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[发明专利]包括混合像素的深度传感器-CN202010221083.2在审
发明人：金永燦;陈暎究;林茂燮;权容铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G01S17/894 文献下载
摘要：所述像素包括：光电晶体管；第一转移晶体管，连接到所述光电晶体管；第一浮动扩散区域，连接到所述第一转移晶体管；第二转移晶体管，连接到所述光电晶体管；存储元件，连接到所述第二转移晶体管；第三转移晶体管，连接到所述存储元件；以及第二浮动扩散区域，连接到所述第三转移晶体管。
包括混合像素深度传感器

[发明专利]具有稳健电荷转移感测放大的SRAM-CN202180057164.6在审
发明人：晶昌镐;P·达达博伊;A·B·帕勒拉 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种电荷转移晶体管，耦合在位线和感测放大器的感测节点之间。在读取操作期间，电荷转移驱动器驱动电荷转移晶体管的栅极电压以控制电荷转移晶体管在电荷转移期间是否导通。为了辅助电荷转移晶体管的电荷转移，第一交叉耦合晶体管和第二交叉耦合晶体管耦合在位线和互补位线之间。
具有稳健电荷转移放大 sram

[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法-CN201210209083.6无效
发明人：刘格致;肖海波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器的结构及其制作方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有光敏二极管、转移晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管和选通晶体管，所述光敏二极管、转移晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管和选通晶体管相互电连接；氧化层，覆盖所述光敏二极管和转移晶体管的表面；张应力层，覆盖所述氧化层的表面，所述张应力层用于在所述转移晶体管的沟道内产生张应力。
cmos 图像传感器及其制作方法

[发明专利]一种图像传感器结构及其制作方法和工作时序-CN202111579264.3在审
发明人：伍建华;陈杰;旷章曲;陈多金;王菁;龚雨琛;刘志碧;马士杰;程超 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法和工作时序，自像素中心向四周依次为复位晶体管源极、复位晶体管栅极、浮置扩散节点、第二转移晶体管栅极、氧化层隔离、第一转移晶体管栅极、深P阱；浮置扩散节点和复位晶体管源极设于复位晶体管栅极两侧硅的N+注入层中；第一转移晶体管栅极之下由浅到深依次为：浅P阱、次P阱、光电二极管；在第二转移晶体管栅极和复位晶体管栅极之下设有将浮置扩散节点和复位晶体管源极与光电二极管、浅P阱和次P阱隔离开的深P阱。第一转移晶体管为结型场效应晶体管，第二转移晶体管为CMOS晶体管。将结型场效应晶体管JEFT和CMOS的两种栅极同时应用在转移栅极之上，JEFT的栅极结构可以防止转移出的电子回流到PD中造成图像拖尾等噪声，既增大了像素面积而且每个像素都有单独的读出电路避免信号串扰。
一种图像传感器结构及其制作方法工作时序

[发明专利]图像传感器-CN202010149238.6在审
发明人：陈暎究;权容铉;金永灿;金世英;徐圣永;林茂燮;郑泰燮;崔成浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势
图像传感器

[实用新型]一种电平转移电路-CN201320406742.5有效
发明人：詹昶;陈松涛;皮涛 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电平转移电路，包括反相器、第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第四P型晶体管、第五P型晶体管和第六P型晶体管、第一N型晶体管和第二N型晶体管。本实用新型的电平转移电路，能够实现更宽范围的由低电压域向高电压域的电平转移。
一种电平转移电路

[发明专利]四晶体管CMOS图像传感器及其设计方法-CN201010518406.0无效
发明人：刘宪周;韦敏侠;周雪梅 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种四晶体管CMOS图像传感器及其设计方法。根据本发明的四晶体管CMOS图像传感器包括光敏二极管、复位晶体管、转移晶体管、源跟随晶体器和行选通开关晶体管，其中所述转移晶体管具有埋入式沟道；并且所述转移晶体管的埋入式沟道的深度可以调节。根据本发明的四晶体管CMOS图像传感器及其设计方法能够有效地消除图像残余现象。
晶体管 cmos 图像传感器及其设计方法

