专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种液晶向错线消除方法-CN202211264303.5在审
  • 马玲玲;潘锦涛;陆延青;李炳祥 - 南京大学
  • 2022-10-17 - 2022-12-30 - G02F1/1337
  • 包括如下步骤:制备可重构手性液晶体系;搭建消除致异构材料掺杂液晶向错线光学系统;启动解光源出射解,使解垂直照射于可重构手性液晶单片或可重构手性液晶盒上;启动恢复光源出射恢复,并通过分光镜进行路调整,使恢复垂直照射于可重构手性液晶单片或可重构手性液晶盒上。本发明的优点在于:提供一种液晶向错线消除方法,其工艺相对比与现有技术手段简单、可控性高,不需要进行长时间的静置,可快速的消除致异构材料掺杂液晶向错线,可有效的提高在液晶光学元件的制备效率和制备良率,在液晶光学元件的制备领域具有良好的应用前景
  • 一种液晶消除方法
  • [发明专利]激光四程放大装置-CN201210077710.5无效
  • 樊仲维;邱基斯;唐熊忻 - 北京国科世纪激光技术有限公司
  • 2012-03-22 - 2012-08-01 - G02B27/28
  • 本发明提供一种激光四程放大装置,包括:依次设置在主路上的第一偏振器件、法拉第器、二分之一波片、第二偏振器件、四分之一波片、放大器和第一反射镜,以及设置在从路上的第二反射镜;所述第一偏振器件适于透射第一偏振态的偏振,反射第二偏振态的偏振;所述第一偏振态和第二偏振态的偏振的偏振面相差90度;所述法拉第器为左旋法拉第器;所述二分之一波片的入射振动平面与晶体光轴间的夹角为22.5度;该二分之一波片适于将入射的偏振的偏振面以的行进方向为轴线顺时针旋转45度;所述第二偏振器件适于透射第一偏振态的偏振,反射第二偏振态的偏振
  • 激光放大装置
  • [发明专利]全固态皮秒激光放大器-CN201310002642.0有效
  • 陈檬;陈立元;李港;彭志刚 - 北京工业大学
  • 2013-01-05 - 2013-04-03 - H01S3/16
  • 本发明涉及一种全固态固体激光技术领域,具体是指一种全固态皮秒激光放大器,包括种子源;第一薄膜偏振片、第二薄膜偏振片、法拉第器和λ/2波片构成的种子导入和放大导出装置;第一泵浦光源;再生腔;所述再生腔的两个腔镜包括第一凹面镜和第二凹面镜,在所述再生腔内沿传播方向还依次设有普克尔盒、第一λ/4波片、第三薄膜偏振片、第四薄膜偏振片、第三凹面镜。第一凸面镜、第一激光晶体、第二凸面镜、第四凹面镜,所述第一激光晶体为Yb:YAG棒。本发明在放大器中采用掺Yb离子的第一激光晶体代替掺Nd离子的激光晶体,它具有量子效率高、上能级寿命长、热产出率低,易获得高功率、高光束质量的激光输出。
  • 固态激光放大器
  • [发明专利]一种多偏振分解谐波显微成像装置及方法-CN202310807279.3在审
  • 王伟波;吴必伟;谭久彬 - 哈尔滨工业大学
  • 2023-07-04 - 2023-10-03 - G01N21/95
  • 本发明涉及一种用于二维半导体晶体缺陷检测的多偏振分解谐波显微成像装置及方法,属于光学显微成像技术领域。本发明装置包括激光光源系统、多偏振生成系统、谐波信号激发系统、信号探测系统以及控制与数据处理系统。本发明采用不同角度线偏振态激发光、不同向圆偏振以及径向偏振对二维半导体进行谐波信号激发,并扫描形成谐波图像,接着在探测端进行不同模式的偏振探测。进一步对不同向圆偏振激发的谐波图像提取差异图像。本发明利用谐波信号的相干特性,以及对激发光偏振态的敏感性,通过扩展入射偏振态,并对相应谐波显微图像进行融合以及提取差异。本发明的有益效果:实现二维半导体晶体缺陷的快速高灵敏度检测。
