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[发明专利]晶种层和晶种层的制造方法-CN201080013184.5无效
发明人：内森·G·斯托达德 -专利权人： AMG艾迪卡斯特太阳能公司
申请日： 2010-01-13 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于铸造适合用于太阳能电池或太阳能模块的硅的晶种层和晶种层的制造方法。所述方法包括安置边缘对齐的瓦片以在适当的表面上形成接缝的步骤以及在所述接缝处接合所述瓦片以形成晶种层的步骤。所述接合步骤包括加热所述瓦片以熔化所述瓦片的至少一部分、使所述瓦片在至少一个接缝的两端与电极接触、使用非晶硅的等离子体沉积、施加光子以熔化所述瓦片的一部分和/或层沉积。本发明的晶种层包括宽度和长度为至少约500毫米的直线形状。
晶种层制造方法

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201210011805.7无效
发明人：李佳霖;毕建中 -专利权人：联相光电股份有限公司
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜太阳能电池及其制造方法。薄膜太阳能电池包含基板以及半导体层。半导体层包含P型晶硅层、第一I型晶硅层、第一N型晶硅层、第二I型晶硅层以及第二N型晶硅层。P型晶硅层是位于基板上；第一I型晶硅层是位于P型晶硅层上；第一N型晶硅层是位于第一I型晶硅层上；第二I型晶硅层是位于第一N型晶硅层上；以及第二N型晶硅层是位于第二I型晶硅层上。其中，通过在半导体层内增设第二I型晶硅层及第二N型晶硅层，以提升薄膜太阳能电池的光电转换效率。
薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]晶种层结构和方法-CN201310030491.X有效
发明人：江祯斌;王泓智;李魁斌;周其雨;梁耀祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：晶种层结构和方法。一种晶种层包括在通孔开口的底部上形成的底部晶种层部分、在通孔开口的侧壁的上部上形成的侧壁晶种层部分以及在底部晶种层部分和侧壁晶种层部分之间形成的拐角晶种层部分。侧壁晶种层部分具有第一厚度。拐角晶种层部分具有第二厚度，并且第二厚度大于第一厚度。
晶种层结构方法

[发明专利]一种新型微晶-晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法-CN202111490927.4在审
发明人：白焱辉;杨立友;王继磊;黄金;鲍少娟;师海峰;杨文亮;冀杨洲;高英杰;潘国鑫;贾慧君 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种新型微晶‑晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法，包括硅衬底，所述硅衬底的一面依次叠加设置正面本征非晶硅层、正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、正面TCO层，所述硅衬底的另一面依次叠加设置背面本征非晶硅层、背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、背面TCO层，在所述正面本征非晶硅层和所述正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置正面本征微晶硅/纳米晶硅层，和/或在所述背面本征非晶硅层和所述背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置背面本征微晶硅/纳米晶硅层。
一种新型晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610384209.1有效
发明人：崔康植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一源晶种层；第二源晶种层，所述第二源晶种层被设置在所述第一源晶种层上方，同时与所述第一源晶种层间隔开；堆叠结构，所述堆叠结构被形成在所述第二源晶种层上；沟道层，所述沟道层通过穿透所述堆叠结构而延伸到所述第一源晶种层内；以及夹层源层，所述夹层源层延伸到所述第一源晶种层与所述第二源晶种层之间的空间中，同时接触所述沟道层、所述第一源晶种层和所述第二源晶种层中的每一个。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构-CN201010261581.6有效
发明人：刘英策;火东明;孙天宝 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-08-21 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：一种半导体芯片的共晶方法，包括：以基板的一面为承载面形成第一共晶层和以半导体芯片的一面为承载面形成第二共晶层，所述第一共晶层或者第二共晶层为形成有孔结构的共晶层；对第一共晶层和第二共晶层进行共晶连接。本发明还涉及一种半导体芯片的共晶结构，包括半导体芯片、基板，以及位于半导体芯片和基板之间的共晶连接层，其中，所述共晶连接层由第一连接层和有孔结构的第二连接层共晶结合而成。本发明实施例提供的一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构，有孔的共晶层和另一共晶层共晶，使二者之间形成更均匀结合力更强的共晶层，进而提高芯片和基板之间的结合力。
一种半导体芯片方法结构

