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[发明专利]一种利用热板与光波复合加热的LED共晶装置及方法-CN201310225485.X有效
发明人：汤勇;李宗涛;朱本明;丁鑫锐;余树东 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： B23K3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用热板与光波复合加热的LED共晶装置及方法，该共晶装置利用热板和光波复合加热，三个功能区依次为管芯安放区、基板预热区以及高温光波共晶区；LED共晶方法包括步骤：首先将基板传至点助焊剂处，将适量助焊剂点在基板焊盘，移动基板至管芯安放处，将LED芯片吸附并置于基板焊盘上；然后将基板传至基板预热区进行预热；最后将基板传至高温光波共晶区加热，加热后利用光波管缓慢移动扫过基板，基板温度升至共晶温度形成共晶层，实现LED共晶。本发明的LED共晶装置结构新颖，使用方便，高温光波共晶区能使基板温度稳定均匀，能保证良好的共晶质量，减少生产时间，且工艺过程控制精确，生产产品良率高，生产成本低。
一种利用光波复合加热 led 装置方法

[实用新型]一种利用热板与光波复合加热的LED共晶装置-CN201320327658.4有效
发明人：汤勇;李宗涛;朱本明;丁鑫锐;余树东 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B23K3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用热板与光波复合加热的LED共晶装置，该共晶装置利用热板和光波复合加热，三个功能区依次为管芯安放区、基板预热区以及高温光波共晶区；LED共晶方法包括步骤：首先将基板传至点助焊剂处，将适量助焊剂点在基板焊盘，移动基板至管芯安放处，将LED芯片吸附并置于基板焊盘上；然后将基板传至基板预热区进行预热；最后将基板传至高温光波共晶区加热，加热后利用光波管缓慢移动扫过基板，基板温度升至共晶温度形成共晶层，实现LED共晶。本实用新型的LED共晶装置结构新颖，使用方便，高温光波共晶区能使基板温度稳定均匀，能保证良好的共晶质量，减少生产时间，且工艺过程控制精确，生产产品良率高，生产成本低。
一种利用光波复合加热 led 装置

[发明专利]高精度智能共晶贴装设备及其加工方法-CN202010887130.7在审
发明人：吴超;曾义;徐金万;蒋星;余再欢 -专利权人：恩纳基智能科技无锡有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精度智能共晶贴装设备及其加工方法，包括基座，其上沿Y向设有物料区和共晶区，物料区的中部为基板上料区和成品下料区，左右两侧均为芯片上料区，每个芯片上料区内包括至少一芯片上料治具、沿XY向移动的芯片取放焊头机构和预置平台，基板上料和成品下料区内包括一沿XY向移动的基板上料治具、沿Y向移动的基板取放焊头机构；共晶区包括分别与两芯片取放焊头机构位置对应的两个共晶焊机构，每个共晶焊机构包括一组固定安装的顶部相机和一个沿XZ向运动的共晶焊头，还包括两个在芯片上料位和共晶位之间往复运动的共晶加热平台；本发明上料和共晶分离，双共晶台，双共晶焊头同时工作，提高了设备产能。
高精度智能共晶贴装设及其加工方法

[实用新型]高精度智能共晶贴装设备-CN202021849044.9有效
发明人：吴超;曾义;蒋星 -专利权人：恩纳基智能科技无锡有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高精度智能共晶贴装设备，包括基座，其上沿Y向设有物料区和共晶区，物料区的中部为基板上料区和成品下料区，左右两侧均为芯片上料区，每个芯片上料区内包括至少一芯片上料治具、沿XY向移动的芯片取放焊头机构和预置平台，基板上料和成品下料区内包括一沿XY向移动的基板上料治具、沿Y向移动的基板取放焊头机构；共晶区包括分别与两芯片取放焊头机构位置对应的两个共晶焊机构，每个共晶焊机构包括一组固定安装的顶部相机和一个沿XZ向运动的共晶焊头，还包括两个在芯片上料位和共晶位之间往复运动的共晶加热平台；本实用新型上料和共晶分离，双共晶台，双共晶焊头同时工作，提高了设备产能。
高精度智能共晶贴装设

[发明专利]一种ZrB2-CN201710304665.5有效
发明人：苏海军;曹业伟;张军;杜雅文;郭敏;刘林;李雨恬;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：一种ZrB2‑SiC共晶复合陶瓷的定向凝固制备方法，采用高能CO2激光器激光束作为加热源，以较小光斑快速、区域熔化共晶成分的ZrB2‑SiC复合陶瓷，通过精确控制激光功率和扫描速率实现熔区的稳定，同时使熔区快速冷却并连续凝固，获得组织细化，相分布均匀且具有各向异性的ZrB2‑SiC共晶复合陶瓷。本发明得到的ZrB2‑SiC共晶复合陶瓷的微观组织为迷宫状的层片共晶组织，与采用常规烧结制备技术得到的ZrB2‑SiC复合陶瓷相比，这种组织的两相结合牢固，组织细化，相界面干净，无晶间非晶相，有利于其力学性能的进一步提高。
一种 zrb base sub

