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[发明专利]无源器件制备方法及无源器件-CN202010870974.0在审
发明人：杨志;何洪涛;董春晖;韩易 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明适用于无源器件制备技术领域，提供了一种无源器件制备方法及无源器件，该方法包括：在半导体衬底上制备绝缘介质层；在绝缘介质层上制备氮化钽金属层；对氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品；在无源器件样品上制备钝化层，获得无源器件。本发明基于氮化钽金属层，可以制备与其他电子元器件匹配良好、应用范围广的无源器件，同时可以实现薄膜电容的制备，有利于无源器件的小型化和集成化。
无源器件制备方法

[发明专利]芯片级集成射频无源器件、其制造方法及含有其的系统-CN200680052387.9有效
发明人： X·曾;何江奇;B·徐 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-03-06 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种芯片封装包括设置于该芯片封装中管芯背侧表面上的电介质层下方的射频无源器件层。管芯有源表面和射频无源器件层之间的感应环路较小，因为任何射频无源器件都直接位于管芯占地区的下方。一种组合射频无源器件层的方法包括管芯级和板级射频无源器件层。一种计算系统包括芯片封装中的射频无源器件层。
芯片级集成射频无源器件制造方法含有系统

[发明专利]激光器及其制造方法-CN202210344280.2在审
发明人：朱尧;周志强 -专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01S5/02251 文献下载
摘要：本申请提供了一种激光器及其制造方法，其中激光器包括无源段，无源段包括无源段波导层，光束在无源段波导层内沿第一方向传播，无源段波导层包括渐变区，渐变区沿第一方向厚度递减，渐变区沿第一方向宽度递增。制造方法包括在在基介质层上外延生长无源段波导层；制作掩膜；将掩膜盖在基介质层和部分无源段波导层上；将无源段波导层的渐变区刻蚀为沿第一方向厚度递减，沿第一方向宽度递增。
激光器及其制造方法

[实用新型]一种带新型保温装置的紧凑型光纤放大器-CN202020989034.9有效
发明人：李佳梁 -专利权人：无锡恒纳信息技术有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带新型保温装置的紧凑型光纤放大器，涉及光传输领域，包括模块底座、无源器件层、无源器件光纤束层、加热片层、掺铒光纤束层、隔离层、PCB及有源器件层、激光器和模块盖板，无源器件层以及无源器件层输入、输出的无源器件光纤束层设置在模块底座上，无源器件光纤束层的上方设置有加热片层，加热片层上设置有掺铒光纤束层，掺铒光纤束层与PCB及有源器件层之间设置有隔离层，激光器连接PCB及有源器件层，PCB及有源器件层的上方设置有模块盖板；本申请的加热片层由传统的分立式改成了立体叠加式，有效利用了模块空间，为体积较小的带保温装置的光纤放大器制作提供了可能。
一种新型保温装置紧凑型光纤放大器

[发明专利]具有减小的RF损耗的射频封装-CN201110218310.7有效
发明人：金俊德;陈美秀;叶子祯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种器件，包括：中介层和射频(RF)器件，射频(RF)器件接合到中介层的第一侧。中介层包括第一侧和第二侧，第二侧相对于第一侧。中介层中没有形成中介层通孔。第一无源器件形成在中介层的第一侧上，并且电连接到RF器件。第二无源器件形成在中介层的第二侧上。第一无源器件和第二无源器件配置为在第一无源器件和第二无源器件之间无线传输信号。
具有减小 rf 损耗射频封装

[发明专利]芯片封装结构与其制作方法-CN201610098276.7有效
发明人：卢东宝;徐子涵 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装结构与其制作方法，包括芯片、线路层、无源组件材料以及基材。线路层配置于芯片的表面上，其中线路层包括多个凸块与多个无源组件电极。凸块与无源组件电极具有相同材质，且具有相同厚度，而无源组件电极电性连接至部分凸块。无源组件材料配置于无源组件电极之间，使无源组件电极与无源组件材料构成位于芯片的表面上的无源组件。芯片配置于基材上，并以表面面对基材，使芯片与无源组件藉由凸块电性连接至基材。本发明还揭示一种芯片封装结构的制作方法。本发明提供的芯片封装结构与其制作方法通过改变无源组件的配置方式而具有良好的操作效能。
芯片封装结构与其制作方法

[发明专利]一种无源无线气体传感器-CN202211433584.2在审
发明人：任青颖;蔡炜铭;李政杰;沙凯文;黄宁浩;李金泽;李卫 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明属于无源无线气体传感器技术领域，公开了一种无源无线气体传感器，气体传感器包括硅衬底层，在硅衬底层上设置有上介电层和下介电层，在上介电层和下介电层之间设置有多晶硅导电层，气体传感器还包括设置在所述上介电层上方的无源无线气敏结构单元和设置在所述硅衬底层下方的无源无线温控结构单元，无源无线气敏结构单元与无源无线温控结构单元电互联，无源无线气敏结构单元包括气敏信号读取线圈和气敏电极单元，无源无线温控结构单元的温控信号由温控线圈和片上开关单元构成。本发明提高气体传感器结构的集成度和稳定性，具有无源无线温度控制功能，进而简化温度调理电路的复杂度，该无源无线气体传感器高灵敏度、稳定性好。
一种无源无线气体传感器

