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[发明专利]一种KDP晶体表面微纳纹理的无损伤数控水溶解抛光去除方法-CN201510480631.2有效
发明人：高航;王旭;陈玉川;郭东明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-08-09 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：一种KDP晶体表面微纳纹理的无损伤数控水溶解抛光去除方法，属于超精密抛光方法。该方法选用含水抛光液，使用小尺寸抛光头加工KDP晶体，抛光头行星运动公转中心在计算机控制下沿预设轨迹抛光KDP晶体，调整晶体表面各点的驻留时间，提高晶体面形精度；之后抛光头沿抛光轨迹匀速加工晶体表面，去除局部残余的小尺度刀纹该方法利用KDP晶体可溶于水的物理性质对材料进行去除加工，不会产生传统机械去除过程中的亚表面损伤，同时也可以应用于类似KDP晶体的可溶于水的难加工材料，解决了目前大尺寸、高精度KDP晶体元件加工中，单点金刚石飞刀切削后晶体表面残余小尺度波纹的去除难题
一种 kdp 晶体表面纹理损伤数控溶解抛光去除方法

[实用新型]一种用于晶体加工的夹持结构-CN201920561266.1有效
发明人：林齐富 -专利权人：福建汉光光电有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及夹持装置技术领域，且公开了一种用于晶体加工的夹持结构，包括基座。该用于晶体加工的夹持结构，通过将晶体放置于垫板的顶部，旋紧第一T形螺杆使得支撑杆朝着垫板的方向运动，同时带着第一夹持板转动，第一夹持板在与晶体接触时会自动调节角度来适配不同晶体的晶面，左右两侧第一夹持板夹持好后，旋松第二T形螺杆并滑动滑块，使得锁座来到晶体正上方附近，松开推杆使得第三弹簧复位并带着第二夹持板对晶体施加压力并夹持，由于第二夹持板为V形，且第二夹持板可通过球形杆压缩第四弹簧来调节任意角度来适应晶体的晶面，将晶体夹紧，具备了可夹持不同晶体的优点。
夹持板晶体的夹持夹持结构晶体加工垫板晶面推杆本实用新型弹簧复位滑动滑块夹持装置施加压力左右两侧球形杆支撑杆弹簧夹紧适配松开锁座旋紧旋松转动压缩

[发明专利]双晶单色器晶体切换机构-CN201511009198.0有效
发明人：周顺;江波;阳志强;冯勇 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G02B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双晶单色器晶体切换机构。以满足对同步辐射双晶单色器工作晶体的切换，从而提供科研所需的2.1、2.3、2.5KeV（千电子伏能量单位）三个能量点的单色光束线。本发明采用晶体固定组件对三块切槽型晶体进行固定，通过晶体支座可使它以一定的角度固定在主轴的轴端，三块晶体沿主轴轴线方向并排安装；可以通过操控手轮，带动丝杠转动，丝杠上的滑块和主轴装置的底座固定，丝杠、线性导轨和主轴装置等部件间的运动传递，可以使主轴沿轴线方向移动，从而对固定好的晶体进行切换，可以实现晶体的平稳移动、精确定位和切换；对晶体的移动的位置进行精确标定，并添加辅助部件限位块和定位块，可以确保晶体移动的安全性和晶体切换的可靠性；经过这样综合的考虑和设计，可以实现晶体的精确切换。
双晶单色晶体切换机构

[实用新型]晶体生长载晶架-CN202222391091.9有效
发明人：叶李旺;庄欣欣;许智煌;王远洁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体生长载晶架，包括上板、下板、支撑板以及与外部动力机构连接并带动晶体生长载晶架转动的连接结构；支撑板设置在上板与下板之间，下板的上表面设置有沟槽结构。本实用新型通过在晶体生长载晶架的下板上表面设置沟槽结构，晶体生长到沟槽结构处时既沿水平方向生长，同时也向下生长，向下生长出的晶体会逐渐填满沟槽结构空间，沟槽结构内的晶体起到止动防滑的作用。即使在周期性正反转运动下，生长的晶体也不会与晶体生长载晶架分离发生移动，较好地解决了晶体移动造成载晶架防腐膜被破坏、生长溶液被污染和晶体生长试验失败的问题，降低了晶体生长成本，提高了晶体生长成功率。
晶体生长载晶架

[发明专利]具有低微坑密度(MPD)的锗锭/晶圆和其制造系统及方法-CN201080002216.1有效
发明人：刘卫国;李晓 -专利权人： AXT公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了用于晶体生长的系统和方法，包括在已生长的锗晶体中减少微坑腔密度的特征。在一个示例实施方式中，提供了一种方法：将带有原材料的安瓿插入具有加热源的炉；使用垂直生长法生长晶体，其中实现结晶化温度梯度相对于原材料/坩埚的运动以熔化该原材料；以及，以预定晶体生长长度生长该原材料以实现单晶晶体
具有低微密度 mpd 制造系统方法

