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[发明专利]一种半导体晶棒的拉晶方法-CN201510211339.0在审
发明人：陈磊;刘栓红;赵丽萍;张文涛;蔡水占;郭晶晶;张会超;陈永平;王东胜;惠小青;辛世明;田红丽 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产技术领域，名称是一种半导体晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤：a、将晶棒在280—320℃时进行第一次拉晶；b、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300—340℃；c、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280—320℃，上述的拉晶步骤是在振幅1毫米、频率30赫兹情况下进行的，这样的半导体晶棒的拉晶方法具有生产出的晶棒品质更好
一种半导体方法

[实用新型]一种拉晶棒-CN201420544772.7有效
发明人：陈磊;刘栓红;赵丽萍;钱俊有;张文涛;蔡水占;郭晶晶;张会超;陈永平 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： C30B29/60 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体致冷件生产技术领域，名称是一种拉晶棒，它包括拉晶棒本体，所述的拉晶棒本体是半导体原料经拉晶后成型的圆柱形或长方体形的结构，所述的拉晶棒本体侧面有多条平行的凹槽，所述的凹槽沿着拉晶棒本体长度的方向，所述的凹槽之间的距离是2.5—3.5毫米，这样的拉晶棒具有切割成晶粒时生产效率高、不容易出现错误的优点。
一种拉晶棒

[发明专利]一种硅棒拉制系统-CN202011255239.5在审
发明人：齐成天;罗向玉;李鑫;刘艳芳 -专利权人：银川隆基光伏科技有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种硅棒拉制系统，涉及太阳能硅棒拉制技术领域，以提供一种在硅棒拉制过程中，自动统计各个工序信息的技术方案。硅棒拉制系统包括：控制平台，以及与控制平台通信的拉晶设备以及检测设备；控制平台用于根据拉晶设备的状态参数，在确定硅料数据库中存在拉晶设备的加料需求信息的情况下，控制拉晶设备对满足拉晶设备的加料需求信息的硅料进行拉晶工序，以获得单晶硅棒，将拉晶设备发送的单晶硅棒的拉制信息存储至单晶硅棒数据库；控制平台还用于根据拉晶设备发送的收尾状态信息或停炉状态信息，控制检测设备对拉晶设备拉制的单晶硅棒进行检测工序，并将检测设备发送的单晶硅棒的检测信息存储至单晶硅棒数据库
一种拉制系统

[发明专利]一种晶棒提拉防脱落抱夹装置-CN202111105794.4有效
发明人：胡文祥;李万朋;卢维平;李阳;张忠涛;段世飞;尹嘉琦;高畅;孔奕人 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本发明属于硅棒制备领域，具体的说是一种晶棒提拉防脱落抱夹装置，包括主室和副室,所述主室的内部安装有坩埚，坩埚的内部放置有熔液，副室的内部活动安装有提拉头，提拉头的底端安装有子晶，子晶和熔液之间形成晶棒主体，晶棒主体包括抱夹头，副室的内部活动安装有与抱夹头对应的保护爪，工作时，在提拉晶棒主体上至保护爪的位置时，启动保护爪卡在抱夹头的外侧，然后保护爪和晶棒主体同步上升，直到晶棒主体生产完成，在这个过程中，如果一旦子晶发生断裂，则下方的保护爪会直接接住晶棒主体，避免了晶棒主体跌落后带来的各种危险，且保护爪不与晶棒主体直接接触，避免了对晶棒生产造成影响的情况。
一种晶棒提拉防脱落装置

[实用新型]一种直拉单晶炉-CN201920411715.4有效
发明人：姜志兴;张涛;陈骏;黄晶晶;叶鹏;贺小峰;陈养俊;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉单晶炉，包括副炉室、位于副炉室内且用于提拉晶棒的提拉装置，还包括：设置在提拉装置上、用于在提拉装置提拉晶棒时测量提拉装置的拉力的拉力传感器；与拉力传感器相连、用于当提拉装置的拉力小于预设值时控制夹持装置启动的控制装置；可移动地贴合在副炉室内炉壁上、与控制装置相连、用于在控制装置的控制下移向晶棒并夹持住晶棒的夹持装置。本申请公开的上述技术方案，当控制装置判断出提拉装置的拉力小于预设值时，则确定发生晶棒掉落，此时，控制装置则控制夹持装置启动，启动后的夹持装置从副炉室的内炉壁上移向晶棒并夹持住晶棒，以避免晶棒继续往下掉，从而避免晶棒对直拉单晶炉造成破坏，并避免引发安全事故。
晶棒提拉装置控制装置拉力传感器直拉单晶炉夹持装置装置启动副炉室控制夹副炉夹持提拉预设室内本实用新型安全事故可移动地内炉壁掉落炉壁上移贴合下移测量申请

