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[发明专利]一种真空磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法-CN202011275208.6有效
发明人：王伟;张少波;樊黎虎;李刚;马迎;钟汝梅;周道钧;姚婷婷 -专利权人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;凯盛信息显示材料（洛阳）有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法，包括转筒、移动筒、活动靶组件和移动靶组件，所述移动筒靠近转筒的一端开设有弧形开口槽，所述弧形开口槽内部活动填充有弹性层，且弧形开口槽两端各固定设置有排斥磁铁和吸引磁铁，所述靶材板一一侧与连接杆一间固定连接有弹性拉绳一，所述靶材板一远离弹性拉绳一的一端与连接杆二间固定连接有弹性拉绳二，本发明在使用中，通过弹性拉绳一和弹性拉绳二，使得固定靶组件在转动时带动靶材板一在凹型结构中翻转，对凹型结构的各个侧面进行镀膜处理，并通过移动筒、限位机构使得固定靶组件周期带动靶材板一在凹型结构中正反转，使得凹型结构中侧面的镀膜更为均匀。
一种真空磁控溅射镀膜设备及其方法

[发明专利]一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极-CN202110872823.3有效
发明人：汪建;杜寅昌;李成;程厚义;赵巍胜;张悦 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明的一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极，包括靶材、磁体、磁轭及靶座，还包括运动机构；靶材安装在靶座上方，磁体安装在磁轭上，位于靶座下方，磁体与阴极中轴偏心安装，即磁体中心与阴极中轴不重合；运动机构设置在磁轭的下方，磁轭连接到运动机构上，运动机构牵引磁轭从而带动磁体绕阴极中轴螺旋式周期旋转运动，旋转半径逐渐增大。本发明的磁体及磁轭通过运动机构实现螺旋式周期运动，靶材表面磁场同步螺旋式周期运动，靶材被均匀刻蚀，利用率大幅提高。
一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极

[发明专利]一种平面靶材的绑定方法-CN202010333195.7有效
发明人：骆树立;王建堂;李庆丰;骆如河;骆胜华;骆胜磊;骆利军;王壮伟;骆胜凯;骆胜喜 -专利权人：河北恒博新材料科技股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面靶材的绑定方法，属于靶材技术领域，平面靶材、铜背板、加热平台全程都是平整的，绑定步骤包括加热、隔离、冷却、完成四个步骤，在冷却阶段采用将冷却介质注入铜背板的冷却管道使其快速冷却预先收缩的方法，达到绑定后平面靶材翘曲程度小，与铜板之间内应力小的目的。本发明采用在冷却阶段将铜背板快速冷却以解决铜背板与平面靶材间因热膨胀系数的差异而产生的翘曲，在冷却前将铜背板与加热平台进行热隔离。
一种平面绑定方法

[发明专利]一种短脉冲激光沉积薄膜的制备方法-CN201911097734.5有效
发明人：李楠;陈波;李培源;夏洋;卢维尔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种短脉冲激光沉积薄膜的制备方法，通过对衬底进行预处理，将所述预处理后的所述衬底放入短脉冲激光沉积的腔室内；将所述腔室抽真空，旋转所述衬底，对所述衬底加热至第一温度；采用挡板隔离靶材，打开短脉冲激光器激发预热第一时间；向所述腔室内通入工艺气体，待所述腔室内气压与所述短脉冲激光器的温度稳定后，打开靶材旋转装置，将所述靶材挡板打开，打开辅助激光源预热所述靶材第二时间；根据所述短脉冲激光器发射短脉冲激光聚焦于所述靶材表面
一种脉冲激光沉积薄膜制备方法

[发明专利]成膜装置-CN201280020605.6有效
发明人：梶原雄二;安松保志;小长和也 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种成膜装置，该成膜装置由遮挡装置能够选择靶材，能够防止发生在靶材间的污染。成膜装置（10）具备遮挡装置（54）和被固定于靶材电极（C）的第一遮挡板（65）侧的上部遮蔽板（63），遮挡装置（54）具有分别可旋转的第一遮挡板（65）及第二遮挡板（67）。另外，在第一遮挡板（65）的靶材电极（C）侧的面上，以夹着开口（65a，63a）的方式设置了旋转分离壁（72），在上部遮蔽板（63）的第一遮挡板（65）侧的面上，以夹着开口（65a，63a）的方式设置了固定分离壁在成膜处理时，通过旋转第一遮挡板（65）以便在旋转分离壁（72）与固定分离壁（71）之间形成迷宫，能够防止靶材（C）间的污染。
装置