[发明专利]固态成像器件、相机模块以及电子设备-CN201710111328.4有效
发明人：加藤菜菜子;若野寿史;山本敦彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：固态成像器件包括：第一单元，包括第一四个光电转换区域、第一四个转移晶体管以及由第一四个转移晶体管共享的第一浮置扩散单元，第一四个转移晶体管中的相应晶体管连接至第一四个光电转换区域中的相应区域；第二单元，包括第二四个光电转换区域、第二四个转移晶体管以及由第二四个转移晶体管共享且连接至第一浮置扩散单元的第二浮置扩散单元，第二四个转移晶体管中的相应晶体管连接至第二四个光电转换区域中的相应区域；共享晶体管，连接至第一和第二浮置扩散单元；以及信号线，连接至共享晶体管以基于第一和第二四个光电转换区域中的至少一个的输出而转移信号，共享晶体管包括第一和第二选择晶体管。
固态成像器件相机模块以及电子设备

[发明专利]用于全局快门校正的像素电路及成像系统-CN201610767879.1有效
发明人：詹智勇;陈晴飞;白晋彰 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H04N5/357 文献下载
摘要：像素电路包含：光电二极管，其安置于半导体材料中以响应于引导到所述光电二极管中的入射光来积累图像电荷；及转移晶体管，其耦合到所述光电二极管。所述电路还包含噪声校正电路，其经耦合以接收转移控制信号，且所述噪声校正电路经耦合以选择性地启用所述转移晶体管来接收所述转移控制信号或停用所述转移晶体管使其无法接收所述转移控制信号。存储晶体管耦合到所述转移晶体管，且所述转移晶体管经耦合以在所述转移晶体管经启用以接收所述转移控制信号的情况下响应于所述转移控制信号而选择性地将积累于所述光电二极管中的所述图像电荷转移到所述存储晶体管以用于存储
用于全局快门校正像素电路成像系统

[发明专利]具有拥有栅极之间的窄间隔的全局快门的图像传感器像素单元以及成像系统及其制造方法-CN201310724251.X有效
发明人：陈刚;毛杜立;戴森·H·戴 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素单元包含安置在半导体衬底中的光电二极管、存储晶体管、转移晶体管和输出晶体管。所述转移晶体管选择性地将累积在所述光电二极管中的图像电荷从所述光电二极管转移到所述存储晶体管。所述输出晶体管选择性地将所述图像电荷从所述存储晶体管转移到读出节点。第一隔离围栏安置在所述半导体衬底上方，将所述转移晶体管的转移栅极与所述存储晶体管的存储栅极分离。第二隔离围栏安置在所述半导体衬底上方，将所述存储栅极与所述输出晶体管的输出栅极分离。所述第一和第二隔离围栏的厚度分别大体等于所述转移栅极与所述存储栅极之间以及所述存储栅极与所述输出栅极之间的间隔距离。
具有拥有栅极之间间隔全局快门图像传感器像素单元以及成像系统及其制造方法

[发明专利]固态成像器件、相机模块以及电子设备-CN201710397717.8有效
发明人：加藤菜菜子;若野寿史;山本敦彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：所述器件包括：第一光接收单元，包括第一四个光电转换元件、第一四个转移晶体管以及由第一四个转移晶体管共享的第一浮置扩散区域，第一四个转移晶体管中的相应晶体管连接至第一四个光电转换元件中的相应元件；第二光接收单元，包括第二四个光电转换元件、第二四个转移晶体管以及由第二四个转移晶体管共享且连接至第一浮置扩散区域的第二浮置扩散区域，第二四个转移晶体管中的相应晶体管连接至第二四个光电转换元件中的相应元件；共享晶体管，连接至第一和第二浮置扩散区域并且包括第一和第二选择晶体管；以及信号线，连接至共享晶体管以基于第一和第二四个光电转换元件中的至少一个的输出而转移信号。
固态成像器件相机模块以及电子设备

