专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]火花塞用绝缘体及其制造方法、以及火花塞-CN201010119113.5有效
  • 上垣裕则;黑野启一;本田稔贵 - 日本特殊陶业株式会社
  • 2010-02-24 - 2010-08-25 - H01T21/02
  • 本发明提供一种火花塞用绝缘体及其制造方法、以及火花塞,能够通过实现提高对在制造工序中所产生的裂纹有无进行检查检查精度来防止品质的降低。绝缘子是利用包括对呈规定的绝缘体形状的未烧结绝缘体进行成形的成形工序(压缩成形工序和切削加工工序)和对未烧结绝缘体进行烧结的烧结工序的制造方法制造的。此外,该制造方法在成形工序和上述烧结工序之间设置用于检查裂纹的检查工序。上述检查工序包括:检查液涂敷工序,对未烧结绝缘体的表面涂敷渗透性检查液;干燥工序,在检查液涂敷工序后,使附着在未烧结绝缘体上的渗透性检查液干燥;表面检查工序,在干燥工序后,通过检查未烧结绝缘体的表面状态,检查未烧结绝缘体有无裂纹。
  • 火花塞绝缘体及其制造方法以及
  • [发明专利]泄漏检查装置以及泄漏检查方法-CN202110219470.7在审
  • 松川哲也 - 丰田自动车株式会社
  • 2021-02-26 - 2021-09-07 - G01M3/26
  • 本发明涉及泄漏检查装置以及泄漏检查方法。本发明的泄漏检查装置具备:检查机构,实施第一检查工序和第二检查工序,所述第一检查工序是对第一被检查室内和基准室内进行加压并基于它们的压差来检查所述第一被检查室的压力泄漏的工序,所述第二检查工序是对第二被检查室内和所述基准室内进行加压并基于它们的压差来检查所述第二被检查室的压力泄漏的工序;第一预压阀,对第一预压路进行开闭;以及控制装置,在所述第一检查工序的实施过程中打开所述第一预压阀来对所述第二被检查室内进行预压,在所述第二被检查室内被进行了预压的状态下通过所述检查机构来实施所述第二检查工序
  • 泄漏检查装置以及方法
  • [发明专利]蓄电设备的制造方法-CN202210527476.5在审
  • 大槻康明 - 泰星能源解决方案有限公司
  • 2022-05-16 - 2022-11-22 - H01M10/058
  • 本发明提供一种蓄电设备的制造方法,该蓄电设备被设备外壳封装,该方法包括:未检查蓄电设备的制造工序和外观检查工序,外观检查工序具有:检测工序,对设备外壳的外壳表面中的被检查区域照射检查光,拍摄检查光的漫反射光,检测设备外壳的被检查区域的外观;和判定工序,对检测出的被检查区域的外观的良好与否进行判定,外观检查工序还具有检测可行化工序,检测可行化工序为:在检测工序之前,在设备外壳的被检查区域之中,至少对由于光泽度高而外观的检测困难的检测困难区域
  • 设备制造方法
  • [发明专利]异物检查方法、异物检查装置以及物品的制造方法-CN202211269716.2在审
  • 鸟波祐记;中岛大辅;薄井克俊;岩﨑泰久;堀笼翔太;宫本一辉 - 佳能株式会社
  • 2022-10-18 - 2023-04-25 - G01N21/94
  • 本发明涉及异物检查方法、异物检查装置以及物品的制造方法。一种异物检查方法,进行在载置台上配置物体并一边使所述载置台以及对所述物体投射检查光的投光部中的至少一方驱动一边检测所述物体的检查区域上有无异物的异物检查,包括:第1检查工序检查所述检查区域中的异物;清洁工序,对所述检查区域进行清洁;以及第2检查工序检查在清洁工序中清洁后的所述检查区域中的异物,在第2检查工序中,在所述检查区域中的在第1检查工序中检测到异物的第1区域中,所述载置台和所述投光部的相对速度被设定为第1速度,在所述检查区域中的在第1检查工序中未检测到异物的第2区域中,所述相对速度被设定为比所述第1速度快的第2速度。
  • 异物检查方法装置以及物品制造
