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[发明专利]一种卡格列净组合物及其制备方法-CN202111171150.5在审
发明人：赵娜;程周;秦连港;伍定梅 -专利权人：常州恒邦药业有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： A61K9/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种卡格列净组合物及其制备方法，属于药物制剂领域。本发明制备了卡格列净纳米晶体混悬液，进而固化得到纳米晶体组合物，平均粒径均小于1000nm，从而改善药物的溶出度和稳定性，所制备的口服固体制剂溶出度好、生物利用度高、能耗相对较低，适合工业化生产。
一种卡格列净组合及其制备方法

[发明专利]硝酸钾生产方法-CN201710394210.7在审
发明人：赵家春;赵晨;熊云生;梁廷刚;熊浩舞;端木玉芳 -专利权人：赵家春
申请日： 2017-05-28 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C01D9/10 文献下载
摘要：包括原料配置、KNO3 半成品结晶体制备、KNO3 半成品结晶体冲洗和热溶解复结，所述热溶解复结过程中加入钾钠复合盐。该方法制得的硝酸钾纯度高，制备工艺简单，耗能少，成本低，且不外排洗水。
硝酸钾生产方法

[发明专利]胰高血糖素样肽－1晶体-CN98812093.3无效
发明人： J·A·霍夫曼;R·N·赫梅林;C·纳拉辛汉 -专利权人：伊莱利利公司
申请日： 1998-12-14 - 公布日： 2001-01-24 - 主分类号： A61K38/26 文献下载
摘要：本发明提供单一的四方平棒状或片状晶体型胰高血糖素样肽－1相关的分子、其制备方法、组合物及应用方法。所述晶体制剂显示体内作用时间延长,可用于治疗糖尿病、肥胖症及相关病症。
血糖素样肽晶体

[实用新型]新型风冷端泵晶体组件-CN201120134671.9有效
发明人：陈义红;陈义兵;吴德才;李扬 -专利权人：武汉新特光电技术有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01S3/042 文献下载
摘要：本实用新型涉及端面泵浦固体激光器领域，尤其是新型风冷端泵晶体组件，其不同之处在于：其包括晶体座、半导体制冷片、裹有铟膜的晶体，其中，所述包裹有铟膜的晶体设置在晶体座中部，所述半导体制冷片置入晶体座的下部用来控制晶体的温度半导体制冷片置入座体的下部用来控制晶体的温度，能及时将温度传到座体底部有风扇吹走。
新型风冷晶体组件

[发明专利]一种真空紫外光电探测器及其制备方法-CN202210787388.9在审
发明人：范泽龙;孙振华;武红磊 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空紫外光电探测器及其制备方法，该制备方法包括：采用物理气相传输法制备氮化铝晶体；准备衬底，在所述衬底的表面沉积形成底电极；将所述氮化铝晶体置于所述底电极上；将准备好的石墨烯转移至所述氮化铝晶体上本发明基于氮化铝晶体制作真空紫外光电探测器，氮化铝晶体采用物理气相传输法制备，制作真空紫外探测器过程中不需要承载氮化铝晶体生长的基板，降低了生产成本，增加了底电极的选择性，同时采用石墨烯作为透明窗口，增加感光面积
一种真空紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种使用秸秆制备磁性纳米纤维素气凝胶的方法-CN202110727829.1在审
发明人：王曾源 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C08J9/28 文献下载
摘要：本发明描述了一种使用秸秆制备磁性纳米纤维素气凝胶的方法，其包括：在秸秆内提炼纤维素。粉碎秸秆，并将其磨成细粉，在洗涤、烘干等步骤之后，使用得到的干燥粉末来提取纤维素粉末；制备秸秆纤维素晶体，包括使用纤维素粉末制备纤维素晶体；使用快速沉淀法来制备纤维素气凝胶磁珠，包括使用纤维素晶体制备纤维素气凝胶磁珠；通过交联法制备磁性纳米纤维素气凝胶，包括使用纤维素气凝胶磁珠制备磁性纳米纤维素气凝胶。
一种使用秸秆制备磁性纳米纤维素凝胶方法

