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[发明专利]一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置-CN201810141609.9在审
发明人：任成燕;李杨威;孔飞;邵涛;章程;刘俊标;赵伟霞 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置，包括:屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和屏蔽罩由内向外依次同轴布置形成的收集极模块，屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和屏蔽罩的中心均设有通孔，所有通孔处于同一直线上；样品台模块从下而上依次为冷却层、加热层、绝缘层和样品座；偏压装置包括第一偏压电源和第二偏压电源，第一偏压电源与收集极连接，第二偏压电源与抑制栅网连接；收集极模块和样品台模块均设于真空腔内，且收集极模块位于样品台模块的正上方；电子枪设于收集极模块的正上方，且电子枪、收集极模块和样品台模块的中心轴线位于同一直线上；屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和样品座分别与不同的弱电流测量装置连接。
收集极样品台模块偏压电源抑制栅网屏蔽栅网二次电子发射系数能谱分析装置同一直线电子枪屏蔽罩样品座通孔绝缘层测量弱电流测量偏压装置同轴布置由内向外中心轴线装置连接加热层冷却层真空腔

[发明专利]一种栅控电子枪电源-CN201710949894.2在审
发明人：张立锋 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H02M5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种栅控电子枪电源，包括脉冲变压器，脉冲变压器的次级绕组采用三线并行绕制的方式形成三个次级绕组，分别为阴极绕组、灯丝绕组、栅极绕组，三个次级绕组的高压端分别与栅控电子枪的阴极、灯丝、栅极相连接，三个次级绕组的低压端分别与灯丝电源、偏压电源和栅控电源相连接；灯丝电源通过灯丝绕组和阴极绕组为灯丝加热供电，偏压电源和栅控电源在阴极绕组和栅极绕组上分别形成偏压及栅控脉冲，加到高压端的阴极和栅极上，在阴极与栅极之间形成栅偏压及控制脉冲本发明的高压输出端为变压器的输出，高压端设备与元件少，抗打火能力强，可靠性高；灯丝电源与栅控电源工作在地电位上，控制与安装方便。
一种电子枪电源

[发明专利]用于脉冲透视栅控冷阴极X射线球管的电源装置-CN201210029930.0无效
发明人：李劲生;徐俊 -专利权人：南京普爱射线影像设备有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H05G1/10 文献下载
摘要：用于脉冲透视栅控冷阴极X射线球管的电源装置，属于医疗器械技术领域。本装置由高压电源（1）、栅极电源（2）、单片机板（3）、栅控球管（4）、隔离单元（5）、偏压电源（6）组成，其技术特征是：单片机板（3）控制偏压电源（6）产生一负电压，此电压经隔离单元（5）加至栅控球管（4）的栅极和阴极两端，高压电源（1）提供一个由单片机板（3）设定的正负高压，此电压加于栅控球管（4）的阳极和阴极两端，栅极电源（2）由单片机板（3）控制产生栅极脉冲，栅极脉冲经隔离单元（5）加至栅控球管
用于脉冲透视栅控冷阴极射线电源装置

[实用新型]射频发射机高功率丙类放大器的有限自举栅偏压控制器-CN201020563174.6无效
发明人：毛玉周;袁帅;邓旭;王磊;程艳;琚松青;赵燕平 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频发射机高功率丙类放大器的有限自举栅偏压控制器，由相互串联且与栅偏压电源并接的电阻、两个二极管及二极管之间的电阻构成。本实用新型中，由于电子管栅偏压幅值大小由与二极管相串联的电阻阻值确定，其最大值和最小值分别由栅偏压电源和两只串联电阻的比值确定，这样放大器在高功率运行时工作状态保持不变，而在低功率运行时则可有效减小放大器的输入阻抗
射频发射机功率丙类放大器有限偏压控制器

