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[发明专利]一种耗时缩短的超级结快恢复二极管制备方法-CN201510690716.3在审
发明人：姜伟 -专利权人：苏州保尔迪瓦电子科技有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种耗时缩短的超级结快恢复二极管制备方法，其在衬底层上制备N型掺杂的外延层，在外延层上植入P型掺杂，重复步骤制得P型立柱与N型外延层交错的超级结结构；或者在外延层上植入P型掺杂与N型掺杂，制得P型立柱与N型立柱交错的超级结结构。在超级结结构顶部形成P型掺杂阳极区及P型掺杂限环区，其上再形成氧化层及多晶硅栅，在阳极区掺杂Pt以形成金属阳极，钝化阳极金属层，多层金属化制备阴极金属层。
一种耗时缩短超级恢复二极管制备方法

[实用新型]一种具有快速恢复功能的二极管-CN201620163514.3有效
发明人：杨景仁 -专利权人：襄阳硅海电子股份有限公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有快速恢复功能的二极管，包括二极管主体，所述N型掺杂区连接N型衬底，本征区连接P型掺杂区，所述N型掺杂区的表面设有氧化层，所述氧化层的表面设有介质层，所述N型掺杂区和本征区通过空穴移动和电子移动连通，所述P型掺杂区中相间分布有低浓度P型掺杂区和高浓度P型掺杂，所述高浓度P型掺杂连接发射极金属层，所述低浓度P型掺杂区连接氧化膜，该具有快速恢复的二极管，通过氧化层与氧化膜连通，有效的提高氧化速率，利用低浓度P型掺杂区和高浓度P型掺杂分别与本征区连通，利用介质层与金属发射层同时作用于PN结结合，有效的增加空穴移动与电子结合的速率，二极管改变方向时，更有效的达到工作状态。
一种具有快速恢复功能二极管

[实用新型]一种快恢复二极管-CN201520928417.4有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种快恢复二极管，硅晶片尺寸为2.7mm×1.8mm，厚度为270±10μm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有4个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有三个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管（CNT）层，所述碳纳米管层、高掺杂P型硅基区和高掺杂N型硅发射区上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述电极外设有保护膜。
一种恢复二极管

[实用新型]照明用LED电源的整流二极管-CN201822254278.8有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了照明用LED电源的整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层；所述N型硅衬底上有两个环形结构，外环为高掺杂的N型硅扩散层，内环为高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有碳纳米管CNT层；所述碳纳米管CNT本实用新型的照明用LED电源的整流二极管采用CNT和SiN复合层，单向传导能力强，反向保护效果好，结合一个P+保护环和N+保护环降低闩锁效应，整流性能稳定，适用于照明用LED电源的桥式整流结构。
高掺杂照明用衬底整流二极管基环本实用新型碳纳米管低掺杂钝化膜层环形结构桥式整流闩锁效应复合层能力强传导内环

[发明专利]基于P型硅衬底的背接触式太阳能电池及其制备方法-CN201510483920.8有效
发明人：郭灵山;崇锋;吕欣 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于P型硅衬底的背接触式太阳能电池，其包括一P型硅衬底，P型硅衬底的受光面设置有掺杂硼的p+掺杂层，受光面上设置有第一减反钝化膜；P型硅衬底的背面设置有多个掺杂硼的p+掺杂区和多个掺杂磷n+掺杂区，每一p+掺杂区中设置有一p++重掺杂区，每一n+掺杂区中设置有一n++重掺杂区，背面上设置有第二减反钝化膜，第二减反钝化膜上设置有相互绝缘的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别电性连接于p++重掺杂区和n++重掺杂区。本发明采用P型硅片作为背接触式太阳能电池的衬底材料，P型硅片技术成熟，具有明显的成本优势。
基于衬底接触太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于槽栅结构可三维集成的新型堆叠Trench MOS器件及方法-CN202310047402.6在审
发明人：朱少立;孙建洁;李燕妃;吴建伟 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率技术领域，特别涉及一种基于槽栅结构可三维集成的新型堆叠TrenchMOS器件及方法，包括：N型衬底，所述N型衬底上方设有第一N型轻掺杂漂移区，在第一N型轻掺杂漂移区上设有第一P型轻掺杂基区，第一N型轻掺杂漂移区内部左上方与第一P型轻掺杂基区左侧设有第一沟槽，第一沟槽右侧的第一P型轻掺杂基区上方设有第一N型重掺杂源/漏区，并且第一N型重掺杂源/漏区通过右侧延伸至表面，第一P型重掺杂基区位于第一P型轻掺杂基区右上方并延伸至表面，第二N型轻掺杂漂移区设于第一N型重掺杂源/漏区上方，并且其通过右侧延伸至表面，第二P型轻掺杂基区设于第二N型轻掺杂漂移区上方；用于减小器件总面积以及提高集成度。
一种基于结构三维集成新型堆叠 trench mos 器件方法

