专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种扫描曝光方法及装置、扫描曝光设备-CN202210351933.X在审
  • 冯京;刘鹏;王志冲;苌川川;袁广才;董学 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2022-04-02 - 2022-06-28 - G03F7/20
  • 本公开实施例提供一种扫描曝光方法及装置、扫描曝光设备。方法包括:根据待曝光基板的多个待曝光版图,确定目标扫描速度和各待曝光版图分别对应的预设曝光剂量;根据各待曝光版图和各预设曝光剂量,确定各预设曝光剂量在待曝光基板上对应的各曝光区域;根据各预设曝光剂量,确定参考曝光剂量;基于目标扫描速度对待曝光基板进行扫描,在扫描至各曝光区域的情况下,调节数字曝光机的数字微镜单元在曝光区域的曝光剂量为对应的目标曝光剂量;其中,根据曝光区域对应的预设曝光剂量、参考曝光剂量以及预设的目标剂量关系式,确定对应的目标曝光剂量。本公开的技术方案,可以实现一次扫描过程中的多剂量曝光,节约了曝光时间。
  • 一种扫描曝光方法装置设备
  • [发明专利]晶圆曝光修正方法及系统与存储介质-CN201911194288.X有效
  • 张君君 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-11-28 - 2023-08-29 - G03F7/20
  • 本发明实施例提供一种晶圆曝光修正方法及系统与存储介质。一种晶圆曝光修正方法,包括:获取曝光剂量分布图,曝光剂量分布图用于表征每一曝光单元与初始曝光剂量对应的曝光剂量修正系数;曝光处理步骤,基于曝光剂量修正系数对初始曝光剂量进行修正,获取修正曝光剂量,采用修正曝光剂量对待处理的晶圆进行曝光处理,获取处理后的晶圆中多个曝光单元的修正特征尺寸;更新步骤,基于曝光剂量修正系数与修正特征尺寸之间的对应关系,计算每一修正特征尺寸对应的曝光剂量修正系数,根据计算得到的多个曝光剂量修正系数更新曝光剂量分布图;重复进行曝光处理步骤以及更新步骤,持续更新曝光剂量分布图。
  • 曝光修正方法系统存储介质
  • [发明专利]一种背面曝光工艺优化方法-CN201410723327.1有效
  • 王健 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司
  • 2014-12-04 - 2017-12-29 - G03F7/20
  • 本发明公开一种背面曝光工艺优化方法,其特征在于,包括步骤一、建立光刻仿真工艺环境;步骤二,设定不同的正面曝光剂量和u因子,得到不同的正面曝光剂量和背面曝光剂量组合下的曝光图形,其中u因子为正面曝光剂量和背面剂量之比;步骤三,确定目标CD的范围,得出正面曝光剂量与背面曝光剂量的范围;步骤四,在得出正面曝光剂量与背面曝光剂量的范围内均匀的选取采样点,组成不同的正面曝光剂量和背面曝光剂量的组合;步骤五,仿真每一个组合在不同焦面位置下的CD结果,得到CD随焦面位置变化的曲线并做拟合,计算可用焦深;步骤六,选取最优的正面曝光剂量以及u因子。
  • 一种背面曝光工艺优化方法
  • [发明专利]光刻机剂量均匀性的测量方法-CN201911039601.2有效
  • 刘泽华;陈震东 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司
  • 2019-10-29 - 2021-10-15 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种光刻机剂量均匀性的测试方法。该测试方法包括:上载待曝光掩模版,待曝光掩模版包括监控标记;采用待曝光掩模版进行焦面‑剂量矩阵曝光,获取不同焦距和曝光剂量下监控标记的套刻误差;确定焦距、曝光剂量与套刻误差之间的关系矩阵;根据关系矩阵确定曝光剂量作用区间;采用曝光剂量作用区间内的任意曝光剂量对待曝光掩模版进行焦距矩阵曝光;获取监控标记的实际套刻误差;根据关系矩阵以及实际套刻误差确定曝光场内各点的实际曝光剂量,以得到光刻机的剂量均匀性。本发明的技术方案可适应各种工况需求,也可排除焦面与像差的干扰,从而可准确测量光刻机的曝光剂量剂量均匀性。
  • 光刻剂量均匀测量方法
  • [发明专利]一种曝光方法-CN200910045701.6无效
  • 李承赫 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-01-23 - 2010-07-28 - G03F7/20