[发明专利]一种铝基管状靶材的制备方法-CN202211474565.4在审
发明人：李群;杨礼林;许鹏国;苏婷 -专利权人：河北晟华新材料科技有限公司;内蒙古科技大学
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于粉末冶金技术领域，公开了一种铝基管状靶材的制备方法，包括：包套组装、原料混合、粉末装填、包套除气、热等静压处理、成品加工等工艺步骤。本发明将靶材成型以及靶材与背管的绑定工序合二为一，省去了绑定工序，显著缩短生产周期并降低生产成本；在背管外壁与靶材内壁形成一层含锌的粘结层作为冶金过渡层，增强了靶材与背管的结合强度以及溅射过程中热量的传递，可适用于大功率溅射；基于热等静压工艺制备铝基管状靶材，避免了脆性的铝基金属间化合物的生成，为制备铝基多元管靶提供了有益参考。
一种管状制备方法

[发明专利]镀膜装置-CN201280031817.4有效
发明人：梶原雄二;安松保志;小长和也 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：发明提供一种镀膜装置，其构造成可以减少靶材间的污染的发生。该镀膜装置包括：多个靶材电极，其分别具有附连面，靶材能够附连于所述附连面；用于在与所述多个靶材电极相对的位置保持基板的基板支架；在所述多个靶材电极及所述基板支架之间可旋转地被设置且具有能够与所述附连面相对的多个开口的第一挡板构件；以及与所述第一挡板构件相邻地布置、且具有数量与所述靶材电极的数量相等的开口的遮蔽构件；其中，所述第一挡板构件及所述遮蔽构件之间的间隙从相邻的所述靶材电极的最靠近部朝向外周侧扩大。
镀膜装置

[发明专利]一种放电弧斑满布靶面的真空阴极电弧源-CN201510450277.9有效
发明人：李志荣;罗志明;李志方;袁镇海 -专利权人：东莞市汇成真空科技有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种放电弧斑满布靶面的真空阴极电弧源，包括一平板靶材，平板靶材底面设有一对应的靶座组件，平板靶材与靶座组件用紧固件紧密贴合连接；靶座组件由冷却水道构件和磁路构件上下层叠组成；冷却水道构件为包括冷却水道金属上盖薄板及冷却水道金属底板的扁形冷却水道并设有进、出水口；磁路构件由磁极分别为上、下端面的多个小圆柱形磁体同极同向(相同磁极朝向相同)竖直排列在一靶座底板上组成。本发明具有如下优点放电面积大大增加，允许增加若干倍靶电流，有利于大幅度提高沉积速率；分散电弧放电几乎在整个靶面上放电，令靶面烧蚀更均匀，提高靶材利用率；有利于靶面导热和水冷帯走热量，有利于改善膜层质量。
一种电弧满布真空阴极

[实用新型]一种放电弧斑满布靶面的真空阴极电弧源-CN201520554132.9有效
发明人：李志荣;罗志明;李志方;袁镇海 -专利权人：东莞市汇成真空科技有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种放电弧斑满布靶面的真空阴极电弧源，包括一平板靶材，平板靶材底面设有一对应的靶座组件，平板靶材与靶座组件用紧固件紧密贴合连接；靶座组件由冷却水道构件和磁路构件上下层叠组成；冷却水道构件为包括冷却水道金属上盖薄板及冷却水道金属底板的扁形冷却水道并设有进、出水口；磁路构件由磁极分别为上、下端面的多个小圆柱形磁体同极同向(相同磁极朝向相同)竖直排列在一靶座底板上组成。本实用新型具有如下优点：放电面积大大增加，允许增加若干倍靶电流，有利于大幅度提高沉积速率；分散电弧放电几乎在整个靶面上放电，令靶面烧蚀更均匀，提高靶材利用率；有利于靶面导热和水冷帯走热量，有利于改善膜层质量
一种电弧满布真空阴极

[发明专利]一种铟锡锌氧化物同质薄膜晶体管及其制备方法-CN201310651400.4有效
发明人：杨田林;宋淑梅;辛艳青;王昆仑;童杨;王雪霞 -专利权人：山东大学（威海）
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种铟锡锌氧化物同质薄膜晶体管，及薄膜晶体管及其制备方法，包括衬底、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；其特征在于所述沟道层、源极和漏极材料均为铟锡锌氧化物，所述的铟锡锌氧化物是由氧化铟（In2O3）、氧化锡（SnO2）和氧化锌（ZnO）粉末球磨并混合均匀，再经过成型、烧结等工艺制成铟锡锌氧化物陶瓷靶材，铟锡锌氧化物陶瓷靶材中铟、锡、锌的原子个数比abc=35‑888‑352‑25；利用磁控溅射法将铟锡锌氧化物陶瓷靶材沉积成薄膜
一种铟锡锌氧化物同质薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种磷酸亚铁锂正极材料极片的制备方法-CN201710182285.9在审
发明人：白国梁;罗明;陈静娟;王春花;王钧伟;董彦杰;罗姣姣 -专利权人：安庆师范大学
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01M4/1397 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷酸亚铁锂正极材料极片的制备方法，包括如下步骤(1)以碳酸锂、草酸亚铁和磷酸二氢铵为原料并混合均匀，获取原料混合物；(2)通过高温预烧和研磨法将上述原料混合物制成预烧后的原料混合粉末，并将其压制成坯体，再通过高温烧结和退火技术制备得到磷酸亚铁锂靶材；(3)采用真空磁控溅射镀膜技术，将制备的磷酸亚铁锂靶材和导电剂靶材通过调控真空磁控溅射镀膜工艺参数，直接制备得到磷酸亚铁锂电极极片。本发明的优点在于提供了一种结构简单、制作方便、具有较高的体积比能量和良好的电化学性能的磷酸亚铁锂正极材料极片的制备方法。
一种磷酸亚铁正极材料制备方法