  • [发明专利]钢材的非破坏检查方法-CN202080018310.X在审
  • 牧野良保 - 新东工业株式会社
  • 2020-01-17 - 2021-10-19 - G01N27/72
  • 确定出检查对象的导磁率变化的因素,高精度地对检查对象的表面处理状态进行评价。本发明的一个方式所涉及的钢材的非破坏检查方法包括准备工序(S1)、配置工序(S3)、涡电流生成工序(S4)、频率变更工序(S5)、阻抗计算工序(S6)、评价工序(S7)。在准备工序(S1)中,准备非破坏检查装置。在配置工序(S3)中,配置检查对象。在涡电流生成工序(S4)中,使检查对象产生涡电流。在频率变更工序(S5)中,使所述交流磁向检查对象渗透的渗透深度连续地变化。在阻抗计算工序(S6)中,计算检查对象的每个渗透深度的阻抗的值。在评价工序(S7)中,计算检查对象的每个渗透深度的阻抗的值与表面处理前的钢材的每个渗透深度的阻抗的值的比率,并基于比率的计算结果确定出检查对象的导磁率的变化因素,对表面处理状态进行评价。
  • 钢材破坏检查方法
  • [发明专利]半导体装置的检查方法-CN201410253353.2有效
  • 大月咏子;吉浦康博;贞松康史 - 三菱电机株式会社
  • 2014-06-09 - 2017-08-18 - H01L21/66
  • 本发明的目的在于提供一种半导体装置的检查方法,其具有将终端构造中的绝缘膜和/或半绝缘膜的电荷去除的电荷去除工序。本发明涉及的半导体装置的检查方法具有第1检查工序,在该工序中,对在衬底(14)上形成有单元构造(10)和终端构造(12)的半导体装置的耐压进行检查,该单元构造(10)用于流过主电流,该终端构造(12)包围该单元构造;电荷去除工序,在该第1检查工序之后,在该电荷去除工序中,将该终端构造的在该衬底上方由绝缘膜(36)和/或半绝缘膜(38)形成的表面层(39)的电荷去除;以及第2检查工序,在该电荷去除工序之后,在该第2检查工序中,对该半导体装置的耐压进行检查
  • 半导体装置检查方法
  • [发明专利]表面处理加工方法以及表面处理加工装置-CN201780029831.3有效
  • 岩田恭一;神山拓哉;小林祐次;松井彰则 - 新东工业株式会社
  • 2017-05-16 - 2020-11-20 - B24C1/10
  • 在第一检查工序中,对进行向处理对象物投射投射材料的喷丸处理之前的该处理对象物的表面侧的状态进行非破坏检查,在其检查结果超出预先决定的第一允许范围的情况下评价为不合格。在条件设定工序中,将在第一检查工序作出了并非不合格的评价的处理对象物作为对象,根据第一检查工序中的检查结果来设定喷丸处理条件。在喷丸处理工序中,进行如下喷丸处理:将在第一检查工序中作出了并非不合格的评价的处理对象物作为对象,以由条件设定工序已设定的喷丸处理条件,向处理对象物投射投射材料。在喷丸处理工序之后的第二检查工序中,对处理对象物的表面侧的状态进行非破坏检查
  • 表面处理加工方法以及装置
  • [发明专利]基板表面缺陷检查方法-CN202011002389.5在审
  • 梅田秀俊;高松弘行;冈田拓郎;鹤见敏彦 - 株式会社神户制钢所
  • 2020-09-22 - 2021-04-09 - G01N21/95
  • 本发明提供能够在短时间内高效地检查铝基板的表面,从而检测微小的缺陷,并且能够辨别该缺陷是表面缺陷还是附着于表面的尘埃的基板表面缺陷检查方法。该基板表面缺陷检查方法包括:第一检查工序,在该第一检查工序中,使用拍摄铝基板(20)的整个面而得到的图像,对包含30μm以上的大小的缺陷的缺陷区域(21)进行提取;以及第二检查工序,在该第二检查工序中,基于由第一检查工序提取出的缺陷区域(21)的图像,辨别缺陷是表面缺陷还是附着于表面的尘埃。
  • 表面缺陷检查方法

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