[发明专利]电子/光子集成电路架构及其制造方法-CN201280061229.5有效
发明人：陈龙;彼得罗·贝尔纳斯科尼;董甫;章力明;陈扬凯 -专利权人：阿尔卡特朗讯
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种装置(100)包含无源光子层(130p)，所述无源光子层(130p)位于衬底(110)上方且包含至少一个无源光子元件(150)，所述至少一个无源光子元件(150)经配置以在其中传播光学信号。位于所述衬底(110)与所述无源光子层(130p)之间的电子层(120)包含至少一个电子装置(122，123，126)，所述至少一个电子装置(122，123，126)经配置以在其中传播电信号。位于所述无源光子层(130p)上方的有源光子层(130a)包含有源光子装置(160)，所述有源光子装置(160)光学地耦合到所述无源光子元件(150)且经配置以在所述电信号与所述光学信号之间转换。
电子光子集成电路架构及其制造方法

[发明专利]一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法-CN201710059503.X在审
发明人：姜理利;侯芳;郁元卫;朱健 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法，该无源器件包括衬底材料，位于衬底上方的薄膜集成无源器件层，以及位于薄膜集成无源器件层上方的信号输入输出层；薄膜集成无源器件层包括电容、电阻和电感，其中电感包括两个以上的信号耦合电感，层与层之间通过信号耦合电感实现信号互连；信号输入输出层包括器件输入端、输入电感、输出电感和器件输出端，微波信号经器件输入端、输入电感、薄膜集成无源器件层、输出电感和器件输出端输出。
一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法

[发明专利]一种集成无源器件及其制作方法和集成电路-CN202010668108.3在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵;曾学忠 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/13 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成无源器件及其制作方法和集成电路,所述集成无源器件至少包括第一功能层，以及堆叠制作在所述第一功能层表面的第二功能层；所述第一功能层集成了第一无源器件，所述第二功能层集成了第二无源器件。本申请通过将无源器件堆叠设置，从而减小芯片的表面积，节省电路板空间，有利于减小芯片成本，并提高芯片的电性能。
一种集成无源器件及其制作方法集成电路

[发明专利]具有集成电容器的电源转换器-CN201280051526.1有效
发明人：大卫·M·朱利亚诺 -专利权人：北极砂技术有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种具有电源转换器电路的设备，所述电源转换器电路具有第一有源层，所述第一有源层的一个面上设有第一组有源装置；第一无源层，所述第一无源层的一个面上设有第一组无源装置；以及互联装置，其使设在所述第一有源层的所述面上的所述有源装置能够与设在所述第一无源层的所述面上的所述非有源装置相互连接，其中，所述第一有源层上的所述第一组有源装置所设置的所述面面向所述第一无源层上的所述第一组无源装置所设置的所述面。
具有集成电容器电源转换器

[发明专利]一种具有中介层的封装结构-CN202110342685.8在审
发明人：胡楠;孔剑平;王琪;崔传荣 -专利权人：浙江毫微米科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种具有中介层的封装结构，涉及集成电路芯片技术领域。该封装结构包括：有源中介层；M个小芯片，位于所述有源中介层的上方，并与所述有源中介层固定连接，且所述M个小芯片之间电连接；无源中介层，位于所述无源中介层的下方，并与所述有源中介层固定连接；封装衬底，位于所述无源中介层的下方，并与所述无源中介层固定连接；其中，M为大于1的正整数。本发明上述方案，将无源中介层和有源中介层的优势进行结合，不仅可以节省芯片的面积，还可以减少生产成本，提高生产良率。
一种具有中介封装结构

[实用新型]一种具有中介层的封装结构-CN202120649898.0有效
发明人：胡楠;孔剑平;王琪;崔传荣 -专利权人：浙江毫微米科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种具有中介层的封装结构，涉及集成电路芯片技术领域。该封装结构包括：有源中介层；M个小芯片，位于所述有源中介层的上方，并与所述有源中介层固定连接，且所述M个小芯片之间电连接；无源中介层，位于所述无源中介层的下方，并与所述有源中介层固定连接；封装衬底，位于所述无源中介层的下方，并与所述无源中介层固定连接；其中，M为大于1的正整数。本实用新型上述方案，将无源中介层和有源中介层的优势进行结合，不仅可以节省芯片的面积，还可以减少生产成本，提高生产良率。
一种具有中介封装结构

[实用新型]一种新型无源辐射器-CN202021555373.2有效
发明人：韩华 -专利权人：兴升精密部件（惠州）有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H04R1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型无源辐射器，包括：负重部以及绕设于负重部的振膜，其中负重部包括：金属层、橡胶层以及镂空层，橡胶层设置于金属层两侧，镂空层设置于金属层与橡胶层之间，镂空层分布有多个镂空区域。本实用新型的新型无源辐射器其负重部包括金属层、橡胶层以及镂空层，其中镂空层上分布有多个镂空区域，镂空层位于金属层与橡胶层之间，硫化处理过程中，橡胶层由于高温硫化产生的气体可容置于镂空区域内，避免无源辐射器表面产生鼓包现象，同时利用镂空层的镂空区域容置细小杂质，保证无源辐射器表面平整美观，有效提升无源辐射器的生产良率。
一种新型无源辐射器

[发明专利]半导体装置-CN201811442424.8在审
发明人：谢政杰;陶昊;郭永田 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：半导体装置包括设置在衬底上的中介层。中介层的第一主表面面向衬底。系统芯片设置在中介层的第二主表面上。中介层的第二主表面与中介层的第一主表面相对。多个第一无源装置设置在中介层的第一主表面中。多个第二无源装置设置在中介层的第二主表面上。第二无源装置是与第一无源装置不同的装置。
中介层主表面无源装置半导体装置衬底不同的装置系统芯片

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