  • 一种曝光方法,所述曝光方法包括:提供布局图;利用布局图的图形信息生成第一曝光条件和第二曝光条件;针对所述第一曝光条件形成第一模型,针对所述第二曝光条件形成第二模型;对第一模型和第二模型进行曝光实验,获得第一曝光剂量和第二曝光剂量;根据第一模型和第二模型生成与前述布局图相对应的模型,并根据所述生成的模型和第一曝光剂量生成第三曝光剂量,根据所述生成的模型和第二曝光剂量生成第四曝光剂量;利用所述与前述布局图相对应的模型制备得到掩膜版;对待曝光的晶圆按照第一曝光条件和第三曝光剂量进行曝光;对所述曝光后的晶圆按第二曝光条件和第四曝光剂量进行曝光。所述曝光方法降低了成本费用并且提高了生产效率。
  • 一种曝光方法
  • [发明专利]平板探测器的曝光剂量的确定方法、装置及设备-CN201510918066.3有效
  • 张连成;苏远 - 沈阳东软医疗系统有限公司
  • 2015-12-11 - 2019-03-19 - A61B6/00
  • 本申请公开了平板探测器的曝光剂量的确定方法、装置及设备,所述方法包括:获取平板探测器的理论曝光剂量,所述理论曝光剂量为所述平板探测器的线性拟合函数中因变量为预设的目标图像灰度时对应的自变量值,所述线性拟合函数为图像灰度随曝光剂量呈线性变化的拟合函数;获取所述平板探测器根据所述理论曝光剂量进行曝光所得的第一图像灰度;若所述第一图像灰度与所述目标图像灰度之间的误差在预设的误差范围内,则确定所述理论曝光剂量为匹配所述目标图像灰度的目标曝光剂量。本申请实施例可以有效降低曝光次数,快速获得与目标图像灰度匹配的目标曝光剂量,提高平板探测器的曝光剂量的确定效率,进而提高平板探测器的校正效率。
  • 平板探测器曝光剂量确定方法装置设备
  • [发明专利]AEC模式下曝光截止剂量校正方法及装置-CN201510486618.8有效
  • 夏晓晶;代蓓 - 上海联影医疗科技有限公司
  • 2015-08-10 - 2017-11-28 - A61B6/00
  • 本发明公开了一种AEC模式下曝光截止剂量校正方法,本方法统计特定年龄区间的待检部位在非AEC模式下的曝光截止剂量并计算曝光截止剂量的均值,在均值满足预设条件时,根据待检者的年龄等信息确定待检者的身体厚度及对应的AEC模式下曝光截止剂量,或者以所述均值作为对应的AEC模式下曝光截止剂量。本发明还公开了一种AEC模式下曝光截止剂量校正装置和X射线摄影系统。本发明的AEC模式下曝光截至剂量的校正方法可以得到更符合实际临床检查的曝光截止剂量,提高检查结果的准确性,使得自动曝光控制更加符合实际成像需求,在最低剂量条件下达到最优图像质量。
  • aec模式曝光截止剂量校正方法装置
  • [发明专利]光刻机曝光剂量控制方法-CN200910199446.0有效
  • 张俊;张志钢;罗闻 - 上海微电子装备有限公司
  • 2009-11-26 - 2011-06-01 - G03F7/20
  • 本发明的光刻机曝光剂量控制方法包括以下步骤:步骤1,向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件;所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req;步骤2,光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析,选择偏好数学模型进行运算,得到剂量控制参数;步骤3,光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数,控制光刻机进行曝光。本发明的光刻机曝光剂量控制方法灵活性强,测试过程中,操作简单、直观。
  • 光刻曝光剂量控制方法
  • [发明专利]数字放射成像曝光剂量的评价方法-CN201310440199.5在审
  • 郭朋;李运祥 - 深圳市蓝韵实业有限公司
  • 2013-09-25 - 2015-03-25 - G03B7/00
  • 本发明公开一种数字放射成像曝光剂量的评价方法,其包括步骤:采集不同曝光电流下的多幅曝光图像,并记录每幅曝光图像对应的曝光剂量Dosei,通过线性拟合公式为Dosei=Slop*Meani+Offset确定每幅曝光图像的灰度均值Meani与对应的曝光剂量Dosei进行线性拟合时的斜率Slop和偏移量Offset;在待评价的曝光图像中提取感兴趣区域并计算感兴趣区域的感兴趣值Value,利用公式EI=Slop*Value+Offset计算曝光指数EI;通过计算曝光偏差指数DI,EIT为预设的目标曝光指数,曝光偏差指数DI为正时表示曝光剂量偏高,曝光偏差指数DI为负时表示曝光剂量偏低本发明通过计算曝光偏差指数DI来对曝光剂量进行客观的量化评估,从而方便后续调整曝光参数,获得曝光剂量适当的图像。
  • 数字放射成像曝光剂量评价方法

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