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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件-CN202211005635.1在审
发明人：颜世男;金明达;李宜青;叶振隆 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包括第一半导体结构、第二半导体结构以及活性区。第一半导体结构具有包含第一掺质及第二掺质的第一半导体层。第二半导体结构位于第一半导体结构上且包含第一掺质。活性区位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包含第一掺质。第一掺质与第二掺质具有不同的导电型态。
半导体元件

[发明专利]抗击穿漏电流的金属氧化物半导体晶体管及其制造方法-CN201010568106.3有效
发明人：李钧耀;陈锦隆;张伟军;林弘德;黄瀚民 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种抗击穿漏电流的金属氧化物半导体晶体管及其制造方法，该金属氧化物半导体晶体管包含有第二型基板、第二型基体、抗击穿漏电流结构以及栅极结构，而该制造方法包含：于基板中形成高电压深第一型井区与第一型轻掺杂区，第一型轻掺杂区的第一型掺质浓度大于高电压深第一型并区的第一型掺质浓度，形成具有掺质注入开口的掩模结构，再利用掺质注入开口进行第一型掺质注入而形成抗击穿漏电流结构，抗击穿漏电流结构的第一型掺质浓度大于高电压深第一型井区的第一型掺质浓度，并可利用掺质注入开口进行第二型掺质注入，用以形成第二型基体，在第二型基板上方形成栅极结构。
抗击漏电金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN202210112032.5在审
发明人：戴铭昆;张以澄;吴正一;蔡瀚霆;林灿;林仲德;邱维刚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：第一半导体金属氧化物层包括第一平均掺质浓度的第一n型掺质的原子。第二半导体金属氧化物层形成于第一半导体金属氧化物层上。第二半导体金属氧化物层的部分可掺杂第二n型掺质，以提供源极侧的n型掺杂区与漏极侧的n型掺杂区，其可包括第二平均掺质浓度的第二n型掺质的原子，且第二平均掺质浓度大于第一平均掺质浓度。可导入多种掺质以增进薄膜晶体管的效能。
半导体结构

[发明专利]半导体装置结构-CN202110856150.2在审
发明人：王志庆;谢文兴;何炯煦;陈文园;苏佳莹;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置结构包括：第一通道层，其具有第一表面与第二表面，以及第二通道层，其具有相对的第一表面与第二表面，且第一通道层与第二通道层的组成为第一材料。结构亦包括第一掺质抑制层，接触第一通道层的第二表面，以及第二掺质抑制层平行于第一掺质抑制层。第二掺质抑制层接触第二通道层的第一表面，且第一掺质抑制层与第二掺质抑制层各自包含碳或氟。结构还包括栅极介电层，接触第一掺质抑制层、第二掺质抑制层与第一通道层的第一表面，以及栅极层，位于栅极介电层上。
半导体装置结构

[发明专利]半导体装置及其应用-CN200810005300.3有效
发明人：刘人诚;杨敦年;洪志明;王文德;庄俊杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：此半导体装置包括半导体基材、形成于半导体基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质浓度，而第二磊晶半导体层则具有第一型掺质及浓度低于第一掺质浓度的第二掺质浓度。
半导体装置及其应用

[发明专利]抑制热簇集的半导体结构、制作抑制热簇集半导体元件的方法与抑制热簇集的方法-CN201310091244.0有效
发明人：吴扬;郁飞霞;张中玮 -专利权人：英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种抑制热簇集的半导体结构，包括具有第一掺质浓度的基材、位于基材上并直接接触基材的磊晶层，其具有小于第一掺质浓度的第二掺质浓度、位于磊晶层中的掺质梯度区，其具有从基材向磊晶层渐减的掺质梯度、与位于第一元件区以及第二元件区间的浅沟渠隔离区以及包围浅沟渠隔离的浅沟渠隔离区浅沟渠隔离区实质上邻近掺质梯度区，以抑制第一元件区影响第二元件区所形成的热簇集。
抑制热簇集半导体结构制作元件方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201410612935.5有效
发明人：吴冠纬;张耀文;杨怡箴;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括：具有第一导电型的基底、两叠层、具有第二导电型的第一掺杂区、非晶化前注入区以及具有第二导电型的第二掺杂区。第一掺杂区具有第一掺质，位于各叠层之间的基底中。非晶化前注入区位于第一掺杂区中。第二掺杂区具有第二掺质，位于非晶化前注入区中，其中第一导电型与第二导电型不同，且第二掺质的扩散速率大于第一掺质的扩散速率，且第二掺质的热活性高于第一掺质的热活性。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]测量电容的结构与方法-CN200310122693.3无效
发明人：张昊;郑源伟;徐慧芳;刘娟利 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供一种测量电容的结构与方法，包含一第一埋入掺质区与一重掺杂区位于一底材中，此重掺杂区平行埋入掺质区；若干第二埋入掺质区、第一与第二氧化层于半导体底材中；任一第二埋入掺质区垂直第一埋入掺质区，一端连接至第一埋入掺质区任一第一氧化层重叠并位于第二埋入掺质区上方。任一第二氧化层介于任二第一氧化层之间，且第二氧化层的厚度较第一氧化层的厚度薄。至少二个第一与若干第二多晶硅列位于底材上。其中二个第一多晶硅列分别位于第二埋入掺质区的两侧。每一第二多晶硅列垂直并位于第一多晶硅列之间，且每一第二多晶硅列之一端不连接至二个第一多晶硅列。应用此一结构可测量得到与字符线有关之个别电容值。
测量电容结构方法

