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[发明专利]一种用于中红外增益介质的硫系微晶玻璃光纤及制备方法-CN202211023934.8在审
发明人：卢小送;刘含;杨志勇;杨安平 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C03C13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于中红外增益介质的硫系微晶玻璃光纤及制备方法，该硫系微晶玻璃光纤由前驱体玻璃光纤热处理得到，具有强3‑4μm波段的中红外发光；所述前驱体玻璃包括纤芯和包层，所述纤芯材料为硫化物玻璃，其化学组成为该光纤为Ni2+掺杂ZnS纳米晶的硫系微晶玻璃光纤，其中的ZnS纳米晶能为Ni2+提供四配位晶体场，使Ni2+在硫系微晶玻璃光纤中表现出较强的3‑4μm波段发光，同时解决了晶体材料的热管理问题，保持较低的传输损耗，具有散热性好、体积小和重量轻的优点，有望作为激光增益介质应用于中红外激光器和放大器领域
一种用于红外增益介质硫系微晶玻璃光纤制备方法

[发明专利]Ga2-CN202210943233.X在审
发明人：欧欣;瞿振宇;游天桂;徐文慧 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：:Sub>3晶片和p型半导体晶片的至少一种作为待剥离材料，自待剥离材料的抛光面进行离子注入，形成缺陷层；将n型Ga2O3晶片与p型半导体晶片的抛光面键合；退火处理并沿缺陷层剥离，去除表面损伤层，进行同质外延，进行金属沉积并进行退火。:Sub>2O3材料p型掺杂困难，将n型Ga2O3材料与p型半导体材料进行异质集成后电学性能受限的问题，对Ga2O3材料在双极型器件领域的应用意义重大，大大拓展Ga2O3材料的应用范围。
ga base sub

[发明专利]一种用于抗菌及清除细菌生物膜Zn,Fe-CDs/AgNPs纳米酶的制备方法及其应用-CN202310126741.3在审
发明人：杨亚玲;李秋兰;杨德志 -专利权人：云南伦扬科技有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： A61K33/44 文献下载
摘要：base:Sub>制备Zn、Fe掺杂碳点（Zn,Fe‑CDs），以Zn,Fe‑CDs为模板及还原剂制备银纳米碳点复合物（Zn,Fe‑CDs/AgNPs），Zn,Fe‑CDs/AgNPs具有拟过氧化酶及谷胱甘肽过氧化酶活性纳米酶活性，体系加入Fe3+后，其过氧化酶活性得到加强，产生的活性氧（ROS）及Zn,Fe‑CDs和AgNPs内在的抗菌作用，Zn,Fe‑CDs/AgNPs能够对革兰氏阳性菌及革兰氏阴性菌产生广谱杀菌作用，同时对细菌产生的生物膜有较好的清除作用。体系强抗菌来自于纳米酶的过氧化酶活性及拟Fenton反应，产生更多的ROS，破坏细胞膜及降解生物膜胞外聚合物（EPS），进而破坏生物膜结构，达到抗菌及清除生物膜效果。该纳米酶具有良好生物相容性，可作为细菌感染及促进伤口愈合的用药，能够快速促进伤口愈合，具有无刺激、安全、无毒副作用。
一种用于抗菌清除细菌生物膜 zn fe cds agnps 纳米制备方法及其应用

[发明专利]一种利用铈改性的钠离子电池层状正极材料及其制备方法-CN202310470507.2在审
发明人：高洪才;姜春雨 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用铈改性的钠离子电池层状正极材料及其制备方法，属于钠离子电池正极材料技术领域。一部分铈以掺杂形式存在于NaNi1/3Fe1/3Mn1/3O2本体材料内部，而另一分部铈以二氧化铈的形式存在于NaNi1/3Fe1/3Mn1/3O2本体材料表面，经铈改性的钠离子电池层状正极材料的化学式简记为NaNi1/3Fe的循环性能以及优异的倍率性能；而且采用固相烧结法制备该正极材料，操作简单，易于规模化生产，有利于促进钠离子电池的商业化发展。
一种利用改性钠离子电池层状正极材料及其制备方法

