专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]堵检测装置-CN201320774280.2有效
  • 丁卫红 - 丁卫红
  • 2013-11-28 - 2014-07-02 - G01M3/32
  • 本实用新型提供了一种堵检测装置,包括:调压阀、稳压气囊、测试枪头以及差压传感器;其中,所述稳压气囊上设置有气囊进气口、气囊出气口,所述调压阀的出口连接所述气囊进气口,所述气囊出气口连接测试枪头的入口本实用新型能够快速准确检测热交换器的堵缺陷,且一次检测可同时分辩堵二种缺陷,输出声光报警信号,提高了工作效率。
  • 内漏内堵检测装置
  • [实用新型]塑料液体盛装圆桶-CN200420002894.X无效
  • 张敬众 - 张敬众
  • 2004-01-20 - 2005-09-28 - B65D83/14
  • 一种能使其内的液体方便舀出的,能使与其配套使用的舀出用具方便随桶携带的,能使其上的扣桶盖立即开关自动开启和完全密封的,使用方便,效果比较理想的塑料液体盛装圆桶。使盛装桶身的上部与桶脖、扣桶嘴、扣桶嘴盖、多嘴提相连。使盛装桶身的桶肩与手拎把相连,使盛装桶身的下部与手拎把相连,使盛装桶身的两侧与两个抠手相连。打开扣桶嘴盖,从便携合拿出多嘴提,将其伸入到液体盛装桶,舀出其内的液体后把提漏嘴对准盛装器具的嘴口,倾斜多嘴提,使其内的液体流进盛装器具,当多嘴提使用完毕后,将其放入便携合,扣上扣桶嘴盖
  • 塑料液体盛装圆桶
  • [发明专利]抓斗-CN01107921.5无效
  • 顾自文 - 青岛港务局
  • 2001-03-28 - 2004-02-04 - B65G69/18
  • 本发明提供了一种抓斗,其特征在于两形状相同的斗体为各自独立的整体式斗体,上下滑轮之间通过钢丝绳连接,一对下撑杆和一对连杆的上端铰接在下滑轮上,下撑杆的下端铰接在斗体的斗口的板体上,连杆的下端铰接在撑杆上既满足了两斗体相互合拢挖取物料的要求,又使闭合结束后斗体的斗口朝上,两斗体之间无缝隙,因而从根本上消除了从接缝处撒的问题。
  • 无撒漏抓斗
  • [发明专利]高压结场效应器件及其形成方法-CN201510749582.8有效
  • 肖德元;张汝京 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2015-11-06 - 2019-10-25 - H01L29/41
  • 本发明提出了一种高压结场效应器件及其形成方法,在衬底上依次形成具有鳍状结构的缓冲层、半导体沟道层、介质层及金属栅极,刻蚀位于鳍状结构及缓冲层表面暴露出的介质层,暴露出源区域的半导体沟道层,在暴露出的源区域的半导体沟道层进行掺杂,形成源极和极,在源极和极上形成源漏电极,从而获得具有高迁移率的高压结场效应器件,并且形成的结场效应器件具有较高的击穿电压,从而获得具有较好的性能及高可靠性的高压结场效应器件。
  • 高压场效应器件及其形成方法
  • [实用新型]式电饭锅蒸锅-CN200620090472.1无效
  • 郭宝兰;丁佳 - 张辉能
  • 2006-04-17 - 2007-05-23 - A47J36/20
  • 一种式电饭锅蒸锅,包括锅体,其特殊之处是:在锅体上均设有通孔,所述的通孔的直径为1~3毫米,且通孔的孔间距为6~8毫米,在锅体的底面设有支脚。由于该式电饭锅蒸锅位于电饭锅锅体内不与电饭锅锅体直接接触,蒸出的米饭上下一样,不软不硬,松散可口;在蒸饭过程中,即使水略多一点或略少一点也不会出现粘饭、硬饭现象;蒸饭时由于锅体内水汽经米上升,水汽排出了原有米的异常气味,使蒸出的米饭饭道,口感香甜;使用方便,便于清理,淘米时淘米水不用单独澄清,自然入外锅,淘米后加水量与原电饭锅所要求的加水量相同。
  • 内漏式电饭锅蒸锅
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201510232427.9有效
  • 肖德元 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2015-05-08 - 2019-09-27 - H01L27/092
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,该器件包括:半导体衬底,半导体衬底具有相邻的NFET区域和PFET区域,半导体衬底包括基底、位于基底上的埋氧层以及形成于埋氧层上的跨越NFET区域和PFET区域的鳍片;形成于NFET区域结NFET和形成于PFET区域的反型模式PFET,结NFET具有完全金属硅化物源极和极,反型模式PFET的P型浅掺杂极掺杂区域与结NFET的极相连。结NFET通过完全金属硅化物技术可以实现电流不仅在表面传导还可以在体内传导的传导机制,其在沟道区完全耗尽时关闭。
  • 一种半导体器件及其制造方法

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