专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]的去机构-CN201921209518.0有效
  • 钟武辉;张亚斌 - 宁波奥克斯电气股份有限公司;奥克斯空调股份有限公司
  • 2019-07-30 - 2020-04-14 - B29C37/02
  • 本实用新型提供了一种的去机构,其包括:作用部,沿所述作用部插入所述的方向,所述作用部包括作用端和连接端,并且,在所述作用端与所述连接端之间,所述作用部至少有一横截面与所述的形状和尺寸相同。本实用新型通过使作用部在作用端和连接端之间具有与的形状和尺寸相同的横截面,可以在作用部插入后,使该横截面对应的作用部的位置和直接接触,由此,作用部可以充分填充该,以去除内其他的残余料头,从而在便捷高效的去除残余料头的同时,还能有效避免锉刀等工具对具有该的产品的磕伤等情况的发生。
  • 机构
  • [发明专利]姜石轻质陶粒-CN201610478344.2在审
  • 王鲁海;邱茗;王跃皓;许庆华;金白云;蒋文兰;袁欣;许盛英 - 平凉华晨非金属应用科技有限公司
  • 2016-06-28 - 2016-11-16 - C04B33/132
  • 本发明公开了一种姜石轻质陶粒,其技术方案的要点是,姜石轻质陶粒由姜石、高粘凹凸棒石粘土、粉状凹凸棒发泡剂、活性白土废渣、漂珠、轻质氧化镁、膨胀珍珠岩、膨胀蛭石和硫酸亚铁组成。将姜石轻质陶粒的配料进行搅拌混合、挤压造粒、烘干、焙烧、保温、筛分后密封包装为姜石轻质陶粒。姜石轻质陶粒具有比表面积大、堆积密度小、吸水率高、透气性能优越、外观造型美观无异味、没有有害病菌、轻质强度好、微孔和大为一体的特点。用于培育或种植各种苗木、花草和蔬菜时,植物的根部将会从姜石轻质陶粒里吸收水或液态肥的营养成分,确保植物生长发育好和成活率高,适用于配制无土栽培基质和营养土。
  • 料姜石轻质通孔陶粒
  • [实用新型]自动机及其上装置-CN201720017531.0有效
  • 方坤 - 昆山联捷机电有限公司
  • 2017-01-07 - 2017-08-08 - B23Q7/00
  • 本实用新型公开了一种自动机及其上装置,包括底座,所述底座的上表面滑移设置有储体,所述储体沿其滑移方向依次贯穿设置有若干个用于存储滑块且其横截面与滑块轮廓相适配的落,所述储体的下端且位于每一落处均沿垂直于储体滑移方向贯穿设置有同时与相对应的落相通的推、出,所述底座位于推的一侧设置有用于将落内一个滑块经出推出以进行上的推动部,所述底座上设置有与储体连接并间歇式推动储体向推动部方向滑动相邻落之间距离的驱动部,其技术方案要点是滑块仅有与底座之间的摩擦
  • 自动通孔机及其装置
  • [发明专利]形成方法-CN200710094495.9有效
  • 陈国海;苏娜;聂佳相 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-12-13 - 2009-06-17 - H01L21/768
  • 一种形成方法,包括:在半导体基底上形成介质层;图形化所述介质层,以形成接触;形成覆盖所述接触的粘接金属层和第一合金层;在所述第一合金层上形成第二合金层,所述第二合金层中的碳、氧含量高于所述第一合金层中的碳、氧含量;形成覆盖所述第二合金层并填充所述接触的连接金属层,形成。可减小形成的中产生孔洞的可能性。还提供了一种,形成所述时可减小产生孔洞的可能性。
  • 形成方法
  • [实用新型]口组合滤板-CN200420023435.X无效
  • 金望松 - 杭州西湖分离机械有限公司
  • 2004-06-02 - 2005-06-01 - B01D25/12
  • 本实用新型涉及一种内口组合滤板。板体(1)上有进料口和出口(1-1),周边凸起,中间有凹面腔室,其上有相配合的隔膜(2),隔膜的滤压面上有点阵状排列的小凸点(2-1),出口和滤压面之间有若干通道,其特征在于所述的通道为贯通于隔膜和板体的内所述的隔膜段的内(3)中嵌有刚性管(4)。本实用新型设计合理,结构简单,液体的流动状况合理,流阻小,流速快,滤布使用寿命长。