[发明专利]一种新型Li、Mn共掺铝酸盐基质红色荧光粉及其制备方法-CN202211096232.2在审
发明人：宋碧清;夏李斌;杨飞;侯海兰;刘方淞;龙林芳;李静雯 -专利权人：赣州中蓝稀土新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型Li、Mn共掺铝酸盐基质红色荧光粉及其制备方法，荧光粉的化学组成为：Sr4Al14‑a‑bO+来自于LiF、Li2CO3中的一种或两种组合，H％(相对于总质量的百分比)。本发明得到的新型Mn4+掺杂铝酸盐基质红色荧光粉，具有能被蓝光有效激发而发射红光、量子效率高、发光性能良好等特点，用制备的红粉+商业黄粉+商业蓝光芯片进行器件组装后，能得到综合发光性能良好的暖白光，制备的铝酸盐红色荧光粉可广泛应用于室内、户外照明和汽车大灯等领域。
一种新型 li mn 共掺铝酸盐基质红色荧光粉及其制备方法

[发明专利]一种无铅双钙钛矿黄光荧光粉及其制备方法和应用-CN202310457116.7在审
发明人：甘伟江;王仲民;李家丞;冉兆晋;赖华俊 -专利权人：广西科学院
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明的无铅双钙钛矿黄光荧光粉，所述无铅双钙钛矿黄光荧光粉的化学式为Cs2NaIn1‑xTexCl6，其中，式中x为掺杂离子Te4+相对基质离子In3+占的摩尔百分含量，取值范围：0.00x1.00。本发明的无铅双钙钛矿黄光荧光粉的基质材料为无铅双钙钛矿Cs2NaInCl6，发光中心为四价Te4+离子，在250～500nm近紫外光的激发下，具有非常宽的激发光谱，可有效的吸收紫外光和部分可见光，四价Te4+离子在该基质中产生峰位位于590nm
一种无铅双钙钛矿黄光荧光粉及其制备方法应用

[发明专利]多孔石墨烯膜的制备方法及其在二氧化碳捕集方面的应用-CN201710147370.1有效
发明人：范润德;燕克兰;刘峣;张子栋 -专利权人：苏州市迈尔特材料科技有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔石墨烯膜的制备方法及其在二氧化碳捕集方面的应用，属于薄膜制备领域。上述多孔石墨烯膜的制备方法包括步骤1：采用胶体过滤方法制备多孔α‑Al2O3基体；步骤2：通过超声化学沉淀法制备Gd掺杂CeO2的纳米颗粒溶胶前驱体；步骤3：利用浸渍提拉法在多孔α‑Al2O3基体上沉积一层α‑Al2O3支撑的GDC缓冲层上，然后在烘箱中干燥得氧化石墨烯膜；步骤5：采用H2的多孔石墨烯膜分离性能好、机械性能及化学稳定性好，且制备工艺简便，制造成本低，可以实现产品的批量化生产，具有很好的市场化前景。
多孔石墨制备方法及其二氧化碳方面应用

[发明专利]一种高容量锂二次电池用正极材料及其制备方法-CN201711157018.2有效
发明人：陈作王;胡长春;季建明 -专利权人：无锡市产品质量监督检验院
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明通过将两种镍钴锰氢氧化物前驱体按照一定质量比准确称量加入高速混合机，同时按锂金属比精确称量锂源、添加剂加入该高速混合机，混合均匀；将制备的混合粉末装入坩埚并进入辊道窑中。base:Sub>CoyMnzMbO2的正极活性物质本发明采用的是氧气和空气的混合气，根据烧成阶段不同调节氧气浓度，烧成次数为一次，大大节约了成本；本发明使用的锂源为碳酸锂，减少了氢氧化锂带给设备和人员的腐蚀和危害，对环境水份要求相对较低，操作简便，容易规模化生产采用掺杂技术，有效的提高了正极材料的高温性能，高温循环长，高温存储性能好。
一种容量二次电池正极材料及其制备方法