[发明专利]一种基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法-CN202211397516.5在审
发明人：陈琛;韩张华 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法，包括：对非线性晶体进行预处理，并对处理后的非线性晶体进行离子注入；将经过离子注入后的非线性晶体旋涂光刻胶，并进行电子束曝光和后续加热处理，将加热处理后的非线性晶体进行显影操作，得到高分子聚合物和非线性晶体混合型光波导。本发明展示的制备方法无需直接改变非线性晶体波导层的几何形貌，因而避免了刻蚀非线性晶体的困难与挑战，以及机械加工非线性晶体制备波导结构单一的缺点,并且可制备的波导结构多样，适用于制备直线形、曲线形、环形波导
一种基于连续域中束缚态机制非线性波导制备方法

[发明专利]一种重铬酸铵和硫酸钠混合晶体及其制备方法和用途-CN201910579083.7有效
发明人：徐红彬;程西川;张红玲;段静;雒敏婷;石大学;张笛;黄国强;裴丽丽;马丹;庆朋辉;商琴;张懿 -专利权人：湖北振华化学股份有限公司;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C01G37/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种重铬酸铵和硫酸钠混合晶体及其制备方法和用途，所述制备方法包括：将硫酸铵溶解后升温，然后加入重铬酸钠，其中重铬酸钠与硫酸铵的摩尔比为1:(0.9～1.1)，搅拌反应后蒸发浓缩、冷却结晶，得到混合晶体；所述混合晶体用于制备氧化铬绿颜料。本发明通过对反应物加入方式和配比、反应及后处理工艺的控制，制备得到粒径均匀、分散、不粘结的混合晶体，避免了复盐的生成，保证混合晶体的组成符合要求；同时，混合晶体的制备过程流程短，工艺条件易于控制，避免了重铬酸铵的运输问题；再以所得混合晶体制备氧化铬绿颜料，可有效解决工业生产中存在的进料困难的问题，所得产品的色度参数更好，性能优异。
一种重铬酸铵硫酸钠混合晶体及其制备方法用途

[发明专利]一种全反式番茄红素纯晶体及其微囊粉的制备方法-CN202010606290.X在审
发明人：朱增亮;徐国华;马猛华;范祎力 -专利权人：江苏神华药业有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C07C11/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种全反式番茄红素纯晶体及其微囊粉的制备方法，包括以下步骤：将三孢布拉氏霉菌发酵所得湿菌丝体加入乙酸乙酯中，以超声波辅助进行提取；将混合提取液过滤除去菌丝体，收集滤液进行低温浓缩；浓缩液低温结晶；板式密闭过滤机过滤，湿晶体采用低温真空干燥，即得全反式番茄红素纯晶体；采用双层包埋法制备全反式番茄红素微囊粉。本发明制备的番茄红素纯晶体含量＞99%，其中全反式结构含量100%；利用该纯晶体制备的番茄红素微囊粉，包埋率＞99%，全反式结构含量＞99%。
一种反式番茄红素纯晶体及其微囊粉制备方法

[实用新型]激光器晶体座的散热结构-CN201020664332.7有效
发明人：周德平;马淑贞;高云峰 -专利权人：深圳市大族激光科技股份有限公司
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01S3/042 文献下载
摘要：本实用新型提供涉及激光器领域，尤其是涉及激光器晶体座的散热结构，其包括晶体座和半导体制冷器，该晶体座放置于腔体上，该半导体制冷器设置于腔体与晶体座之间，所述的腔体上放置有垫板，该垫板设置于半导体制冷器与腔体之间，该垫板、半导体制冷器和腔体胶装在一起；本实用新型通过将晶体座、半导体制冷器和垫板用胶紧密地胶装在一起，散热效果非常好，不会脱落，从而晶体产生的热量就能被TEC快速的散掉，激光器的功率就很稳定。
激光器晶体散热结构

