专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]平面波导光路器件及光连接转换器-CN202010402033.4在审
  • 王谦;吴文鹏;李志伟 - 华为技术有限公司
  • 2020-05-13 - 2021-11-19 - G02B6/122
  • 该平面波导光路器件包括波导结构,波导结构包括依次连接的直波导、锥形波导以及分段波导;直波导用于对接光纤,分段波导用于对接硅光芯片的光栅;锥形波导用于连接直波导的一端的尺寸与直波导尺寸相匹配,锥形波导用于连接分段波导的一端的尺寸与分段波导尺寸相匹配该平面波导光路器件能够将用于对接光纤的直径扩大至用于对接硅光芯片上光栅的直径,可以提高平面波导光路器件与硅光芯片光栅的耦合效率,增加平面波导光路器件与硅光芯片之间的对接容差,满足二者之间的耦合要求
  • 平面波导器件连接转换器
  • [发明专利]一种保偏转换光纤慢轴方向控制方法-CN202111573231.8在审
  • 李韬;杨鹏毅;乔鹏飞;姚宗影;左标 - 中国电子科技集团公司第四十三研究所
  • 2021-12-21 - 2022-04-26 - G02B6/27
  • 本发明提供一种保偏转换光纤慢轴方向控制方法,首先依次将FA下盖板、检偏器以及光功率计水平且固定放置在同一轴线上,检偏器的偏振方向与FA下盖板所在平面垂直;然后将熔接后的保偏转换光纤沿轴向的一端放置在FA下盖板上的V型槽内,另一端与激光光源的尾纤连接;再根据慢轴方向的角度允许偏差范围计算目标消光比,进而计算出光功率的目标值;开启激光光源并转动保偏转换光纤调节光功率计的读数至目标值,即可获取保偏转换光纤的慢轴方向本发明可以通过具体的数值反映出具体的保偏转换光纤慢轴方向及角度,实现保偏转换光纤慢轴方向的高精确控制,再将保偏转换光纤与光纤阵列结构固定连接,以满足实际工程的化应用需求。
  • 一种保偏模场转换光纤方向控制方法
  • [发明专利]一种基于非牛顿流体的流确定方法、设备及介质-CN202210013243.3有效
  • 王剑虹;王晓东;钟勇超;楚正;刘杰;李玉彪 - 河北乐凯化工工程设计有限公司
  • 2022-01-06 - 2023-06-30 - G06F30/23
  • 本说明书实施例公开了一种基于非牛顿流体的流确定方法、设备及介质,方法包括:通过预先构建的非牛顿流体流变模型,确定非牛顿流体在不同剪切率下对应的流体粘度,其中,非牛顿流体流变模型用于描述非牛顿流体流体粘度与剪切率之间的对应关系;在非牛顿流体的涂布过程中,建立初始的涂布头流方程;根据非牛顿流体的特性,确定出初始的涂布头流方程的初始条件和边界条件,以确定出符合要求的涂布头流方程;将不同剪切率下对应的流体粘度输入至符合要求的涂布头流方程中,确定出非牛顿流体的流,结合流体模型和涂布头流方程对非牛顿流体进行模型,可以较为真实的模拟非牛顿流体的涂布过程,得到较为精确的流情况。
  • 一种基于牛顿流体确定方法设备介质
  • [发明专利]一种热消融治疗肿瘤的适形覆盖方法-CN201310739284.1在审
  • 吴水才;高宏建;彭庆涛;张曼;梁萍;林岚;吴薇薇 - 北京工业大学
  • 2013-12-26 - 2014-04-09 - G06T7/00
  • 本发明公开了一种热消融治疗肿瘤的适形覆盖方法,包括:读入肿瘤的STL文件,求出肿瘤模型参数;从热模型数据库读入热模型文件,求出三维热模型参数,热模型由短轴相等、长轴重合的两个半旋转椭球体组合而成;进行热模型匹配,确定最优化的热模型。本发明提出的适形覆盖方法由于在匹配过程中肿瘤模型和热模型固定不变,不要求两模型的各点之间实现一一对应,大大降低了匹配难度。本发明只要求外部轮廓的匹配,大大降低了内部处理的信息量,提高了处理速度,具有较好的实时性。采用切分的匹配算法,根据匹配条件确定数据库中最优化的肿瘤模型,能够优化提高匹配精度。
  • 一种消融治疗肿瘤覆盖方法
  • [发明专利]基于片上模式变换器的硅锗光电探测装置-CN201510937427.9有效
  • 王磊;肖希;陈代高;李淼峰;邱英 - 武汉邮电科学研究院
  • 2015-12-15 - 2017-03-22 - H01L31/08
  • 该装置包括绝缘衬底、光耦合器、片上模式变换器、多硅锗光电探测器,光耦合器、片上模式变换器、多硅锗光电探测器顺次相连,且均固定在绝缘衬底的硅晶圆上,入射的基光信号通过单模光纤传输至光耦合器,经光耦合器耦合后的基光信号进入片上模式变换器,片上模式变换器将基光信号转换为多,多进入多硅锗光电探测器,多硅锗光电探测器将多转化为电信号。本发明中的锗重掺区位于多分布光强较弱的区域,锗重掺区和锗通孔对光的吸收损耗明显降低,能够有效提高硅锗光电探测装置的响应度。
  • 基于模式变换器光电探测装置

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