[发明专利]多悬浮栅阴极结构、电子枪、电子加速器及辐照装置-CN201811522876.7有效
发明人：畅祥云 -专利权人：陕西利友百辉科技发展有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01J29/48 文献下载
摘要：本发明是关于一种多悬浮栅阴极结构、电子枪、电子加速器及辐照装置。该多悬浮栅阴极结构包括：阴极，用以发射电子束；抑制发射栅，位于所述阴极发射面的一侧；第一悬浮栅，位于所述抑制发射栅背离所述阴极本体的一侧，该第一悬浮栅的边缘处设有第一悬浮栅阴极，以及与该第一悬浮栅阴极间隔相对设置的第一悬浮栅阳极，该第一悬浮栅阳极与外部的第一偏压电源连接；第二悬浮栅，位于所述第一悬浮栅背离所述抑制发射栅的一侧，该第二悬浮栅的边缘处设有第二悬浮栅阴极，以及与该第二悬浮栅阴极间隔相对设置的第二悬浮栅阳极，该第二悬浮栅阳极与外部的第二偏压电源连接
悬浮阴极结构电子枪电子加速器辐照装置

[实用新型]一种中子发生器-CN201420166941.8有效
发明人：杨振;龙继东;彭宇飞;蓝朝晖;李杰;董攀;刘平;王韬 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H05H3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种中子发生器，所述中子发生器包括：密封型绝缘筒，所述密封型绝缘筒具有两端，分别为第一端和第二端，在所述密封型绝缘筒内的所述第一端处设有一离子发生源，在所述第二端连接有一电源，在所述密封型绝缘筒内设有一加速筒，在所述加速筒的内设有一靶片和一偏压电阻，所述靶片位于所述偏压电阻水平方向的左侧，所述靶片和所述偏压电阻连接，且所述偏压电阻与所述第二端连接，其中，在所述加速筒内设有一栅网，所述栅网与所述加速筒连接，所述栅网位于所述离子发生源与所述靶片之间
一种中子发生器

[发明专利]定电流控制的高压启动电路-CN200810094779.2有效
发明人：徐达经 -专利权人：尼克森微电子股份有限公司
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有定电流控制的高压启动电路，是应用于开关电源，其包含有一高压接面晶体管、一控制晶体管与一电流检测电阻与一偏压电阻，其中高压接面晶体管漏极耦接一高压电源，栅极耦接至控制晶体管漏极，源极耦接至该电流检测电阻，电流检测电阻藉由高压接面晶体管电流流经检测电阻两端产生固定电压降提供高压接面晶体管栅-源极负偏压使高压接面晶体管输出一固定电流。偏压电阻其一端耦接于高压接面晶体管栅极，另一端则耦接于高压启动电路输出端，使高压接面晶体管栅极电压相同于输出电压，使高压晶体栅-源极维持一固定负偏压以提供固定输出电流。
电流控制高压启动电路

[发明专利]绝缘栅器件的栅极驱动电路-CN200910236508.0有效
发明人：谭富传;姚淑珍 -专利权人：北京航星力源科技有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及绝缘栅器件的栅极驱动电路及其工作方法，一种绝缘栅器件的栅极驱动电路，其特征在于，包括依次相连的控制器、同步电平移位电路、电流驱动器及绝缘栅器件接口电路；同时与电流驱动器相连的正稳压电源、负稳压电源，该负稳压电源还与同步电平移位电路相连；所述控制器和绝缘栅器件接口电路分别接地；本发明具有负偏压驱动、保持驱动脉冲同步、可正负大电流驱动、电路简洁的特点。可广泛应用于绝缘栅器件的栅极驱动电路中，特别是用于解决有源功率因数校正电路中绝缘栅器件的有效驱动问题。
绝缘器件栅极驱动电路

[发明专利]为多开关电路提供电压的电路和方法-CN201510357679.4有效
发明人：黄雷 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H02M1/096 文献下载
摘要：本发明公开了生成电荷泵电压为偏压电路供电的电荷泵电路。所述偏压电路生成基准电流并由所述基准电流生成开关电流。栅‑源电压由所述开关电流生成，随后施加到开关电路的开关元件以连接两个节点。所述栅‑源电压可在所述偏压电路中生成并提供给所述开关电路。所述栅‑源电压也可在所述开关电路中生成。
开关电路提供电压电路方法

[发明专利]为多开关电路提供电压的电路和方法-CN201810361217.3有效
发明人：黄雷 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G05F1/577 文献下载
摘要：本发明公开了生成电荷泵电压为偏压电路供电的电荷泵电路。所述偏压电路生成基准电流并由所述基准电流生成开关电流。栅‑源电压由所述开关电流生成，随后施加到开关电路的开关元件以连接两个节点。所述栅‑源电压可在所述偏压电路中生成并提供给所述开关电路。所述栅‑源电压也可在所述开关电路中生成。
开关电路提供电压电路方法

