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[实用新型]曝光机-CN201720477103.6有效
发明人：刘维富 -专利权人：江西遂川光速电子有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种曝光机，使用本实用新型的曝光机时，在输送装置的附近设置PCB板检测器，只有在PCB板检测器检测到PCB板存在时，将信号反馈到PLC控制程序，PLC相关控制程序才控制曝光电源组开始曝光操作，保证了曝光操作的准确性。在曝光机上增设了PCB板输送设备，就可以同时将多块PCB板放置在输送带上，在PLC程序的控制下，有序、高效地进行曝光操作，提高了生产效率。在曝光电源壳体的内壁上设置散热片，能够对曝光电源进行有效地散热，保证PCB板曝光过程的安全。
曝光

[发明专利]一种照度测量方法及装置-CN201210504948.1有效
发明人：吴呈煜 -专利权人：广东欧珀移动通信有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G01J1/00 文献下载
摘要：本发明适用于移动终端技术领域，提供了一种照度测量方法，包括：启动摄像头，所述摄像头置于朝向光源的位置；检测所述摄像头中图像传感器曝光得到的曝光电压；在预设数据库中获取与所述曝光电压相关联的照度值；将所述与所述曝光电压相关联的照度值确定为所述摄像头所处位置的照度值本发明通过将摄像头置于朝向光源的位置，检测摄像头成像时图像传感器的曝光电压，并将检测到的曝光电压转换为相应的照度值，从而在不依赖于专用照度计的前提下，完成照度的测量，有效降低了照度测量的测量成本，方便了用户使用
一种照度测量方法装置

[发明专利]改善图像拖尾的图像传感器像素结构及其控制方法-CN202111282975.4在审
发明人：郭同辉;徐辰;邵泽旭;石文杰;赵春;张淏洋;侯金剑;任冠京 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种改善图像拖尾的图像传感器像素结构及其控制方法，在图像传感器像素结构中设置位于光电二极管上的电荷传输辅助栅，通过在光电二极管积分周期内，将电荷传输辅助栅的栅极处于高电位状态，从而使得光电二极管N型区的完全耗尽电势增高及电荷容量增高；在第一复位操作和光电电荷信号的传输操作的过程中，将电荷传输辅助栅的栅极处于低电位状态，可降低光电二极管N型区的完全耗尽电势，电荷传输辅助栅起到驱赶电荷的作用，有效提升电荷从光电二极管传输到漂浮扩散有源区的效率，避免光电二极管N型区电荷残留问题，从而本发明可有效改善图像传感器图像拖影的问题。
改善图像图像传感器像素结构及其控制方法

[实用新型]改善图像拖尾的图像传感器像素结构-CN202122648097.5有效
发明人：郭同辉;徐辰;邵泽旭;石文杰;赵春;张淏洋;侯金剑;任冠京 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种改善图像拖尾的图像传感器像素结构，在图像传感器像素结构中设置位于光电二极管上的电荷传输辅助栅，通过在光电二极管积分周期内，将电荷传输辅助栅的栅极处于高电位状态，从而使得光电二极管N型区的完全耗尽电势增高及电荷容量增高；在第一复位操作和光电电荷信号的传输操作的过程中，将电荷传输辅助栅的栅极处于低电位状态，可降低光电二极管N型区的完全耗尽电势，电荷传输辅助栅起到驱赶电荷的作用，有效提升电荷从光电二极管传输到漂浮扩散有源区的效率，避免光电二极管N型区电荷残留问题，从而本实用新型可有效改善图像传感器图像拖影的问题。
改善图像图像传感器像素结构

[发明专利]固体摄像装置-CN201280030161.4有效
发明人：坂田祐辅;森三佳;广濑裕;益田洋司;栗山仁志;宫川良平 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及的固体摄像装置具备：第一电极(113)，被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极(115)，被形成在光电转换膜(114)上；电荷积蓄区域(104)，与第一电极(113)电连接，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷；放大晶体管(108a)，对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大；复位栅极电极，对电荷积蓄区域(104)进行复位；以及由半导体材料构成的接触插头(107)，用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接，且与电荷积蓄区域(104)直接接触。
固体摄像装置

