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[发明专利]一种重掺砷硅单晶的放肩工艺-CN202211553223.1在审
发明人：王凯磊;李英涛;王万华;皮小争;方峰;崔彬 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种重掺砷硅单晶的放肩工艺。该放肩工艺的参数设定为：根据放肩长度将放肩过程分为放肩初期、放肩中期和放肩后期，其中，放肩初期为放肩长度为1‑40mm的区间；放肩中期为放肩长度为40‑220mm的区间，放肩后期为放肩长度为220mm以上的区间；将降温速度定义为放肩温度差值除以放肩长度差值；将降温速率定义为放肩温度差值除以原始温度；在放肩初期，每20mm降温1‑3SP值，降温速度为0.05‑0.15，降温速率降低；在放肩中期，每20mm降温1‑12SP值，降温速度为0.05‑0.6，降温速率呈现增大、减小、增大的趋势；在放肩后期，每20mm降温3‑15SP值，降温速度为0.15‑0.75，降温速率较小。该放肩工艺可大大提高放肩成活率。
一种重掺砷硅单晶工艺

[发明专利]一种大直径单晶硅放肩生长工艺-CN202010860262.0有效
发明人：李永博;王利超;尚锐刚;王永涛;崔彬;方峰 -专利权人：有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种大直径单晶硅放肩生长工艺。在放肩过程中，放肩初始时放肩温度SP值减少0‑5，在1mm时放肩温度SP值减少1‑2；在15mm时放肩温度SP值减少5‑6，降温速率为0.3；在30mm时，放肩温度SP值减少10‑12，降温速率为0.3；在45mm时放肩温度SP值减少20‑22，降温速率为0.5；在60mm时放肩温度SP值减少31‑33，降温速率为0.7；在75mm时放肩温度SP值减少50‑55，降温速率为1.2；在90mm时放肩温度SP值减少69‑71，降温速率为1.35；在105mm时放肩温度SP值减少90‑92，降温速率为1.42。该工艺能够保证放肩时功率不发生反弹。
一种直径单晶硅生长工艺

[发明专利]液口距可控的放肩方法-CN202110553789.3在审
发明人：梁万亮;丁亚国;马国忠;顾燕滨;河野贵之 -专利权人：宁夏富乐德石英材料有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种液口距可控的放肩方法，属于单晶硅技术领域。通过预设放肩形状，预设放肩参数，进行放肩作业，并对放肩过程的埚升CL1进行调整，使埚升速度CL0等于测量埚升速度CL1+ΔCL，通过几次调整后，将所得到的放肩工艺应用于实际的放肩过程中，使放肩过程中，液口距能够被有效控制，减少人工干预，降低放肩工艺对操作人员经验的依赖程度，提高放肩成活率
液口距可控方法

[发明专利]一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法-CN202110448940.7在审
发明人：杨昊;赵秀雷;牛立东;李向宇 -专利权人：弘元新材料（包头）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大直径单晶拉制过程中二次放肩的方法，涉及直拉单晶拉晶技术领域。本发明的方法包括如下步骤：第一步.引晶放肩和开叉；第二步.提升拉速，用于肩型闭合收成线；第三步.二次开叉，用于二次放肩。本发明通过单晶放肩到等径过程中，存在界面反转的过程，放肩过程中二次放肩可以在放肩过程中改善肩部凸面大，界面形态差的情况；二次放肩过程中改善界面形态后，单晶等径后头部界面形态较一次放肩单晶界面小，界面反转更容易
一种直径拉制过程二次方法

