专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]空间材料暴露实验控制系统及方法-CN202310500246.4有效
  • 安美珍;王珂;李喆;任庆庆;王绍坤;吕宏宇;凡炼文;陈曦;袁野 - 中国科学院空间应用工程与技术中心
  • 2023-05-06 - 2023-07-25 - B64G1/22
  • 本发明提供一种空间材料暴露实验控制系统及方法,空间材料暴露实验控制系统搭载于在轨航天器内部,由机械臂将空间材料暴露实验系统从航天器内部转运到航天器外部,该空间材料暴露实验控制系统能够在航天器内部和外部对空间材料暴露实验设备和实验样品进行实验控制空间材料暴露实验控制系统包括:主控系统、运动系统、图像采集系统和保温系统。本发明提供的空间材料暴露实验控制系统及方法,可以控制空间材料和科学设备在轨开展实验,并对实验照片和实验数据进行实时采集并回传到地面站,能够为我国空间材料暴露实验提供安全可靠的在轨实验控制技术,为空间材料在轨数据分析、在轨实时观测提供技术保障,为空间材料的研究和发展奠定基础。
  • 空间材料暴露实验控制系统方法
  • [发明专利]一种材料舱外暴露装置-CN201911417857.2有效
  • 张伟贵;张聚乐;王乐天;王珂;杨鹏;邓明哲;郭志奇 - 中国科学院空间应用工程与技术中心
  • 2019-12-31 - 2021-06-22 - B64G4/00
  • 本发明涉及一种材料舱外暴露装置,包括:底座;试验箱,可拆卸安装在锁紧支撑机构上;旋转升降装置,安装在所述底座的中部且与所述锁紧支撑机构连接,驱动所述锁紧支撑机构旋转以及升降;定位装置,被所述旋转升降装置驱动旋转升降并能够弹性支撑在所述底座上本发明的暴露装置能够为金属材料、非金属材料、复合材料材料提供舱外暴露资源,实现材料暴露样品装置的在轨快速更换,而且为暴露材料提供密闭防护,还能够根据材料暴露需求或地面指令,实时监测暴露材料表面形貌,可实现材料暴露实验的数据采集
  • 一种材料暴露装置
  • [发明专利]颗粒增强铝基复合材料表面颗粒暴露及后处理方法-CN201010172249.2无效
  • 冯涛;王引真;孙玉伟;衣东旭;孙永兴 - 中国石油大学(华东)
  • 2010-05-04 - 2010-09-08 - C23C14/16
  • 本发明提供了一种颗粒增强铝基复合材料表面颗粒暴露及后处理方法,属于复合材料钎焊技术领域。具体是先用热碱水溶液对复合材料表面进行浸蚀,后用冷水进行冲洗;然后用酸溶液对复合材料表面进行浸蚀,用冷水对材料表面进行冲洗,再用热水漂洗,最后用冷风吹干,完成颗粒暴露;将颗粒暴露之后的试样迅速放置到真空气相沉积室中,在其表面镀一层Cu,完成复合材料表面颗粒暴露及后处理。本发明实现了对大小不同、形状各异的不同颗粒增强铝基复合材料的颗粒暴露,通过控制腐蚀溶液的浓度、温度和时间,实现铝基复合材料表面颗粒暴露控制,并利用气相沉积改善钎料在复合材料表面的润湿性。
  • 颗粒增强复合材料表面暴露处理方法
  • [发明专利]制造包括凹型的晶体管的方法-CN201180010989.9无效
  • L·W·图特;S·F·奈尔森 - 伊斯曼柯达公司
  • 2011-02-23 - 2012-11-07 - H01L21/336
  • 一种制造晶体管的方法,其包括提供按顺序包括电传导材料层和电绝缘材料层的基底;在电绝缘材料层上沉积抗蚀剂材料层;使抗蚀剂材料层形成图案以暴露一部分电绝缘材料层;去除所暴露的电绝缘材料层以暴露一部分电传导材料层;去除所暴露的电传导材料层以在电传导材料层和电绝缘材料层中形成凹型;用第二电绝缘材料层共形涂覆基底和所暴露材料层;用半导体材料层共形地涂覆第二电绝缘材料层;和在半导体材料层上定向沉积电传导材料层。
  • 制造包括晶体管方法
  • [发明专利]用于形成含钴材料的工艺-CN200780021549.7有效
  • S·甘古里;S·S·储;M·常;S-H·俞;K·莫赖斯;S-E·潘 - 应用材料股份有限公司
  • 2007-04-11 - 2009-06-24 - C23C16/00
  • 本发明的实施例大体上提出形成硅化钴层、金属钴层和其它含钴材料的方法及设备。在一实施例中,在基板上形成含硅化钴材料的方法包括:使基板暴露于至少一预清洗处理,以暴露含硅表面;在含硅表面上沉积硅化钴材料;在硅化钴材料上沉积金属钴材料、以及在基板上沉积金属接触材料。在另一实施例中,方法包括:使基板暴露于至少一预清洗处理,以暴露含硅表面;在含硅表面上沉积硅化钴材料;使基板暴露于退火处理;在硅化钴材料上沉积阻挡材料、以及在阻挡材料上沉积金属接触材料
  • 用于形成材料工艺
  • [发明专利]半导体发光设备及其制造方法-CN200410047755.3有效
  • 栗田贤一;金子延容 - 夏普株式会社
  • 2004-05-20 - 2004-12-01 - H01S5/022
  • 一种半导体发光设备包括非导电性辅助支架;在辅助支架上设置的金属层;在金属层上设置的焊接材料元件;和通过焊接材料元件管芯焊接到金属层上的半导体发光器件。金属层表面包括具有粘附在其上的焊接材料元件的焊接材料附着区和暴露金属层表面的金属层暴露区。焊接材料附着区电连接到金属层暴露区。焊接材料附着区比半导体发光器件的管芯焊接区更大。金属层暴露区具有暴露了辅助支架的金属层除去区。
  • 半导体发光设备及其制造方法
  • [发明专利]颗粒增强铝基复合材料表面颗粒暴露及后处理方法-CN200510025484.6无效
  • 冯涛;楼松年;吴鲁海 - 上海交通大学
  • 2005-04-28 - 2005-10-26 - C23C14/24
  • 一种用于复合材料钎焊技术领域的颗粒增强铝基复合材料表面颗粒暴露及后处理方法,本发明将碱和混合酸溶液按照一定的比例分别与水混合,先用热碱溶液对复合材料表面进行浸蚀,后用冷水进行冲洗;然后用混合酸溶液对复合材料表面进行浸蚀,然后用冷水对材料表面进行冲洗,后用热水漂洗,最后用冷风吹干,完成颗粒暴露;颗粒暴露之后的试样要迅速放置到真空气相沉积室中,在表面镀Cu,完成复合材料表面颗粒暴露及后处理。本发明实现了对不同形状和大小、不同颗粒增强的铝基复合材料的颗粒暴露,通过控制腐蚀溶液的浓度,腐蚀温度和时间,实现铝基复合材料表面颗粒暴露控制,并利用气相沉积改善钎料在复合材料表面的润湿性。
  • 颗粒增强复合材料表面暴露处理方法

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