[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件的驱动方法以及电子装置-CN201110137136.3无效
发明人：大池祐辅 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：所述固体摄像器件包括多个单位像素且包括中间电荷传输单元。各所述单位像素具有用于根据入射光量产生电荷并累积该电荷的光电转换器、用于传输所述光电转换器中的累积电荷的第一传输门、用于保持从所述光电转换器传输来的电荷的电荷保持区域、用于传输所述电荷保持区域中所保持的电荷的第二传输门和用于保持从所述电荷保持区域传输来的电荷以便将该电荷转换成电压的浮动扩散区域所述中间电荷传输单元被配置为，所述中间电荷传输单元能够将在所述光电转换器中产生的超过预定电荷量的电荷作为第一信号电荷传输至电荷保持区域。
固体摄像器件驱动方法以及电子装置

[发明专利]固体摄像元件-CN200780044387.9有效
发明人：大塚慎也;铃木久则;米田康人;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：固体摄像元件(1)，具备：按规定的方向进行排列并且在与规定的方向交叉的方向上朝着一边电位被升高的多个光电变换部(2)、在与规定的方向交叉的方向上被配设于光电变换部(2)的一侧并将由光电变换部(2)所产生的电荷向规定的方向进行传送的传送部(6)、以沿着与规定的方向交叉的方向并与光电变换部(2)邻接的方式进行配设并从光电变换部(2)将由光电变换部(2)所产生的不要电荷进行排出的不要电荷排出漏极部(7)、被配设于光电变换部(2)和不要电荷排出漏极部(7)之间并有选择性地实行从光电变换部(2)向不要电荷排出漏极部(7)的不要电荷的流动的切断以及开放的不要电荷排出栅极部(8)。
固体摄像元件

[发明专利]具有带有单一植入的多个光电二极管的高动态范围像素-CN201310533739.4无效
发明人：陈刚;杨大江;李津;毛杜立;戴幸志 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及具有带有单一植入的多个光电二极管的高动态范围像素。一种高动态范围图像传感器像素包含安置于半导体材料中的短积分光电二极管及长积分光电二极管。所述长积分光电二极管具有实质上大于所述短积分光电二极管的曝光区域的曝光区域。所述短积分光电二极管的所述曝光区域具有来自第一掺杂植入的第一掺杂浓度。所述长积分光电二极管的所述曝光区域包含具有来自所述第一掺杂植入的所述第一掺杂浓度的至少一个经植入部分。所述长积分光电二极管的所述曝光区域进一步包含经光掩蔽以免受所述第一掺杂植入影响的至少一个未植入部分，使得所述长积分光电二极管的所述曝光区域的所述经植入与未植入部分的经组合掺杂浓度小于所述短积分光电二极管的所述曝光区域的所述第一掺杂浓度
具有带有单一植入光电二极管动态范围像素

[发明专利]飞行时间传感器像素电路及其配置方法-CN202110838189.1在审
发明人：郭同辉;邵泽旭;徐辰;石文杰;张盛鑫 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：一种飞行时间传感器像素电路及其配置方法，属于传感器领域，光电转换元件接收调制光波以产生电荷；所述调制光波由光源发射电路所发送并经目标物体反射至光电转换元件；调制光波为脉冲时长为T且周期为3T的脉冲调制光波；三个电荷存储转移电路分别对背景光光电电荷、同步光电电荷以及正交光电电荷进行存储以生成三个积分电荷信号；电荷读出电路根据三个积分电荷信号输出三个光电信号。故光源发射电路仅需一次发射相同帧的调制光波，即可计算出时间信息，使得光源功耗较低，且三个积分电荷信号由一次发射的调制光波产生，故避免了运动物体的信息失真，提高了时间信息的获取精度。
飞行时间传感器像素电路及其配置方法

[发明专利]受光装置-CN202080079786.4在审
发明人：中村信男;蛯子芳树;远藤表德;河合信宏;古闲史彦;横川创造;寄门雄飞;若林准人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：在受光装置(1)中，受光元件(10)包括将光转换成电荷的第一光电转换单元(PD)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元(MEM)、将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极(150)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元(MEM)和将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极(150)，其中当从半导体基板(200)的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着与列方向以预定角度相交的方向延伸通过第一光电转换单元的中心。
装置

