料气化量A设定值的偏差分，为了将原料气化量A维持为设定值，将该偏差分作为修正值与载气流量设定值C1相加。为了使载气和稀释气体总流量一定，从稀释气体的流量设定值C2减去该偏差分。
  • 原料气体供给装置
  • [实用新型]气体原料供给装置-CN201420222008.8有效
  • 罗静 - 罗静
  • 2014-04-30 - 2014-09-10 - B01J4/00
  • 本实用新型涉及化工设备领域，尤其是一种结构简单，自动化程度高，连接拆卸方便的气体原料供给装置，它包括原料总管、供给管和反应釜上的进料管，所述原料总管与供给管之间通过软性连接管连接，所述进料管的顶端为软性材质
  • 气体原料供给装置
  • [实用新型]气体原料储存罐-CN202222773030.9有效
  • 易华东;刘科华;谢期山 - 东莞市龙昌工业气体有限公司
  • 2022-10-21 - 2023-01-10 - F17C1/12
  • 本申请公开了气体原料储存罐，具体涉及储存罐领域，本申请包括罐体，所述罐体的下表面固定安装有两个第一支腿和两个第二支腿，所述罐体的上表面连通有连接管，所述罐体的表面设有遮盖装置，所述遮盖装置包括矩形条，所述矩形条固定安装有罐体的侧壁所述罐体的上表面放置有第二隔热棉，本申请通过设置遮盖装置，方便了对罐体上侧的全面遮盖工作，并且第一隔热棉和第二隔热棉可紧密遮盖在罐体的上侧，减少了罐体输送过程中出现受阳光照射导致爆炸的现象，一定程度上提高了对罐体中易燃易爆气体原料输送过程中的安全性
  • 气体原料储存
  • [实用新型]一种高纯电子气体站气体汇流装置-CN202121889715.9有效
  • 庞颢;陈震;方敏龙 - 深圳市海格金谷工业科技有限公司
  • 2021-08-12 - 2022-04-05 - F17D1/02
  • 本实用新型公开了一种高纯电子气体站气体汇流装置，包括有原料气体管道，原料气体管道连接有储气装置，原料气体管道的内腔在置换储气装置时与外界空气接触，而使原料气体管道的内腔存有不同于原料气体的杂质气体，原料气体管道还连接有真空系统，真空系统用于在杂质气体被去除之前将原料气体管道的内腔抽取真空，也即是通过脉冲置换将原料气体管道内的杂质气体去除之前就将原料气体管道抽真空，以将原料气体管道内的杂质气体抽走大部分，如此在脉冲置换时即可大大减少脉冲置换的次数，以达到对原料气体资源节约的效果。
  • 一种高纯电子气体汇流装置
  • [发明专利]气体压头及薄膜制造装置-CN200680045341.4有效
  • 山田贵一;加藤伸幸;植松正纪 - 株式会社爱发科
  • 2006-11-13 - 2008-12-10 - C23C16/455
  • 本发明提供一种低成本、可以抑制自由基气体的减活、能够向基板上均匀导入原料气体的气体压头及薄膜制造装置。本发明的气体压头(13)具备导入反应气体的反应气体导入口(30A)、导入原料气体的原料气体导入口(30B)、和与原料气体导入口(30B)相向配置地使原料气体分散的分散板(32)，原料气体导入口(30B)包围反应气体导入口(30A)周围那样地设有多个。导入至反应气体导入口(30A)的反应气体与导入至原料气体导入口(30B)且由分散板(32)分散的原料气体混合。原料气体导入口(30B)虽在反应气体导入口(30A)的周围设有多个，但不必做成喷洒孔等那样的细微孔。
  • 气体压头薄膜制造装置
  • [发明专利]气体供给装置、热处理装置、气体供给方法及热处理方法-CN201210140275.6有效
  • 古屋治彦;岛裕巳;立野雄亮 - 东京毅力科创株式会社
  • 2012-05-08 - 2012-11-14 - C23C16/455
  • 一种气体供给装置、热处理装置、气体供给方法及热处理方法，该气体供给装置具有使用载气将原料积存槽内的原料气体向处理容器进行供给的原料气体供给系统，该气体供给装置具备：载气通路，其向原料积存槽内导入载气；原料气体通路，其连结原料积存槽与处理容器，并流通载气与原料气体；压力调整气体通路，其与原料气体通路连接，并供给压力调整气体；以及阀控制部，其按开始第1工序，之后进行第2工序的方式控制开闭阀，其中，在该第1工序中开始向处理容器供给压力调整气体，同时开始利用载气将原料气体从原料积存槽向处理容器内供给，在该第2工序中停止供给压力调整气体。
  • 气体供给装置热处理方法
  • [发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201510102951.4在审
  • 板谷秀治 - 株式会社日立国际电气
  • 2015-03-09 - 2016-10-19 - C23C16/44
  • 衬底处理装置包括：处理室；衬底载置台；使衬底载置台旋转的旋转部；多个原料气体供给构造；原料气体供给部；原料气体排气构造；分别与原料气体排气构造连接的多个原料气体排气管；具有多个原料气体排气管并经由原料气体排气构造将处理室的气氛排出的原料气体排气部；多个反应气体供给构造；反应气体供给部；多个反应气体排气构造；分别与反应气体排气构造连接的多个反应气体排气管；具有多个反应气体排气管并经由反应气体排气构造将处理室的气氛排出的反应气体排气部；分别设于反应气体排气管的多个反应气体压力检测器
  • 衬底处理装置半导体器件制造方法
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