[发明专利]基于霍尔效应的MOS晶体管-CN201010259644.4有效
发明人：梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种基于霍尔效应的MOS晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上的MOS晶体管，所述半导体衬底上还形成有铁磁区，其中，MOS晶体管的导电沟道位于所述铁磁区的磁场中，所述铁磁区的磁化方向垂直于MOS晶体管的沟道电流方向本发明的基于霍尔效应的MOS晶体管在导通时，加载的磁场可以使得导电沟道中运动的多数载流子向远离栅极的方向偏转，而所述多数载流子的偏转会使得MOS晶体管靠近漏极的导电沟道截面扩展，从而有效降低了漏极的寄生电阻
基于霍尔效应 mos 晶体管

[发明专利]利用温场可调的晶体生长装置制备溴化镧铈晶体的方法-CN201710437453.4有效
发明人：魏建德;方声浩;张志诚;叶宁;吴少凡;龙西法 -专利权人：厦门中烁光电科技有限公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种利用温场可调的晶体生长装置制备溴化镧铈晶体的方法，采用一种可调节尺寸，容易更换的保温材料层，且只需要一段式加热，无需晶转和平台上升下降系统。通过调节保温材料层的尺寸，使炉子温场适合于溴化镧铈晶体生长。本发明采用无运动机构完全静态的方法进行晶体生长。克服了以往坩埚下降法对下降系统精密度要求高，炉子之间差异较大不好批量复制，占用空间大等缺点。溴化镧铈晶体易实现程序化生长，对溴化镧铈晶体生长面控制极为有利，生长环境稳定，可有效避免晶体缺陷。晶体生长装置的制作简单，方便维护清理。
利用可调晶体生长装置制备溴化镧铈晶体方法

[发明专利]糖尿病康复理疗装置-CN202310894624.1在审
发明人：范继良 -专利权人：黄剑鸣
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： A61N7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种糖尿病康复理疗装置，其包括腰带本体、压电晶体、直流电源及电压源逆变器；腰带本体用于缠绕于腹部并呈柔性结构，腰带本体通过第一约束带和第二约束带呈长度可调的对接连接；压电晶体内置于腰带本体内并呈矩阵排列且相互独立设置；直流电源固定于腰带本体上；电压源逆变器将直流电源的直流电压转变成交变电压输出施压至压电晶体的两侧，交变电压的频率为超声频率。压电晶体在被施加超声频率的交变电压下产生超声波。压电晶体的超声波直接作用于细胞和组织，使得细胞和组织被动的进行有氧运动，加快其再生康复的过程，从而实现对胰脏和肝脏的细胞和组织被动式有氧运动的目的，起到对糖尿病的康复理疗效果。
糖尿病康复理疗装置

[发明专利]一种石英晶体谐振器气密性检测装置-CN202010596863.5有效
发明人：陶国斌 -专利权人：唐山国芯晶源电子有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G01M3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英晶体谐振器气密性检测装置，包括主体，主体上安装有显示屏，且在主体上开设有第一通孔，在主体上还安装有输送带，且输送带的上半部分在第一通孔内运动，在输送带上开设有用于放置石英晶体谐振器的凹槽，石英晶体谐振器的引线伸到输送带外，在第一通孔的内壁上开设有供所述引线穿过的第二通孔，在所述第一通孔的内壁上可转动的安装有两组检测机构，两组检测机构沿着输送带的运动方向并列排布，且两组检测机构均能与所述引线接触以检测所述石英晶体谐振器的电阻在本发明实施过程中，能够方便用户对石英晶体谐振器的气密性进行检测，且检测速度快，操作简单。
一种石英晶体谐振器气密性检测装置

[发明专利]一种石英晶体传感器组合的不停车称重检测装置及方法-CN201910833555.7有效
发明人：张增政;罗海斌;邓乙清;高燕新;刘保胜 -专利权人：广东泓胜科技股份有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01G19/03 文献下载
摘要：本发明公开了称重技术领域的一种石英晶体传感器组合的不停车称重检测装置及方法，包括路基、无线高清抓拍雷达测试仪、矩形凹槽、排水管、触碰开关、接近开关、芯轴、连接管、翻板和若干石英晶体传感器，运动的汽车前轮撞击石英晶体传感器，采集冲击力，同时翻板向左转动，接近开关启动，使无线高清抓拍雷达测试仪启动，测得距离和启动时刻，运动的汽车前轮一直压动翻板，石英晶体传感器采集此过程作用力变化值，同时翻板向下转动，按压触碰开关，使无线高清抓拍雷达测试仪启动，测得距离和结束时刻，利用公式ΔFt＝ΔV·M，无线高清抓拍雷达测试仪获取ΔV和t，选取石英晶体传感器测量值的变化量为ΔF，求得M，该方式操作简单，提高了效率。
一种石英晶体传感器组合停车称重检测装置方法