[发明专利]一种双层栅网球形二次电子收集器-CN201810966450.4有效
发明人：何佳龙;龙继东;彭宇飞;李杰;杨振;刘平;王韬;李喜;董攀;蓝朝晖;郑乐;刘尔祥;赵伟;杨洁;石金水 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层栅网球形二次电子收集器，包括由内到外的：球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极；上半球的顶部开有用于导入入射电子束的孔，下半球的底部开有用于将被测样品通过样品测试载台送入二次电子收集器中心的孔；两层球形栅网与两层球形电极之间彼此绝缘，内层球形栅网接地，用于屏蔽偏压球形栅网引入的电场；外层球形栅网接偏压电源，通过正负偏压的切换实现对真二次电子和背散射电子的甑别；外层球形栅网接可调电压的负电压源，对能够通过外层球形栅网的二次电子进行能量筛选；该收集器可以提高二次电子收集效率，降低被测信号受到的干扰，从而提高固体材料二次电子发射特性的测量准确度。
一种双层网球二次电子收集

[实用新型]一种LCD偏压电源电流值检测电路-CN201820172506.4有效
发明人：李峰;卢星华;陶玉红;杨文虎;李雪;周智勇;杨柳 -专利权人：深圳市峰泳科技有限公司
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LCD偏压电源电流值检测电路，包括主控单元以及与该主控单元相连接、用于检测对应电路中电阻电流值大小的第一偏压电源电流检测电路、第二偏压电源电流检测电路、第三偏压电源电流检测电路和第四偏压电源电流检测电路，且第一偏压电源电流检测电路、第二偏压电源电流检测电路、第三偏压电源电流检测电路和第四偏压电源电流检测电路中分别设置有对应的第一电源电流检测芯片U1、第二电源电流检测芯片U2、第三电源电流检测芯片U3、第四电源电流检测芯片U4，此电路结构简单实用，它通过检测电路上检测串联电阻(毫欧级)两端的电压，再经欧姆定律计算出电流值，最后经ADC转换将电流值输出给外部主控单元，检测效果好。
检测电路偏压电源电流电源电流检测芯片主控单元检测本实用新型串联电阻电路结构电阻电流欧姆定律电路输出外部

[发明专利]等离子体刻蚀设备及刻蚀方法-CN201811061619.8在审
发明人：卫晶;韦刚;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备包括等离子体发生装置、用于承载晶片基座和用于为基座供电的偏压电源，其中，所述偏压电源能够周期性地输出电压，所述偏压电源的每个输出周期都包括正偏压输出阶段和负偏压输出阶段，所述偏压电源能够在所述正偏压阶段输出电压值恒定的正偏压，所述偏压电源能够在所述负偏压阶段输出电压值恒定的负偏压。
等离子体刻蚀设备方法

[实用新型]一种等离子体化学气相沉积镀膜装置-CN201620206505.8有效
发明人：渠洪波 -专利权人：沈阳科友真空技术有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：该实用新型包括真空室，真空室内设置有阴极屏、工件架和偏压电源，阴极屏设置在真空室的下部，工件架设置在阴极屏上，偏压电源设置在真空室外部，偏压电源包括第一偏压电源和第二偏压电源，第一偏压电源与阴极屏连接，第二偏压电源与工件台连接，真空室接地。
一种等离子体化学沉积镀膜装置

[发明专利]基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置-CN201910189726.7在审
发明人：张超 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置。该基座包括金属盘，该金属盘包括互相绝缘设置的至少两个子盘，每一子盘均与射频源和偏压电源连接，基座还设置有偏压电源的调整电路，所有子盘均与调整电路连接，调整电路用于：以所有子盘中绝对值最小的偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他子盘的偏压电源的直流偏压值调节至与基准电压值相比在一设定范围内。其通过对基座上的电场分布进行调整，即通过自动检测并比较偏压电源的直流偏压值来调整各子盘所施加偏压电源的直流偏压值的大小，对基座上的偏压电源分区进行自动调整，从而实现整个基座区域刻蚀的均匀性调整，改善对晶圆刻蚀的均匀性
基座偏压调整方法等离子体发生装置

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