  • 一种偏振分解谐波显微成像装置方法
  • [发明专利]利用光伏晶体硅加工废砂浆生产三氯氢硅方法-CN201110238178.6有效
  • 尹晏生;赵凤忠;高明利;尹克胜 - 尹克胜
  • 2011-08-12 - 2012-04-11 - C01B33/107
  • 利用光伏晶体硅加工废砂浆生产三氯氢硅方法:把晶体硅加工废砂浆按申请号201110101064.7《伏电池晶体硅加工废砂浆综合处理新方法》分离、回收PEG和铁,得含Si、SiC的二元砂;把氯化钾和硫酸进行复分解反应,制硫酸钾;副产HCl↑经冷冻、脱水、预热处理,得合格HCl气体,利用HCl气体夹带二元砂喷人气流床反应器内,形成流,以利Si+3HCl↑=SiHCl3↑+H2↑反应进行和不反应的SiC的分离沉降;反应产物夹带不反应的SiC微粉进入分离提纯系统,经除尘装置分离回收SiC微粉;根据Si氯化物的不同理化性质,进行分离提纯,获得高纯度SiHCl3,用于制备晶体硅材料和有机硅系列产品有机硅烷和烷基、芳基以及有机官能团氯硅烷等
  • 利用晶体加工砂浆生产三氯氢硅方法
  • [发明专利]一种拆分制备活氨基酸的方法-CN201010170367.X有效
  • 孙凤霞;王玮;张旭;王德彬;张炳烛 - 河北科技大学
  • 2010-05-13 - 2011-11-16 - C07B57/00
  • 本发明使用由活的1-苯基乙磺酸为主拆分剂和消的取代苯基乙磺酸为助拆分试剂组成的组合AES拆分剂,在水溶液或有机溶剂或有机溶剂/水溶液中对消的氨基酸进行拆分,通过加热回流至溶液澄清,搅拌,降温,析出晶体,过滤,滤饼洗涤,烘干得一种构型的活氨基酸。滤液经相同处理得到另一构型的活氨基酸。拆分剂经过离子交换和浓缩回收,循环使用。本发明组合AES拆分剂,对消的氨基酸的选择性好,拆分效率高,得到的两种构型的活氨基酸纯度高,光学纯度达到97%o.p以上,产品收率高,达95%以上,拆分剂的利用率和回收率高,生产成本低。
  • 一种拆分制备氨基酸方法
  • [发明专利]环形激光磁力仪-CN200510100641.5无效
  • 李贵祥 - 李贵祥
  • 2005-10-25 - 2007-05-02 - G01V3/00
  • 其特征是把法拉弟磁材料置于形状为矩形,由两支参数相同,对称放置的增益管提供放大并克服塞曼效应,由晶体石英产生圆偏振的激光器内,其右旋光和左旋的正、负的频率差的和表征磁场在法拉弟磁材料内路上的分量使用长几厘米到十几厚米的火石玻璃,铽玻璃等做法拉弟磁材料。
  • 环形激光磁力
  • [发明专利]基于磁腔耦合的光子晶体四端口环行器-CN200910188885.1无效
  • 王琼;欧阳征标 - 深圳大学;欧阳征标
  • 2009-12-14 - 2010-07-28 - G02F1/095
  • 本发明涉及一种基于磁腔耦合的光子晶体四端口环行器,其包括两个相同的磁腔,以及每一磁腔周围对称分布的三个波导,其中,连接磁腔的两个波导构成“v”形排列,从而保证两个磁腔左、右两侧连接的波导分别平行,使得磁腔耦合时获得高效率传输。本发明的环行器利用磁腔的效应实现腔内电磁场分布模式的旋转,实现对不同波导的传输和隔离效果,获得第一端口至第二端口、第二端口至第三端口和第三端口至第四端口的单方向光环行功能。本发明具有结构紧凑、易于集成等优点,在光子晶体器件集成中具有隔离反射信号、提高系统稳定传输的重要作用。
  • 基于磁光腔耦合光子晶体端口环行器

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