[发明专利]一种放肩控制方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210103880.X在审
发明人：张伟建;赵阳;王莎莎;郭力;李广砥 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种放肩控制方法、装置、电子设备及存储介质，涉及太阳能光伏技术领域。其中，将直拉法单晶硅制备中转肩过程、等径过程的降温量调整到放肩过程，获得目标降温量，并根据目标降温量提升放肩过程中的放肩降温斜率，以根据调整后的放肩降温斜率在放肩过程中完成目标降温量的降温控制，此时，放肩过程的降温量提升，且转肩过程、等径过程的降温目标提前实现，能够有效降低放肩过程、转肩过程、等径过程的熔体温度，从而能够降低坩埚溶解，减少氧杂质溶解在熔体中溶解量，降低成品单晶硅的氧含量。
一种控制方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种提高大直径单晶硅放肩稳定性的方法-CN202211600313.1在审
发明人：崔维学;鲁强;李永博;李钊;盖晶虎 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高大直径单晶硅放肩稳定性的方法。所采用的放肩过程包括以下步骤：(1)根据原有放肩程序确定放肩整体所需功率和放肩时长，按照时长将放肩过程分成若干阶段；(2)第一阶段时长降温调整，首次调整功率为各阶段功率均值，功率根据放肩速度进行调整，直至放肩速度偏差小于2％；(3)第二阶段时长降温调整，首次调整功率为剩余功率与剩余阶段的功率均值，功率根据放肩速度进行调整，直至放肩速度偏差小于2％，调整方法与步骤(2)相同；(4)重复步骤(2)、(3)，完成剩余各阶段功率调整
一种提高直径单晶硅稳定性方法

[发明专利]一种区熔硅单晶的放肩方法-CN202111638491.9有效
发明人：王永涛;尚锐刚;刘建涛;李明飞 -专利权人：有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种区熔硅单晶的放肩方法，采用平头多晶硅进行放肩，对加热功率和多晶速度的控制方式为：(1)在平头多晶放肩初始，加热功率比锥头多晶放肩初始的加热功率高20％‑30％，然后逐步降低，到硅单晶直径为30‑40mmmm时降至与锥头多晶放肩初始的加热功率相同；后续与锥头多晶放肩参数相同；(2)在平头多晶放肩初始，多晶速度为锥头多晶放肩初始的多晶速度的2‑3倍，然后迅速逐步降低，到硅单晶直径为20‑30mm时降至最低，然后随着硅单晶直径的增大，逐步增大多晶速度，在硅单晶直径为60‑70mm时，多晶速度接近锥头多晶放肩参数，后续与锥头多晶放肩参数相同。
一种区熔硅单晶方法

[发明专利]一种提高100单晶成活率的放肩方法-CN202210403758.4有效
发明人：闫龙;周文辉;王忠保 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种提高100单晶成活率的放肩的方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据预定拉速曲线进行晶棒拉制，以得到放肩肩型为等腰三角型的目标英寸晶棒，本发明通过预定拉速曲线进行晶棒拉制，使得放肩的肩型统一，且在放肩的过程中能够避免肩型中出现四条隆起脊带的概率，从而降低放肩的NG率。
一种提高 100 成活率方法

[发明专利]单晶硅制造的方法、电子设备及存储介质-CN202110221238.7有效
发明人：杨俊;万雪健;白枭龙;尚伟泽 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种单晶硅制造的方法，应用于直拉法，该方法包括：按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度以及放肩直径；根据放肩角度、放肩工序中起始的直径以及晶体的平均拉速，生成放肩角度对应的触发直径阈值；检测所述放肩直径是否达到与所述放肩角度对应的触发直径阈值，若检测到所述放肩直径达到所述触发直径阈值，则触发执行转肩工序。本发明实施例解决了转肩工序结束后单晶硅的直径与目标直径误差大的问题以及单晶硅的制造效率低的问题。
单晶硅制造方法电子设备存储介质

[发明专利]放肩缺陷实时检测方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310267714.8有效
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;文灿华 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种放肩缺陷实时检测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：通过实时获取晶体放肩阶段的放肩生长图像及对应的拍摄时间、放肩转速信息，对每次获取的放肩生长图像进行区域检测，得到晶体的肩部目标框，并对肩部目标框内区域进行特征检测，得到晶体熔点的第一目标框和晶体棱线的第二目标框，其中，基于肩部目标框确定晶体的中心，根据拍摄时间和放肩转速信息实时更新熔点、棱线相对中心的地标位置，并基于地标位置对第一目标框、第二目标框的追踪位置进行匹配追踪，确定晶体的放肩工艺状态。采用本方法能够实时稳定、精准地追踪晶体在放肩阶段的各熔点、棱线的状态，以确定晶体的放肩工艺状态。
缺陷实时检测方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种大尺寸硅单晶变炉压改善放肩成活率装置-CN202110450411.0在审
发明人：杨昊;余庆华;牛立东;黄怀玉 -专利权人：弘元新材料（包头）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸硅单晶变炉压改善放肩成活率装置，涉及单晶炉配套装置技术领域。本发明包括放肩行程管，放肩行程管的顶端从一端到另一端依次固定连接有氩气注入管、放肩拉动输出结构和真空抽排导管，氩气注入管用于连接氩气注入泵，从而向放肩行程管内部注入氩气，真空抽排导管用于连接真空泵和机器泵本发明通过放肩拉动输出结构的设计，使得装置便于完成对晶体放肩过程中进行全程自动化双重控量变速，从而达到稳定的放肩带动，进一步提高稳定性和放肩成活率，且通过晶体防脱定位结构的设计，使得装置便于完成对晶体的自动化夹紧，避免了晶体在放肩过程中产生脱落，提高成型稳定性，降低脱落带来的报废可能性。
一种尺寸硅单晶变炉压改善成活率装置