[发明专利]半导体晶棒熔炼拉晶装置和熔炼拉晶的方法-CN201610302456.2在审
发明人：陈磊;陈建民;赵丽萍;钱俊有;张文涛;蔡水占;张会超;王东胜 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体致冷件的原材料—晶棒的生产技术领域，名称是半导体晶棒熔炼拉晶装置和熔炼拉晶的方法，半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座，在机座上具有可以升降的主立杆，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具，在机座上还有副立杆，副立杆上有升降动力装置，升降动力装置连接电磁加热线圈，电磁加热线圈内部具有套接在拉晶管外面的结构，在所述的电磁加热线圈内部和盛装拉晶管外面还安装有不锈钢套管；半导体晶棒熔炼拉晶的方法，它包括以下步骤：a、将三碲化二铋原材料放置在拉晶管中；b、将步骤1中的产品放置在不锈钢管中；c、将步骤b中的产品放置在电磁圈的环境中加热拉晶，温度是680‑720℃，时间是180‑200S，可以得到拉晶的产品。可以得到受热更均匀、品质更好的晶棒。
半导体熔炼装置方法

[发明专利]一种半导体晶体生长装置和方法-CN201910362435.3在审
发明人：王刚;沈伟民 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：所述半导体晶体生长装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内、用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及加热装置，所述加热装置用以在所述提拉装置从所述硅熔体内提拉出硅晶棒的过程中对所述硅晶棒的外表面进行加热根据本发明的半导体晶体生长装置和方法，通过在硅晶棒四周设置加热装置，对拉晶过程中的硅晶棒进行加热，有效减少了硅晶棒中心和边缘的温度不均匀分布，使晶棒稳定生长，减少了晶棒生长过程中的缺陷提升了晶体生长的质量
一种半导体晶体生长装置方法

[发明专利]晶棒生长控制方法以及控制系统-CN202010107769.9有效
发明人：温雅楠;金光勲 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种晶棒生长控制方法以及控制系统，所述晶棒生长温度优化方法至少包括：设定目标晶棒直径、目标提拉速度以及目标生长温度；检测实际晶棒直径并根据所述实际晶棒直径调整提拉速度，形成实际提拉速度，并将所述实际提拉速度与所述目标提拉速度进行比较；当所述实际提拉速度与所述目标提拉速度的差值超出偏差范围时，对目标生长温度进行调整，形成新目标生长温度；重复以上步骤，直至完成晶棒生长。本发明通过在晶棒生长过程中对晶体生长温度的实时校正，减小实际生长温度与目标温度之间的差距，实现晶体生长过程中的精细化控制，有助于提高晶体生长质量以及产量。
生长控制方法以及控制系统

[发明专利]间接控制拉晶直径的方法及直拉单晶晶棒的生产方法-CN202010379353.2有效
发明人：梁万亮;丁亚国;马国忠;顾燕滨;河野贵之 -专利权人：宁夏富乐德石英材料有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种间接控制拉晶直径的方法及直拉单晶晶棒的生产方法，在获取到的所述生产状态影像中，获取参考晶棒直径，并对参考晶棒直径进行修正，以修正后参考晶棒直径为参照，控制等径时的单晶直径。一方面，在所述生产状态影像中，能够获取完整的参考晶棒直径，从而解决了由于晶棒直径过大或单晶炉设计缺陷，导致通过传统测径仪无法直接获取拉晶直径，造成拉晶直径失控的技术问题。另一方面，提供了一种新的控制拉晶直径的方式，克服通过传统测径仪无法直接获取拉晶直径的问题的同时，为操作人员测量并控制拉晶直径提供可靠的参考，有利于降低由于测径仪本身、测径仪操作过程及操作人员主观因素引入的测量误差
间接控制直径方法直拉单晶晶棒生产