[实用新型]一种三杆晶体提拉法生长装置-CN201320251104.0有效
发明人：张建新;万尤宝;沈慧娟;熊小青 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型设计一种三杆提拉晶体提拉法生长装置，其特征是所述的装置包括位于装置最上部的慢速电机(1)，位于与慢速电机(1)下面的谐波发生器(3)相联的快速电机(2)，谐波发生器(3)与位于其下的丝杆(4)紧密相连，在慢速电机(1)或者快速电机(2)的作用下带动丝杆(4)转动，使与丝杆(4)紧密咬合的滑块(5)上下运动，滑块(5)中安装有三个旋转电机(6)，旋转电机(6)的转动能够带动与其紧密相连的籽晶杆位于立柱(10)内侧的道轨(9)能够规范滑块(5)上下运动过程不发生左右摆动。这种多杆提拉晶体生长装置的好处是一次能提拉三根晶体，提高晶体生长效率，可以用来批量化生长晶体。
一种晶体提拉法生长装置

[实用新型]一种石英晶体传感器组合的不停车称重检测装置-CN201921463851.4有效
发明人：张增政;罗海斌;邓乙清;高燕新;刘保胜 -专利权人：广东泓胜科技股份有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G01G19/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了称重技术领域的一种石英晶体传感器组合的不停车称重检测装置，包括路基、无线高清抓拍雷达测试仪、矩形凹槽、排水管、触碰开关、接近开关、芯轴、连接管、翻板和若干石英晶体传感器，运动的汽车前轮撞击石英晶体传感器，采集冲击力，同时翻板向左转动，接近开关启动，使无线高清抓拍雷达测试仪启动，测得距离和启动时刻，运动的汽车前轮一直压动翻板，石英晶体传感器采集此过程作用力变化值，同时翻板向下转动，按压触碰开关，使无线高清抓拍雷达测试仪启动，测得距离和结束时刻，利用公式ΔFt＝ΔV·M，无线高清抓拍雷达测试仪获取ΔV和t，选取石英晶体传感器测量值的变化量为ΔF，求得M，该方式操作简单，提高了效率。
一种石英晶体传感器组合停车称重检测装置

[实用新型]一种LDMOS晶体管性能检测装置-CN202121079969.4有效
发明人：张士雨;陆庆文;袁文杰 -专利权人：东科芯微电子（南京）有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LDMOS晶体管性能检测装置，包括检测箱和晶体管本体，所述检测箱内腔的顶部固定连接有检测器，所述检测箱内腔的两侧均活动连接有支撑板，所述支撑板底部的两侧均固定连接有气缸，所述气缸的底部与检测箱的内壁固定连接本实用新型通过将晶体管本体放置在放置槽的内腔，通过转动转盘，转盘带动上端螺纹杆转动，上端螺纹杆带动上端皮带轮转动，上端皮带轮通过传动带带动下端皮带轮转动，下端皮带轮带动下端螺纹杆转动，通过螺纹杆在支撑板内腔转动的同时向一侧运动，螺纹杆带动夹具向一侧运动，直至夹具与晶体管本体的表面接触，从而对晶体管本体进行固定。
一种 ldmos 晶体管性能检测装置

[实用新型]一种晶体振荡器生产用焊线机-CN202320785429.0有效
发明人：杨国永;尹维国;李传军 -专利权人：晶宇兴电子科技（三河）有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B23K20/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及焊线机技术领域，且公开了一种晶体振荡器生产用焊线机，包括机座，所述机座的后部中间位置固定连接有安装架，所述安装架的顶部固定连接有支架，所述支架的后部左侧固定安装有电机，所述安装架的内部通过滑块插设有滑板该晶体振荡器生产用焊线机，通过电机带动传动杆的转动，从而可通过连接杆带动滑板的左右往复运动，进而可通过拨动片推动传动条板的运动，可使得在焊接时带动装夹模具内部的晶体振荡器进行自动上料，提升了晶体振荡器焊接的速度，且避免了焊接时对晶体振荡器进行反复的装夹。
一种晶体振荡器生产用焊线机

[发明专利]操作超声机头的方法-CN200810176937.9有效
发明人： V·P·英杰夫;R·J·斯昂尼 -专利权人：爱尔康公司
申请日： 2008-05-09 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： A61F9/007 文献下载
摘要：一种采用具有至少一组在以相关共振频率激励时被极化来产生纵向运动的压电元件的机头的方法。压电晶体连接到附接切割尖端的超声变幅杆。该变幅杆和/或切割尖端包含多个对角裂缝或凹槽。该裂缝或凹槽在压电晶体被以第二共振频率激励时在切割尖端中产生优化的扭转运动。当处于扭转模式时，物质可能阻塞切割尖端。本方法包括在检测到阻塞时提供尖端的纵向运动的脉冲的步骤。
操作超声机头方法

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