[实用新型]一种横向功率MOS器件-CN201120309214.9有效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种横向功率MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层，一源极区位于所述P型阱层，一漏极区位于所述衬底层内，位于所述源极区和N型轻掺杂层之间区域的P型阱层上方设有栅氧层，此栅氧层上方设有一栅极区；所述N型轻掺杂层由第一N型轻掺杂区、第二N型轻掺杂区和P型轻掺杂区组成；所述第一N型轻掺杂区位于所述第二N型轻掺杂区上方；所述P型轻掺杂区在水平方向上位于所述第一N型轻掺杂区的中央区域且此P型轻掺杂区在垂直方向上位于所述第一N型轻掺杂区中央区域的中下部并与所述第二N型轻掺杂区表面接触。
一种横向功率 mos 器件

[实用新型]一种新型的高压VDMOS器件-CN202120636868.6有效
发明人：陈利 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的高压VDMOS器件，其包括：N型重掺杂衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，N型重掺杂源极区，P型重掺杂源极区，高K绝缘层，栅极多晶硅区，栅极电极，源极电极和漏极电极；漏极电极形成在N型重掺杂衬底下表面，N型重掺杂衬底上表面设有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上表面设有两个P型阱区，在每个P型阱区上表面设有两个N型重掺杂源极区和一个P型重掺杂源极区，在两个P型阱区和N型轻掺杂缓冲区上表面设有高K绝缘层，高K绝缘层的上表面设有栅极多晶硅区，栅极多晶硅区的上表面设有栅极电极，两个N型重掺杂源极区和一个P型重掺杂源极区的上表面设有源极电极。
一种新型高压 vdmos 器件

[实用新型]一种双向防静电ESD器件-CN201920816668.1有效
发明人：胡光亮;黄志诚 -专利权人：上海雷卯电子科技有限公司
申请日： 2019-06-02 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双向防静电ESD器件，包括一个P型衬底，在其上方设置BN，BN上方设置两个P阱，所述两个P阱由一个N阱隔开，两个P阱外侧亦设置有N阱，两个P阱内都设有P型重掺杂和N型重掺杂，一个P阱内的P型重掺杂和N型重掺杂连接一号端口，另一个P阱内的P型重掺杂和N型重掺杂连接二号端口，其特征在于，两个P阱和N阱之间也设置有P型重掺杂。上述结构使得保持SCR双向都可以通过PNPN结构泄放ESD的电流，且SCR开启电压较原结构降低；此外，上述设计使得本实用新型可以通过调整掺杂区域的大小和长度等参数来调整调整SCR的开启电压和保持电压。
一种双向静电 esd 器件

