专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种防电源反接电路和DC电子设备-CN202320046498.X有效
  • 于振杰 - 浙江大华技术股份有限公司
  • 2023-01-05 - 2023-08-25 - H02H11/00
  • 本实用新型涉及一种防电源反接电路和DC电子设备,防电源反接电路连接在电源和负载之间,防电源反接电路包括:场效应管、峰值检测电路和压降单元;电源的第一端通过场效应管和负载的第一端连接;峰值检测电路的输出端与场效应管的栅极连接,峰值检测电路的输入端通过压降单元与场效应管的源极连接;电源的第二端、负载的第二端均接地。在电源电路接入AC电源时,P型场效应管的栅极会保持较高的电压,进而当P型场效应管的源极电压小幅度下降后,其源极与栅极之间的电压差将不满足导通条件,进而实现快速关断。
  • 一种电源反接电路dc电子设备
  • [实用新型]曲线条型压电振-CN97221443.7无效
  • 焦秉立;张金铎 - 焦秉立;张金铎
  • 1997-07-22 - 2000-03-15 - H03H9/15
  • 本实用新型提供一种新型的压电振,由压电材料条或复合压电材料条构成,改进传统的直线型双叠片模式,压电材料条或复合压电材料条分布在一空间曲线上,可呈盘簧型,塔簧型或直升簧型。因曲线盘旋特性大幅度地减小压电振的空间占宽,在具有同样低频和带宽的情况下,振线度更低,质量更小。并因曲线型压电振弯矩所带来的压电效应或扭矩带来的压电效应使得振的机电转换效率提高。
  • 曲线压电
  • [发明专利]基于掩蔽效应的复卷积循环神经网络单通道语音增强方法-CN202210467641.2在审
  • 叶中付;赵紫微;于润祥 - 中国科学技术大学
  • 2022-04-29 - 2022-09-02 - G10L21/0208
  • 本发明公开了一种基于掩蔽效应的复卷积循环神经网络单通道语音增强方法,包括:参照Bark带的频率划分方法将傅里叶变换后的初始向量的频率维划分成最接近临界频带的相邻向量间具有重叠的22个向量,22个向量代表22个频带,送入相对应的22个并行复卷积循环网络子带模型中;在并连的带模型之后串连两个全频带复全连接层,得到完整的基于掩蔽效应的复卷积循环神经网络模型;采用复理想比率掩码cIRM作为训练目标,将cIRM本发明既能捕捉频带内的局部频谱模式,又能捕捉全频带的频谱模式和频带间的交叉依赖关系;充分利用人耳的听觉掩蔽效应这一规律,在增强效果和计算速度上比一般的神经网络具有明显优势。
  • 基于掩蔽效应卷积循环神经网络通道语音增强方法
  • [发明专利]具有T型鳍部的鳍式场效应管及其形成方法-CN201110255737.4有效
  • 三重野文健 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2011-08-31 - 2013-03-13 - H01L29/423
  • 本发明提供了一种具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法,包括:提供基底;依次形成位于所述基底表面的第一硅薄膜、硬掩膜层和具有第一开口的图案层;形成覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙;去除所述图案层;以所述侧墙为掩膜刻蚀硬掩膜层形成第一结构,再去除所述侧墙;以所述第一结构为掩膜刻蚀所述第一硅薄膜形成第一鳍部;形成覆盖所述基底、第一鳍部的侧壁的绝缘层,所述绝缘层的表面与所述第一鳍部的表面齐平;形成位于所述第一鳍部顶部的第二鳍部,所述第二鳍部的宽度大于所述第一鳍部的宽度上述方法形成的鳍式场效应管的沟道区的长度大,避免了短沟道效应,器件性能的稳定性高。
  • 具有型鳍部场效应及其形成方法
  • [发明专利]结型场效应晶体管及其制作方法-CN201611265424.6有效
  • 林中瑀 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2016-12-30 - 2020-09-04 - H01L29/808
  • 本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制作方法。一种结型场效应晶体管包括衬底、依次设置在所述衬底上的外延层和掩膜介质层。所述外延层内包括第一导电类型阱区,所述第一导电类型阱区内设有漏区和源区。所述掩膜介质层定义所述源区和漏区,其中,与所述漏区对应设置的所述掩膜介质层包括多个分离排列的掩膜单元,使所述漏区分离成多个漏区单元,且所述漏区单元与所述掩膜单元一一对应设置。当大电流撞击在某一漏区单元时,被撞击的漏区单元的温度升高,其电阻也随之变大,从而降低了电流流通的能力,电流就会逐步分散到与之相邻的其他漏区单元上去,起到了均流的效果,提高了结型场效应晶体管的抗静电放电的能力
  • 场效应晶体管及其制作方法

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