[发明专利]一种可折叠碳晶电热毯-CN201711042287.4在审
发明人：薛蕙心 -专利权人：无锡蓝晶电子科技有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： F24D13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可折叠碳晶电热毯，包括套体、设置在套体内部碳晶发热层、设置在碳晶发热层下表面的隔热层和设置在碳晶发热层上表面的导热层，所述套体外表面包裹有防水面料层，所述导热层上表面处设有网状隔热层，所述碳晶发热层包括若干碳晶发热片，所述碳晶发热片与碳晶发热片之间并联电性连接，所述碳晶发热片与碳晶发热片以纵横编织构成碳晶发热层，该碳晶发热片与碳晶发热片重叠处中间设有保温隔热层，相邻的两个碳晶发热片之间保温层，该保温层宽度为碳晶发热片宽度的
一种可折叠电热毯

[发明专利]集成电路组件、处理器和片上系统-CN202310672654.8在审
发明人：许晗;李双辰;张喆;卓有为;魏学超;牛迪民;郑宏忠 -专利权人：阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种集成电路组件、处理器和片上系统。所述集成电路组件包括三层晶圆层，所述晶圆层包括正面与背面，其中第一层晶圆层与第二层晶圆层正面对正面堆叠，所述第二层晶圆层与第三层晶圆层正面对背面堆叠，所述三层晶圆层经过硅通孔、重布线层以及混合键合互相连接，所述第二层晶圆层或者三层晶圆层中的慢速晶圆层包括直接内存存取主控制器，所述直接内存存取主控制器配置为接收所述其他层晶圆层的从端发送的数据传输请求，令所述第二层晶圆层或者三层晶圆层中的慢速晶圆层的从端进行数据传输本发明实施例第二层晶圆层或者慢速晶圆层的直接内存存取主控制器，令数据传输无需跨越三层晶圆层，减少了数据传输的距离。
集成电路组件处理器系统

[发明专利]一种改善FinFET晶背工艺的方法-CN202111238559.4在审
发明人：李红;郭扬扬;赵保军 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种改善FinFET晶背工艺的方法，在晶圆的晶背上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成氮化硅垫层；在氮化硅垫层上形成第一非晶硅层；去除第一非晶硅层；在氮化硅垫层上形成第二非晶硅层；在第二非晶硅层上形成第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层；去除第一、第二氮化硅层，将第二非晶硅层暴露；在晶圆的正面和晶背同时沉积第二氧化层；利用第二非晶硅层作刻蚀阻挡层去除所述晶背的所述第二氧化层；在晶圆的正面和晶背同时沉积多晶硅；之后去除晶背的所述多晶硅和第二非晶硅层；将第二氮化硅层暴露。本发明通过对晶背沉积非晶硅和氮化硅，阻挡刻蚀晶背的氧化层，使得晶背更加平整，有利于后续多晶硅工艺中对晶背的保护。
一种改善 finfet 工艺方法

[发明专利]一种大厚度纳米晶‑超细晶‑粗晶表面梯度层的制备方法-CN201710149764.0在审
发明人：王艳飞;黄崇湘 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C22F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大厚度纳米晶‑超细晶‑粗晶表面梯度层的制备方法，包括以下几个步骤在厚度大于1mm的金属板材上，先用多重速冷搅拌摩擦加工方法获得毫米级厚度的超细晶层和超细晶‑粗晶梯度层；再用高能球束均匀撞击超细晶层得到大厚度纳米晶‑超细晶‑粗晶表面梯度层。本发明所述的一种大厚度纳米晶‑超细晶‑粗晶表面梯度层的制备方法，所制备表面梯度层的结构特征是由表及里依次呈纳米晶‑变形态超细晶‑再结晶态超细晶‑变形态粗晶‑原始态粗晶多重梯度连续过渡，整个梯度层的厚度达到毫米量级且表面及内部都没有裂纹
一种厚度纳米超细晶表面梯度制备方法

[发明专利]LED磊晶制程-CN201210334114.0有效
发明人：林雅雯;黄世晟;凃博闵 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种LED磊晶制程，包括以下的步骤：在基板的表面上生长缓冲层；在第一温度下，在缓冲层的表面生长第一磊晶层；在低于第一温度的第二温度下，在第一磊晶层的表面生长第二磊晶层，从而使第二磊晶层的表面粗糙化；蚀刻第二磊晶层和第一磊晶层，直至将第二磊晶层的粗糙表面复刻至第一磊晶层；在第一磊晶层的粗糙表面沉积一层二氧化硅层；蚀刻二氧化硅层的顶面直至暴露出第一磊晶层，以形成多个凸起；以及在第一磊晶层上依次成长N型磊晶层、发光层以及P型磊晶层所述第一磊晶层的粗糙表面以及二氧化硅层的凸起可有效对发光层所发出的光线进行反射及阻挡，从而提高LED晶粒的出光效率。
led 磊晶制程