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法-CN200910159413.3有效
发明人：游步东 -专利权人：杭州矽力杰半导体技术有限公司;矽力杰公司
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管及其制造方法，在依据本发明的一种实施例中，LDMOS晶体管包括：(1)衬底上的n掺杂深n阱区域(DNW)；(2)LDMOS晶体管的源极区域和漏极区域之间的栅氧化层和漏氧化层，所述栅氧化层与源极区域相邻，所述漏氧化层与漏极区域相邻；(3)在栅氧化层和部分漏氧化层之上的导电栅极；(4)源极区域中的p型掺杂p体区域(p-doped p-body)；(5)漏极区域中的n型掺杂区域；(6)源极区域的p型掺杂p体区域中的第一n型掺杂n+区域和p型掺杂p+区域，并且所述第一n型掺杂n+区域和p型掺杂p+区域相邻；(7)漏极区域中的第二n型掺杂n+区域。
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器-CN201410436932.0有效
发明人：宋松 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该CMOS图像传感器的每个像素单元包括P型半导体衬底及其上方的第一N型离子层和围绕第一N型离子层的P阱；第一N型离子层上方的第二N型离子层、第三N型离子层、第一P型离子层和第二P型离子层；第一P型离子层和第二P型离子层被第二N型离子层间隔，第二N型离子层和第三N型离子层被第二P型离子层间隔；第二N型离子层的掺杂浓度和第三N型离子层的掺杂浓度大于第一N型离子层的掺杂浓度；第一P型离子层的掺杂浓度和第二P型离子层的掺杂浓度介于P阱的掺杂浓度和P型半导体衬底的掺杂浓度之间；用于传感器的制造。
一种 cmos 图像传感器

[实用新型]功率金属氧化物半导体场效晶体管-CN202120432684.8有效
发明人：李振道;孙明光 -专利权人：江苏应能微电子有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种功率金属氧化物半导体场效晶体管，包括位于碳化硅衬底中的N型外延层、位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，所述轻掺杂P型阱层位于第一沟槽、第二沟槽之间区域的上部间隔地设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区，所述第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区与轻掺杂P型阱层的接触面均为弧形面；重掺杂P型区左右两侧面分别与第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区各自弧形面的部分区域接触，所述重掺杂P型区与轻掺杂P型阱层的接触面为向下凸起的弧形面，轻掺杂P型阱层与N型外延层的接触面为向下凸起的弧形面。
功率金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]一种新型硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法-CN201710731223.9有效
发明人：朱天志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种新型硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，N阱(60)、基体(80)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构，高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,高浓度N型掺杂(22)与高浓度N型掺杂(24)之间上方放置N型栅极(50)，本发明可增加ESD保护结构回滞效应的维持电压
一种新型整流器 esd 保护结构及其实现方法

[发明专利]一种开启电压可调的槽栅型金属氧化物半导体二极管-CN201610144626.9在审
发明人：任敏;曹晓峰;李爽;陈哲;李泽宏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，特别涉及一种开启电压可调的槽栅型金属氧化物半导体二极管。本发明的二极管在槽型栅电极之间的N‑漂移区中，具有N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型埋层区和P型柱区；P型重掺杂区位于N型重掺杂区之间，所述N型重掺杂区的侧面与二氧化硅栅氧化层接触；所述P型埋层区位于P型重掺杂区的正下方；所述P型柱区位于P型埋层区和P型重掺杂区之间，所述P型柱区沿器件纵向方向分为多段。
一种开启电压可调槽栅型金属氧化物半导体二极管

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201510996709.6在审
发明人：乔明;方冬;于亮亮;何逸涛;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：包括多个结构相同并依次连接的元胞，所述元胞包括N型掺杂衬底，位于N型掺杂衬底之中的扩散P型阱区，位于扩散P型阱区之中的第一P型重掺杂区和N型重掺杂区，位于N型掺杂衬底和扩散P型阱区上表面的氧化层，覆盖整个元胞上表面的金属阴极，位于N型掺杂衬底下表面的第二P型重掺杂区，位于第二P型重掺杂区下表面的金属阳极。本发明半导体器件在衬底背面注入与衬底掺杂类型相反的半导体材料，一方面，P型重掺杂背面注入会向N型衬底注入空穴，使得半导体器件为空穴电流和电子电流两种载流子电流，增大器件的电流密度，另一方面可提高器件的反向耐压
一种半导体器件及其制造方法