[实用新型]飞行时间传感器像素电路-CN202121696355.0有效
发明人：郭同辉;邵泽旭;徐辰;石文杰;张盛鑫 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：一种飞行时间传感器像素电路，属于传感器领域，光电转换元件接收调制光波以产生电荷；所述调制光波由光源发射电路所发送并经目标物体反射至光电转换元件；调制光波为脉冲时长为T且周期为3T的脉冲调制光波；三个电荷存储转移电路分别对背景光光电电荷、同步光电电荷以及正交光电电荷进行存储以生成三个积分电荷信号；电荷读出电路根据三个积分电荷信号输出三个光电信号。故光源发射电路仅需一次发射相同帧的调制光波，即可计算出时间信息，使得光源功耗较低，且三个积分电荷信号由一次发射的调制光波产生，故避免了运动物体的信息失真，提高了时间信息的获取精度。
飞行时间传感器像素电路

[发明专利]光接收元件和光接收装置-CN202080075721.2在审
发明人：寄门雄飞;蛯子芳树;远藤表德;河合信宏;古闲史彦;中村信男;横川创造;若林准人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种光接收元件，包括：光电转换单元(PD)，其被设置在半导体基板(200)中并将光转换为电荷；第一电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第一电荷累积单元(MEM)；第二电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第二电荷累积单元。第一电荷累积单元和第二电荷累积单元中的每个包括构成叠层的电极(154a)、第一绝缘层和半导体层(102a)。
接收元件装置

[发明专利]成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置-CN202211012430.6在审
发明人：渡部泰一郎;古闲史彦;伊东恭佑;富樫秀晃;杉森友策 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且所述光电转换层的位于所述第一电极和所述电荷存储电极之间的区域中的电荷迁移率的值大于所述光电转换层的位于所述成像元件和相邻成像元件之间的区域中的电荷迁移率的值。
成像元件层叠固态装置

[发明专利]一种背照式电荷域全局快门图像传感器及其制作方法-CN202011191650.0有效
发明人：袁恺;陈世杰 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式电荷域全局快门图像传感器及其制作方法，该图像传感器包括衬底、光电二极管、电荷存储节点、深沟槽隔离结构、介质层及电荷传输晶体管，其中，光电二极管及电荷存储节点均位于衬底中，且在水平方向上间隔预设距离，深沟槽隔离结构位于光电二极管与电荷存储节点之间，并在垂直方向上贯穿衬底，电荷传输晶体管位于介质层中，且电荷传输晶体管在衬底上的垂直投影与光电二极管及电荷存储节点均部分重叠。本发明采用金属遮光层和贯通衬底的背面深沟槽隔离结构将电荷存储节点完全遮蔽，与光电二极管实现衬底内的完全隔离，并在衬底外制备传输晶体管来实现光电二极管到电荷存储节点的光电子传输，可以有效抑制寄生光效应的影响
一种背照式电荷全局快门图像传感器及其制作方法

[发明专利]一种使用像素确定飞行时间的方法、设备及飞行时间感测系统-CN201280066810.6有效
发明人：马诺杰·比库曼德拉;萨西德哈尔·萨拉迪 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：本发明揭示一种飞行时间像素，其包含光电二极管，所述光电二极管响应于入射于所述光电二极管上的光而积累电荷。第一转移晶体管耦合于所述光电二极管与第一电荷存储装置之间以将来自所述光电二极管的电荷选择性地转移到所述第一电荷存储装置。第二转移晶体管耦合于所述光电二极管与第二电荷存储装置之间以将来自所述光电二极管的电荷选择性地转移到所述第二电荷存储装置。启用晶体管耦合于所述第一电荷存储装置与耦合到所述第二电荷存储装置的读出节点之间以将所述第一电荷存储装置选择性地耦合到所述读出节点。具有栅极的放大器晶体管也耦合到读出节点。
电荷存储装置光电二极管读出节点耦合到转移晶体管电荷耦合飞行放大器晶体管晶体管耦合感测系统积累电荷像素确定入射像素响应