[发明专利]一种单晶拉制方法-CN202110672615.9在审
发明人：沈瑞川;高润飞;李雪峰;董恩惠;景吉祥;王静;郭谦 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明揭露了一种单晶拉制方法，包括以下步骤：S1、建立拉单晶数据库；S2、在拉单晶进入放肩工序时，根据单晶目标规格、单晶炉的型号以及热场尺寸、单晶炉内的辅料数据、坩埚内装的原料的数据在所述数据库内整合出一最优存活肩形；S3、结合单晶目标规格、单晶炉的基本参数、单晶炉坩埚内装的原辅料的数据以及所述最优存活肩形在所述数据内整合出一最优放肩方案；S4、根据所述最优放肩方案进行放肩。根据上述方式放肩，相当于给不同炉台定制不同的放肩方案，从而各个单晶炉的放肩成活率都很高，进而提升单晶的生长效率。
一种拉制方法

[发明专利]一种泡生法制备蓝宝石单晶的生长方法-CN201410135638.6有效
发明人：左洪波;杨鑫宏;张学军;李铁 -专利权人：哈尔滨奥瑞德光电技术股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：它主要包括以下控制阶段：放肩、等径生长和收尾阶段，引晶结束后即为放肩阶段，放肩阶段分为放肩初期和放肩后期，通过调节电压控制降温速度并配合晶体提拉速度，实现放肩初期平稳生长，生长20~25h后晶体重量达到1.5kg左右，进入放肩后期阶段，电压调节量小于放肩初期，放肩后期增大提拉速度并缓慢降温，生长45~52h，晶体重量约4kg后进入等径生长阶段，等径生长阶段减小晶体的提拉速度，同时加快降温，生长75h，
一种法制蓝宝石生长方法

[实用新型]大尺寸硅单晶变炉压改善放肩成活率装置-CN202120863164.2有效
发明人：杨昊;余庆华;牛立东;黄怀玉 -专利权人：弘元新材料（包头）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了大尺寸硅单晶变炉压改善放肩成活率装置，涉及单晶炉配套装置技术领域。本实用新型包括放肩行程管，放肩行程管的顶端从一端到另一端依次固定连接有氩气注入管、放肩拉动输出结构和真空抽排导管，氩气注入管用于连接氩气注入泵，从而向放肩行程管内部注入氩气，真空抽排导管用于连接真空泵和机器泵本实用新型通过放肩拉动输出结构的设计，使得装置便于完成对晶体放肩过程中进行全程自动化双重控量变速，从而达到稳定的放肩带动，进一步提高稳定性和放肩成活率，且通过晶体防脱定位结构的设计，使得装置便于完成对晶体的自动化夹紧，避免了晶体在放肩过程中产生脱落，提高成型稳定性，降低脱落带来的报废可能性。
尺寸硅单晶变炉压改善成活率装置

[发明专利]一种单晶硅晶棒的长晶方法-CN201811267664.9在审
发明人：沈伟民;范进 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅晶棒的长晶方法，所述长晶方法依次包括放肩阶段和等径阶段，其中，通过控制所述放肩阶段的放肩速度和/或温度来增加放肩段的高度，以使固液界面在所述放肩阶段完成从向下凹陷到平坦的过渡。
一种单晶硅方法

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