[发明专利]包括一个或多个电容器的单位像素和包括其的图像传感器-CN202211319784.5在审
发明人：金石山;徐珉雄;宋智娟;郑絃溶;M.L.朱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H04N25/59 文献下载
摘要：一种单位像素包括第一光电转换单元和第二光电转换单元、设置在第一光电转换单元和第一节点之间的第一转移晶体管、通过第一开关晶体管连接到第一节点的第一电容器、以及设置在第二光电转换单元和第一节点之间的第二转移晶体管包括第一电压电平的信号在第一时间间隔期间被施加到第一转移晶体管和第二转移晶体管，包括第二电压电平的信号在第二时间间隔期间被施加到第一转移晶体管、第二转移晶体管和第一开关晶体管，包括第三电压电平的信号在第三时间间隔期间被施加到第一转移晶体管，包括第一电压电平的信号在第四时间间隔期间被施加到第二转移晶体管和第一开关晶体管。
包括一个电容器单位像素图像传感器

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN201811195119.3有效
发明人：钟志平;何明祐;黄文澔;毕嘉慧 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器及其制造方法，其中该影像传感器包括半导体基底、形成于半导体基底中的光电二极管、设置于光电二极管上的微透镜、第一转移晶体管、第二转移晶体管以及电容器。第一转移晶体管与第二转移晶体管形成于半导体基底上，且于第一转移晶体管与第二转移晶体管之间的半导体基底内形成有存储节点，其中第一转移晶体管耦合至光电二极管。至于电容器则形成于第一转移晶体管与第二转移晶体管之间，且电容器包括耦合至所述存储节点的第一电极、位于第一电极上并延伸至光电二极管的边缘的第二电极以及介于第一与第二电极之间的介电层。
影像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器元件以及图像传感器-CN202211579142.9在审
发明人：工藤义治 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器元件以及图像传感器，所述图像传感器元件包含：转移晶体管TX、横向溢流集成电容器选择晶体管LF、光电二极管PD以及第一溢流路径OFP。转移晶体管TX从第一端输出读出信号。横向溢流集成电容器选择晶体管LF包含连接到转移晶体管TX的第二端的第一端，以及连接到电容器的第二端。光电二极管PD共同连接到转移晶体管的第三端和横向溢流集成电容器选择晶体管LF的第三端。第一溢流路径OFP形成在光电二极管PD与横向溢流集成电容器选择晶体管LF的第二端之间。转移晶体管TX和横向溢流集成电容器选择晶体管LF中的每一个配置有竖直栅极晶体管。
图像传感器元件以及

[发明专利]图像传感器、减少发光二极管闪烁的方法及成像系统-CN201811138384.8有效
发明人：达拉德·索尔海姆;约翰尼斯·索尔湖斯维奇 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器、减少发光二极管闪烁的方法及成像系统。电压产生器提供转移栅极电压到转移晶体管。转移栅极电压是转移通态电压、转移断态电压或撇取电压。转移晶体管转移在光电二极管上产生的电荷到浮动扩散。转移栅极上的电压控制从光电二极管转移到浮动扩散的电荷量。复位晶体管将光电二极管和浮动扩散预充电到电源电压。第一启用晶体管控制从浮动扩散转移到第一电容器的电荷量。第二启用晶体管控制从浮动扩散转移到第二电容器的电荷量。第一和第二启用晶体管在激活后接收其单独的周期性控制脉冲。将在第一和第二电容器上收集的电荷转移到浮动扩散。源极跟随器晶体管放大浮动扩散上呈现的电压。行选择晶体管发送放大电压到位线以用于信号读出。
图像传感器减少发光二极管闪烁方法成像系统

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