[实用新型]一种防掉棒装置及单晶炉-CN202222928561.0有效
发明人：刘怀玉;欧子杨;尚伟泽;白枭龙 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种防掉棒装置及单晶炉，涉及光伏技术领域，所述防掉棒装置用于防止上提拉机构所夹持的晶棒掉落，上提拉机构用于夹持并提拉晶棒，防掉棒装置包括：重量监测装置，设于上提拉机构上，用于实时监测晶棒的重量；位置检测装置，用于检测晶棒在提拉过程中所处的位置；夹持机构，夹持机构与重量监测装置及位置检测装置均电连接，夹持机构位于晶棒周围，具有防护状态和夹持状态，当位置检测装置检测到晶棒处于预设位置时，夹持机构处于防护状态；当重量监测状态监测到的晶棒的重量减小时，夹持机构处于夹持状态。有效防止了晶棒在拉晶过程中掉落，避免了对单晶炉及整个热系统造成损坏，同时避免了安全事故的发生。
一种防掉棒装置单晶炉

[实用新型]一种拉晶瓶-CN201120285466.2有效
发明人：刘宝成 -专利权人：河南恒昌电子有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体冶炼过程中的装置，涉及一种拉晶瓶，它是半导体晶棒成型的瓶子。一种拉晶瓶，包括瓶体，其特征是：所述的瓶体截面内部是方形的空芯。这样结构的拉晶瓶能够生产出方形的晶棒，用方形的晶棒生产晶块具有产出率更高、成本更低的优点。
一种拉晶瓶

[发明专利]一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉-CN202310649445.1在审
发明人：陈立民;陈丽芳;王泽东;李海林 -专利权人：曲靖阳光新能源股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉，包括：熔晶炉、拉晶炉，所述拉晶炉设置在所述熔晶炉顶部，所述拉晶炉底部与所述拉晶炉顶部连通，所述熔晶炉内设置有坩埚，所述坩埚安装在旋转机构顶部，所述旋转机构底部安装在熔晶炉底面，所述坩埚顶部设置有防硅跳组件，所述拉晶炉顶部设置有提拉机构，所述提拉机构用于将坩埚内熔融状态的硅向上牵引在拉晶炉内形成硅棒，所述拉晶炉内设置有塑形机构，所述塑形机构设置在坩埚上部，所述塑形机构用于对提拉机构上拉熔融状态的硅进行塑形；用以避免坩埚内发生硅跳对拉晶炉造成的危害。
一种用于拉制单晶硅拉晶炉

[发明专利]一种晶棒的拉晶方法-CN201510215597.6在审
发明人：陈磊;刘栓红;赵丽萍;张文涛;蔡水占;郭晶晶;张会超;陈永平;王东胜;惠小青;辛世明;田红丽 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2015-05-01 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及致冷件生产技术领域，是一种晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤：a、将晶棒在30-40分钟内温度升至280-320℃，并保持10-15分钟；b、将上述步骤a中晶棒在7-9分钟内冷却到50-60℃即可；较好地，上述步骤a中，晶棒是在10-12V／cm的电场中进行的，上述步骤a中，晶棒是在振幅1毫米、频率40-60赫兹情况下进行的，这样的半导体晶棒的拉晶方法具有生产出的晶棒品质更好、切割晶棒时破碎率低
一种方法

[实用新型]半导体晶棒熔炼拉晶装置-CN201620413568.0有效
发明人：陈磊;陈建民;赵丽萍;钱俊友;张文涛;蔡水占;张会超;王东胜 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体致冷件的原材料—晶棒的生产技术领域，名称是半导体晶棒熔炼拉晶装置，半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座，在机座上具有可以升降的主立杆，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具，在机座上还有副立杆，副立杆上有升降动力装置，升降动力装置连接电磁加热线圈，电磁加热线圈内部具有套接在拉晶管外面的结构，在所述的电磁加热线圈内部和盛装拉晶管外面还安装有不锈钢套管；使用本实用新型可以得到受热更均匀、品质更好的晶棒
半导体熔炼装置

[发明专利]一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉-CN202111146606.2在审
发明人：徐鹏;张婉婉 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉，所述拉晶炉包括限定出热处理室的加热器，所述加热器在所述拉晶炉中设置成使得，所述单晶硅棒能够通过沿着拉晶方向移动而进入到所述热处理室中。通过使用本发明实施例的拉晶炉，在单晶硅棒被拉制出之后就继续在拉晶炉中对单晶硅棒进行热处理，由于热处理室就设置在拉晶炉内，不需要对硅棒进行转移运送，而且可以在拉晶炉内对整根单晶硅棒进行热处理，因此大大提高了热处理的效率，另外，由于是对单晶硅棒而非晶片进行热处理，因此避免了晶片热处理过程中的交叉污染以及由于晶片与晶舟接触可能造成的晶格滑移位错问题。
一种用于拉制单晶硅拉晶炉

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