[发明专利]一种垂直式热共晶装置-CN201310461866.8在审
发明人：雷训金 -专利权人：雷训金
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： B23K3/04 文献下载
摘要：本发明涉及LED领域，公开了一种垂直式热共晶装置，包括热源、共晶区、垂直式预热区、传送装置；所述热源为发热丝、发热管、红外源、电磁源或激光，置于耐高温导热材料内；所述传送装置采用马达控制，用于传送需要作业的材料；所述共晶区在热源上方；所述预热区在共晶区上方，各个温区垂直分布，在预热区及共晶区可增加真空功能或氮气功能。
一种垂直式热共晶装置

[发明专利]一种Al-16Si过共晶铝硅合金获得全部伪共晶组织的方法-CN201810190239.8有效
发明人：王建华;杨树杰;涂浩;彭浩平;苏旭平 -专利权人：常州大学
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种Al‑16Si过共晶铝硅合金获得全部伪共晶组织的方法，首先将Al‑16Si合金在高温下进行熔炼和保温，以获得无残余初晶硅的合金熔体；然后使合金液流经超低温铜管实现熔体在固液两相区的快速冷却，以抑制初晶硅的析出；最后将强制冷却的合金液浇注到预热温度为527℃的铁板上进行非平衡凝固，最终得到全部的伪共晶组织。本发明彻底消除了Al‑16Si合金液中的残余初晶硅质点，在铝硅合金固液两相区内实现快速冷却以彻底抑制初晶硅的析出，并在共晶点以下适当温度进行伪共晶凝固，最终得到全部伪共晶组织。
一种 al 16 si 共晶铝硅合金获得全部伪共晶组织方法

[实用新型]一种垂直式热共晶装置-CN201320613494.1有效
发明人：雷训金 -专利权人：雷训金
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B23K3/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED领域，公开了一种垂直式热共晶装置，包括热源、共晶区、垂直式预热区、传送装置；所述热源为发热丝、发热管、红外源、电磁源或激光，置于耐高温导热材料内；所述传送装置采用马达控制，用于传送需要作业的材料；所述共晶区在热源上方；所述预热区在共晶区上方，各个温区垂直分布，在预热区及共晶区可增加真空功能或氮气功能。
一种垂直式热共晶装置

[发明专利]共晶焊接装置及其应用-CN201911058217.7有效
发明人：王毅;王松;史戈;张海波;杨涛;李中;喻忠军;徐正;刘骁 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：一种共晶焊接装置及其应用，所述共晶焊接装置包括：热台，所述热台上表面设置共晶工作区；气体喷头，设置于所述共晶工作区上方，且所述气体喷头上设置排气孔，所述排气孔朝向所述共晶工作区，用于对所述共晶工作区吹扫保护气本发明提出在热台上配置气体喷头，用于吹扫共晶工作区，达到气体保护的效果，避免焊料接触空气造成氧化，以此适用于小规模芯片的共晶焊接，降低生产成本。
焊接装置及其应用

[发明专利]具有定向层片组织的ZrB2-CN201810020543.8有效
发明人：苏海军;杜雅文;张军;郭敏;刘林;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种具有定向层片组织的ZrB2‑SiC共晶陶瓷制备方法。将高纯ZrB2粉体和SiC粉体混合，经机械球磨和油压压制基体，得到由真空氩气保护气氛烧结致密的ZrB2‑SiC共晶陶瓷预制体通过光聚焦悬浮区熔技术对得到的ZrB2‑SiC共晶陶瓷预制体进行连续定向凝固，获得具有定向层片组织的ZrB2‑SiC共晶陶瓷本发明利用光聚焦悬浮区熔技术制备ZrB2‑SiC共晶陶瓷材料，实现了ZrB2‑SiC共晶复合陶瓷高温度梯度(～5000K/cm)、大凝固速率范围的无坩埚约束快速定向凝固，完全消除了传统定向凝固坩埚引起的污染和裂纹，获得了组织超细化，分布均匀，具有定向层片状组织的ZrB2‑SiC共晶陶瓷材料
具有定向组织 zrb base sub