[发明专利]一种用于延长靶材供给镀膜时间的离子镀膜源装置-CN202111599007.6在审
发明人：张心凤;夏正卫 -专利权人：安徽纯源镀膜科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于延长靶材供给镀膜时间的离子镀膜源装置，包括源底座，源底座上设置有源阳极管和靶材装置，真空腔室上具有连接装置，连接装置和源阳极管之间进行可拆卸式密封装配连接，靶材安装在靶材装置上，源阳极管上设置有用于敲击靶材的敲击装置，还包括调节装置，调节装置用于调整靶材沿源阳极管的中心线方向进行移动。本发明提供的上述技术方案，可以使用长度加长后的靶材，可延长靶材供给镀膜的时间11倍左右，减少了靶材更换频率，节省时间。并且通过调节装置的调整，使靶材的离化面一直处于有利有效的工作位置，保证靶材离化的均匀。
一种用于延长供给镀膜时间离子装置

[发明专利]一种真空镀膜系统及镀膜方法-CN202111659155.2在审
发明人：曹时义;王俊锋;周敏 -专利权人：广东鼎泰高科技术股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体真空镀膜系统和镀膜方法，包括涂层机及阴极装置，涂层机提供阳极，阴极装置包括靶台、靶材、空腔辅助阳极、第一脉冲电源、直流弧电源、第二脉冲电源和双极脉冲等离子体震荡器，靶材外侧设有通道，第一脉冲电源的正极与空腔辅助阳极电连接，第一脉冲电源的负极与靶材电连接，直流弧电源的正极电连接阳极，直流弧电源的负极与靶材电连接，第二脉冲电源的正极电连接阳极，第二脉冲电源的负极与工件电连接形成阴极，双极脉冲等离子体震荡器可横向产生振荡型等离子体。
一种真空镀膜系统镀膜方法

[发明专利]高钪含量铝钪合金靶材的扩散焊接方法及制备的焊接组件-CN202110062328.6有效
发明人：贾倩;丁照崇;曹晓萌;李勇军;杜文路;李利利;曲鹏;熊晓东;庞欣;滕海涛 -专利权人：有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料（山东）有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高钪含量铝钪合金靶材扩散焊接的方法及制备的焊接组件。所述方法是指在高钪含量(Sc含量≧20at％)铝钪合金靶材表面喷涂Al合金或Cu合金背板，然后在300～400℃的温度下进行热处理，促进AlSc合金靶坯与背板间的扩散，最终获得焊接强度大于70MPa，焊合率大于98％，无裂纹的高Sc含量AlSc合金靶材扩散焊接组件。
含量合金扩散焊接方法制备组件

[发明专利]一种靶材生坯摆放用布粉器及平面靶材的烧结方法-CN202110752160.1在审
发明人：周昭宇;周志宏;肖世洪;雷雨;汪政军 -专利权人：广州市尤特新材料有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： F27B21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种靶材生坯摆放用布粉器及平面靶材的烧结方法，在承烧板上用辅助滑动粉堆成多个粉堆，再将靶材生坯平放于粉堆上进行烧结，每个粉堆之间间隔有一定距离且粉堆的顶点高于承烧板的顶面，通过减小靶材生坯与辅助滑动粉和承烧板的接触面积以避免靶材生坯与辅助滑动粉和承烧板紧密接触，提高靶材与承烧板之间的透气性，使靶材得以充分烧结，且烧结过程中的助剂挥发物也能通过相邻粉堆间的透气间隔顺利排出。辅助滑动粉形成粉堆后的滑动效果要优于现有技术平铺一层的滑动效果，能更好地降低靶材与承烧板之间的摩擦阻力，使靶材生坯在烧结的过程中可以小阻力收缩，有效防止由摩擦力导致的变形和开裂。
一种生坯摆放用布粉器平面烧结方法

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