[发明专利]一种高沸点溶剂调控的树状红荧烯晶体薄膜制备方法-CN201610030028.9在审
发明人：王丽娟;朱成;孙丽晶;谢强;张玉婷 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明是一种高沸点溶剂调控的树状红荧烯晶体薄膜制备方法，即通过DMF溶剂调控红荧烯树状晶体的生长，在原有氯仿溶剂的基础上，加入体积比为30%~50%的DMF溶剂，利用溶液滴涂法减缓挥发速度，DMF溶剂自身沸点高，进一步减缓挥发速度的特性，使得红荧烯分子有足够的驱动力依次完成从粒状，带状，到树状晶体的生长过程，从而达到高沸点溶剂调控树状红荧烯晶体制备的目的。
一种沸点溶剂调控树状红荧烯晶体薄膜制备方法

[发明专利]一种掺氟化钇的氟化钡晶体及其制备方法-CN201710951942.1有效
发明人：张钦辉;徐超;刘建强;刘晓阳;史达威;张国莹;王琦 -专利权人：北京首量科技股份有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺氟化钇的氟化钡晶体及其制备方法，所述晶体由YF3、BaF2组成，其中YF3摩尔百分比为5～7mol％，通过本发明制备方法制得的所述晶体光输出快慢成分比最大可提高25倍，并且快成分衰减时间不变，而且所述晶体中掺入钇离子，钇离子半径较小，制备所述晶体质量高，完全可以取代纯氟化钡以及碘化铯晶体等，用于高能物理及核医学探测；所述晶体制备方法使掺杂钇元素充分溶解并分布均匀，保障了所述晶体的质量，通过设计的石墨坩埚外壁与加热器内壁之间的距离为20mm，保障了固液界面附近温度梯度约为5～10℃/cm，避免了梯度过大造成的晶体开裂问题，同时设备简单、易于操作。
一种氟化氟化钡晶体及其制备方法

[实用新型]一种金属晶体制备装置-CN202220958481.7有效
发明人：王宇;官伟明;梁振兴;李敏 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种金属晶体制备装置，该装置包括：原料腔，原料腔包括至少一个出料口；以及制备腔，所述制备腔与所述原料腔通过所述至少一个出料口相连通。
一种金属晶体制备装置

[发明专利]一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法-CN202110276280.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有PVT法制备碳化硅晶体生长速率慢的问题，本发明提供了一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，以不同粒径碳化硅粉混合制备碳化硅粉料，真空条件下加热至400～800℃并保持2h，充入氩气后继续加热至晶体生长温度开始晶体生长，完成晶体生长后自然冷却，得到碳化硅晶体。本发明利用不同粒径碳化硅粉按不同比例混合之后进行PVT法碳化硅晶体生长，大颗粒的碳化硅粉提供足够的颗粒间隙促进气相物料输运，小颗粒的碳化硅粉提供足够的活性表面产生充足的反应气相，使得两方面得到同时提升，显著提升了晶体生长速率。
一种提升 pvt 法制碳化硅晶体生长速率方法

[实用新型]固体激光器-CN201820233265.X有效
发明人：冯新凯;缪龙;邹小林;陈怀熹;李广伟;许艺斌;梁万国 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01S3/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种固体激光器，包括：晶体、半导体制冷片和热电电源，热电电源与半导体制冷片供电连接；半导体制冷片包括热面，晶体与热面焊接。通过焊接将晶体牢固的固定在半导体制冷片上，在各类试验中焊料均不会产生过大的形变导致晶体脱落；同时焊接过程无需对工件进行加工和安装，焊接过程简单可靠。
半导体制冷片固体激光器焊接过程热电电源热面焊接焊料本实用新型加工和安装供电连接形变试验

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