[发明专利]一种LED共晶工艺方法-CN201310220853.1有效
发明人：任荣斌;焦祺;王跃飞 -专利权人：广州市鸿利光电股份有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种LED共晶工艺方法，包括以下步骤：（1）物料准备，主要有：①助焊剂准备，②点胶头准备，③基板处理；（2）自动固晶机台上固晶的重要参数设置；（3）自动固晶；（4）材料检测；（5）将材料放入共晶炉的第一温区内，在推杆的自动推送作用下，材料依次进入第二温区、第三温区、第四温区、第五温区、第六温区和第七温区进行共晶；（6）材料在第七温区取出，即完成共晶工序。通过限定各物料的参数标准、调整与优化各工艺参数、优化工序流程和建立相关合格标准，进行LED批量共晶时的合格率可达到较高水平。
一种 led 工艺方法

[发明专利]一种制备Si基二元共晶自生复合材料的方法-CN201210179010.7有效
发明人：苏海军;张军;杨新宇;刘林;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C30B21/04 文献下载
摘要：一种制备Si基半导体二元共晶自生复合材料的方法，将从共晶合金母材上切取的试样棒置于激光悬浮区熔定向凝固炉内，保持其与抽拉机构同轴。利用激光悬浮定向凝固装置使两束等质量的激光对称的对试样进行区熔熔化，获得稳定的熔区后，通过抽拉实现材料的连续定向凝固。激光悬浮区熔定向凝固过程中，激光功率为400～1200W，抽拉速率为1～500μm/s，熔区长度为5～9mm，激光光斑2～4mm。本发明实现了Si基共晶合金5000～7000K/cm温度梯度、1～500μm/s的无坩埚约束快速定向凝固，完全消除了传统定向凝固坩埚引起的污染和裂纹，获得了组织超细化，纤维分布均匀，取向精度高的Si基半导体二元共晶自生复合材料
一种制备 si 二元自生复合材料方法

[发明专利]一种氧化物共晶结构陶瓷粉末的制备方法-CN201710279849.0在审
发明人：苏海军;任俊飞;张军;刘林;黄太文;郭敏;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：一种氧化物共晶结构陶瓷粉末的制备方法。通过激光悬浮区熔技术，制备组织细小且均匀的共晶材料，然后通过粉碎、筛分将具有强界面结合的微观共晶结构保存在共晶粉末中，进而制备出具有一定粒径分布的共晶粉末，从而通过初始共晶试样的层片间距和共晶粉末粒径的合理搭配，有效的将初始共晶试样当中的共晶结构保留到烧结共晶体中。本发明得到的氧化物共晶结构陶瓷粉末为典型的共晶形貌；通过改变激光悬浮区熔过程中的抽拉速率得到具有不同层片间距的共晶材料；通过抽拉速率和球磨时间的组合，得到了不同粒径分布的共晶粉末。
一种氧化物结构陶瓷粉末制备方法

[发明专利]一种高精度共晶键合设备-CN201911392998.3在审
发明人：朱树存 -专利权人：嘉兴景焱智能装备技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及光通讯领域基板上芯片共晶键合技术领域，一种高精度共晶键合设备，包括设备基座，所述设备基座上端设有物料区和键合区；所述物料区包括一可在XYZ轴方向进行移动的拾取头单元，所述键合区包括共用导轨、光栅尺且相互独立控制的前芯片键合臂和后芯片键合臂，所述键合区还包括设置于所述上料台右侧且可在X轴方向移动的前共晶加热台和后共晶加热台，所述前共晶加热台和后共晶加热台之间设有可在X轴方向移动的芯片中继台，所述芯片中继台的前侧还设有芯片倒装翻面头。本发明采用双键合头的新型高精度光通讯共晶键合机的布局方案，以满足正装及倒装共晶键合的高精度要求，并通过并行双头方案实现设备产率的极大提高。
一种高精度共晶键合设备

[实用新型]一种高精度共晶键合设备-CN201922433688.3有效
发明人：朱树存 -专利权人：嘉兴景焱智能装备技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及光通讯领域基板上芯片共晶键合技术领域，一种高精度共晶键合设备，包括设备基座，所述设备基座上端设有物料区和键合区；所述物料区包括一可在XYZ轴方向进行移动的拾取头单元，所述键合区包括共用导轨、光栅尺且相互独立控制的前芯片键合臂和后芯片键合臂，所述键合区还包括设置于所述上料台右侧且可在X轴方向移动的前共晶加热台和后共晶加热台，所述前共晶加热台和后共晶加热台之间设有可在X轴方向移动的芯片中继台本实用新型采用双键合头的新型高精度光通讯共晶键合机的布局方案，以满足正装及倒装共晶键合的高精度要求，并通过并行双头方案实现设备产率的极大提高。
一种高精度共晶键合设备

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