[发明专利]有机电激发光组件及其制造方法-CN200310113203.3有效
发明人：柯崇文;张凡修;陈文焜 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-11-05 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H05B33/12 文献下载
摘要：蓝色发光层主要由一主发光体、一第一掺质以及一第二掺质所构成，且第一掺质与第二掺质配置于主发光体中。由于第一掺质能使蓝色发光层具有极佳蓝光光色与亮度，而第二掺质能使蓝色发光层具有较长寿命，因此本发明的有机电激发光组件兼具极佳蓝光光色、高亮度与长寿命的优点。
机电激发组件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910511115.X有效
发明人：刘书豪;陈文彦;陈国儒;王立廷;陈亮吟;张惠政;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在此公开的实施例关于使用在纳秒级下进行的布植工艺和熔融退火工艺，以同时达到高表面浓度(表面堆积)掺质轮廓和逆行掺质轮廓。在一实施例中，此方法包含在基底上的主动区中形成源极/漏极结构，源极/漏极结构包含第一区，第一区包含锗，将第一掺质布植至源极/漏极结构的第一区中以在源极/漏极结构的至少第一区中形成非晶区，将第二掺质布植至包含第一掺质的非晶区中，以及加热源极/漏极结构以至少将非晶区液化并转换成结晶区，结晶区包含第一掺质和第二掺质。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]萧基晶体管装置的制作方法-CN201110458411.1有效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;张家豪;陈家伟 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于包括提供一基底，具有一第一导电型；在基底上成长一外延层，其中外延层具有第一导电型；在外延层上形成一图案化介电层；在外延层的表面形成一金属硅化物层；在金属硅化物层上形成一掺质来源层，其中掺质来源层具有第二导电型的掺质；进行一热驱入工艺，使掺质来源层内第二导电型的掺质扩散进入外延层；及在金属硅化物层上形成一导电层。
晶体管装置制作方法

[发明专利]一种掺质二氧化钛电流变液及其制备方法-CN200610112793.1有效
发明人：沈容;陆坤权;王学昭;王志勇;牛小娟 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： C10M125/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺质二氧化钛电流变液，其分散相为微米至纳米尺寸的掺质二氧化钛颗粒，分散介质为甲基硅油，分散相与分散介质的体积比为5～50％。其制备方法为先使用溶胶－凝胶反应制备掺质二氧化钛颗粒，按掺质量1～30wt％掺杂酰胺类极性化合物，所述的酰胺类极性化合物为选自甲酰胺、乙酰胺、硫代氨基脲、硫卡巴肼、脲、硫脲、或其衍生物中的一种或几种的混合物该掺质二氧化钛电流变液通过在二氧化钛掺质强极性的酰胺类分子，形成微米或纳米尺度的掺质二氧化钛颗粒，有效提高了二氧化钛的电流变液屈服强度，而且该电流变液的结构稳定，电流密度小，不易沉降，无污染，材料的成本低
一种掺质二氧化流变及其制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110346922.8在审
发明人：郑振辉;陈冠仲;刘昌淼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包括：沉积围绕纳米结构通道区的高介电常数介电层；使用稀土金属基掺质并以第一稀土金属基掺质浓度对高介电常数介电层的第一部分与第二部分进行第一掺杂步骤；以及使用稀土金属基掺质并以第二稀土金属基掺质浓度对高介电常数介电层的第一部分与第三部分进行第二掺杂步骤，第二稀土金属基掺质浓度与第一稀土金属基掺质浓度不同。
半导体装置制造方法

[发明专利]太阳能电池-CN201510228862.4有效
发明人：裴善庄;黄绍玮;林哲纬;徐伟智 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包含一半导体基板、分别设置于半导体基板二表面的第一型掺质层与第二型掺质层、位于第一型掺质层上的第一钝化层、位于第一钝化层上的第一抗反射层、穿过第一抗反射层与第一钝化层的多个背面电极、位于第二型掺质层上的第二钝化层、位于第二钝化层上的第二抗反射层、穿过第二抗反射层与第二钝化层的多个正面电极。
太阳能电池

[发明专利]形成双镶嵌结构的方法、半导体器件-CN201010532035.1有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成双镶嵌结构的方法、半导体器件，形成双镶嵌结构的方法，包括：提供基底，所述基底上依次形成有第一介质层和掺氮碳化硅层；在所述掺氮碳化硅层上形成应力缓冲层；在所述应力缓冲层上形成第二介质层，所述第二介质层的介电常数小于3.5；刻蚀所述第二介质层、应力缓冲层、掺氮碳化硅层形成互连沟槽和互连通孔；在所述互连沟槽和互连通孔内填充金属，形成双镶嵌结构。本发明可以克服第二介质层与掺氮碳化硅层发生层裂的问题。
形成镶嵌结构方法半导体器件

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