[发明专利]使硅层晶化的方法、薄膜晶体管和有机发光显示装置-CN201110087389.4无效
发明人：郑胤谋;李基龙;徐晋旭;李吉远;崔宝京 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种使硅层晶化的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。在基底上的缓冲层上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成密度为大约1011原子/cm2至大约1015原子/cm2的催化剂金属层。随着催化剂金属层的催化剂金属扩散到非晶硅层中，在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有锥形形状的晶化晶种。对非晶硅层进行热处理，从而随着由晶化晶种长成硅晶体，形成多晶硅层。
使硅层晶化方法薄膜晶体管有机发光显示装置

[实用新型]一种改善开路电压的非晶硅叠层太阳能电池-CN201420847119.8有效
发明人：李媛;周丽萍 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善开路电压的非晶硅叠层太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，是在透明导电玻璃基板上依次沉积顶电池非晶硅P型层、顶电池非晶硅缓冲层、顶电池非晶硅本征层、顶电池微晶硅N型层、底电池非晶硅P1层、底电池非晶硅P2层、底电池非晶硅P3层、底电池非晶硅缓冲层、底电池非晶硅本征层、底电池非晶硅N型层、背电极薄膜层和封装材料层而成。相对于现有结构，本实用新型增设了底电池非晶硅P2层与底电池非晶硅P3层两薄膜层。底电池三P型层设计，改善了底电池与顶电池的界面接触，增强了内建电场，使得非晶硅叠层电池的开路电压大大增加，同时提高了非晶硅叠层电池的光电转换效率。
一种改善开路电压非晶硅叠层太阳能电池

[发明专利]一种晶圆的失效分析方法-CN202010906595.2有效
发明人：王君易 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶圆的失效分析方法，包括：在所述晶圆的切割通道中，确定出目标测试区域，所述晶圆包括叠设的驱动晶圆层和阵列晶圆层，所述阵列晶圆层包括位于所述驱动晶圆层之上的堆叠层和位于所述堆叠层背离所述驱动晶圆层一侧的衬底，所述目标测试区域包括贯穿所述阵列晶圆层的贯穿触点以及形成于所述驱动晶圆层内且位于所述贯穿触点下方的测试结构；对所述贯穿触点的表面进行保护处理，得到保护处理后的晶圆；对所述保护处理后的晶圆中位于所述阵列晶圆层中的所述衬底进行刻蚀，得到刻蚀处理后的晶圆；对所述刻蚀处理后的晶圆进行失效分析。
一种失效分析方法

[实用新型]一种非晶硅薄膜太阳能电池-CN201820466326.7有效
发明人：李士刚;杨成涛;马训振;周丹丹;戚运东;马海庆;孟庆凯 -专利权人：山东海慧新能源科技有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本实用新型所提供的一种非晶硅薄膜太阳能电池，在镀有TCO膜的前板衬底上设置叠层电池层；在叠层电池层上设置缓冲层；在缓冲层上设置背电极层；叠层电池层分为三层，第一层为高氢稀释比的非晶硅层；第二层为非晶硅本征层；第三层为非晶硅锗层。本实用新型通过增加叠层电池层与背电极层之间的缓冲层，有效减少短波段高能量入射光对材料的破坏作用。为了提高非晶硅转换效率，在非晶硅发电层采用非晶硅层/非晶硅本征层/非晶硅锗层叠层电池三层结构，降低非晶硅发电层的厚度，拓宽了材料的带隙范围，极大的降低了非晶硅电池的衰减速率，有效提升非晶硅电池效率。
叠层电池非晶硅缓冲层非晶硅薄膜太阳能电池非晶硅本征层本实用新型非晶硅电池背电极层非晶硅层发电层非晶硅锗层非晶硅锗三层结构有效减少转换效率层叠层第三层第一层短波段高能量入射光稀释比衬底带隙高氢前板三层衰减电池

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