  • 内通孔出料口组合
  • [发明专利]填充结构以及填充方法-CN201310524371.5在审
  • 康晓春 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-10-29 - 2015-04-29 - H01L23/532
  • 本发明揭示了一种填充结构,包括:半导体基底,所述半导体基底中具有;钨层,所述钨层位于所述半导体基底上,并覆盖所述;阻挡层,所述阻挡层位于所述钨层上,并覆盖所述;金属层,所述金属层位于所述阻挡层上,并填充所述。本发明还提供一种填充方法。由于所述钨层的填隙能力较强,在所述钨层上制备所述阻挡层时,较薄的所述阻挡层可以很好的覆盖所述,并且所述阻挡层的厚度均匀;当在所述阻挡层上再制备金属层时,所述金属层能很好的填充到所述中;另外,所述钨层的导电能力好于所述阻挡层的导电能力,并且所述阻挡层较薄,有利于提高的导电能力。
  • 填充结构以及方法
  • [发明专利]填充方法及填充装置-CN202210319015.9在审
  • 陈蓉;李易诚;曹坤;单斌;张净铭;严谨;齐子廉 - 华中科技大学
  • 2022-03-29 - 2022-07-12 - H01L21/768
  • 本发明涉及一种填充方法及填充装置,该填充方法包括以下步骤:在基体上刻蚀的底壁为第一表面,的侧壁为第二表面;使用ALD工艺将第一前驱体导向所述第一表面和所述第二表面以形成第一填充层;使用CVD工艺将第二前驱体导向所述内以形成第二填充层。上述填充方法中,采用ALD工艺和CVD工艺结合的方法来填充,能同时兼顾填充质量和填充效率,能更好地满足尤其是高深宽比的的填充需要。
  • 填充方法装置
  • [发明专利]用治具及方法-CN202211261403.2在审
  • 陆贤文;王奕恒;濮威 - 常熟市华德粉末冶金有限公司
  • 2022-10-14 - 2022-12-27 - B23P9/02
  • 本发明公开了用治具及方法,用治具包括基座,基座内具有放置,放置由弹簧、支撑块和锁紧块构成,支撑块为圆柱形,锁紧块为上大下小的圆台形,锁紧块、支撑块和弹簧上下分布;弹簧内安装有弹簧,支撑块内安装有支撑块,支撑块为圆柱形,支撑块中部具有芯棒避让,支撑块放置在弹簧上;锁紧块为与锁紧块对应的圆台形,锁紧块中部具有挤压,锁紧块由多块构成;时,将粉末冶金产品的颈部外径通过挤压锁紧,在时锁紧块沿锁紧块内壁的斜度向下滑动,锁紧块的多块拼合时受基座内壁约束挤压将颈部完全锁紧,保证在处理时颈部不会因为时向外的力而扩大。
  • 通孔用治具方法
  • [发明专利]刻蚀方法及掩膜-CN200710040254.6有效
  • 刘乒;沈满华;尹晓明 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-04-24 - 2008-10-29 - H01L21/311
  • 一种刻蚀方法,包括:提供刻蚀基底;在所述刻蚀基底上形成图形化的抗蚀剂层,所述图形化的抗蚀剂层暴露部分所述刻蚀基底;沉积辅助掩膜层,所述辅助掩膜层覆盖所述图形化的抗蚀剂层和所述图形化的抗蚀剂层暴露的部分所述刻蚀基底;刻蚀所述辅助掩膜层,以形成包含辅助掩膜的掩膜;利用所述掩膜刻蚀所述刻蚀基底,以形成。一种掩膜,包括:具有确定图形的抗蚀剂层,所述具有确定图形的抗蚀剂层暴露部分刻蚀基底;以及,辅助掩膜,所述辅助掩膜覆盖所述具有确定图形的抗蚀剂层的侧壁。在固有掩膜基础上,增加一辅助掩膜,以减小固有条件下掩膜的图形尺寸,利于利用所述掩膜形成具有扩展的尺寸极限的
  • 刻蚀方法通孔掩膜

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