[发明专利]一种钛酸盐基红色荧光粉及其制备方法-CN201710010167.X有效
发明人：乔学斌;禚昌岩 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：荧光粉化学通式为Mg_1‑xEu_xAl₈Ti₆O₂₅，其中x为Eu³⁺掺杂的化学计量分数步骤：(1)按化学组成Mg_1‑xEu_xAl₈Ti₆O₂₅中各元素的化学计量比，其中0.001≤x≤0.20，分别称取含有镁离子Mg²⁺的化合物、含有铕离子Eu³⁺的化合物、含有铝离子Al³⁺的化合物、含有钛离子Ti⁴⁺的化合物，研磨并混合均匀；(2)将步骤(1)得到的混合物在空气气氛下预煅烧，温度为400～900℃，烧结时间为3～20小时；(3)将步骤(2)预煅烧得到的混合物自然冷却，研磨并混合均匀后，在空气中进行煅烧
一种钛酸盐基红色荧光粉及其制备方法

[发明专利]制备石墨烯改性可视耐磨涂层的热喷涂粉末的制备方法-CN201710509682.2有效
发明人：王长亮;田浩亮;郭孟秋;汤智慧;崔永静;高俊国;张欢欢;周子民 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C23C4/06 文献下载
摘要：本发明提供一种制备石墨烯改性可视耐磨涂层的热喷涂粉末的制备方法，步骤1：称取一定量的碳酸锶（SrCO3）、氧化铝（Al23）采用稀盐酸溶解；步骤4：通过控制反应时间和温度，实现石墨烯对Dy3+/Eu3+的改性和成分调控；步骤5：筛选获得粉末粒径约1μm~3μm的石墨烯改性的SrAl2O4:Eu3+,Dy3+粉末；步骤6：获得一定粒度的石墨烯共掺杂Dy3+/Eu3+的WC‑Co
制备石墨改性可视耐磨涂层喷涂粉末方法

[发明专利]一种钝化接触的P型MWT电池结构及制备方法-CN201910251039.3有效
发明人：张高洁;路忠林;吴仕梁;张凤鸣 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种钝化接触的P型MWT电池结构，P型硅衬底背面由内往外依次为P型硅、二氧化硅层、掺磷多晶硅、氮化硅层以及设置氮化硅层表面的第一金属，第一金属穿透氮化硅层，与掺磷多晶硅层接触，氮化硅层表面覆盖有第二金属，且第二金属不穿透氮化硅；P型硅衬底受光面由内往外依次设置为P型硅,P型硅表面的氧化铝/氮化硅叠层膜；P型硅表面掺杂硼的P+以及氧化铝/氮化硅叠层膜；在氧化铝/氮化硅钝化叠层受光面设置有金属负电极，金属负电极通过电池上设置的孔洞绕穿到电池背面本发明采用隧穿钝化层钝化电池的背面，金属电极不需要直接接触硅片，降低金属电极接触处的少子复合，提高电池效率，并且本发明结合MWT技术，电池的受光面主栅线通过孔洞绕穿到硅片背面，减小受光面主栅的遮光，进一步提高电池的效率
一种钝化接触 mwt 电池结构制备方法

[发明专利]一种含有Mg、Cu、Mn的氧化物材料及其制备方法和应用-CN201910106273.7有效
发明人：胡勇胜;丁月君;陆雅翔;陈立泉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有Mg、Cu、Mn的氧化物材料及其制备方法和用途，所述氧化物材料的化学通式为：Na(0.8+α)MgxM(1‑x‑y‑z)MnzO2+β；M为对过渡金属位进行掺杂取代的元素+，Al3+，B3+，Ti4+中的一种或多种；化学通式中过渡金属元素Mn的化合价为+4价；α,x,y,z,β分别为对应元素所占的摩尔百分比；α,x,y,z,β之间的关系满足(0.8+α)+2x+2y+4z+m(1‑x‑y‑z)＝2(2+β)且0≤(1‑x‑y‑z)；0.02≤α≤0.2；x0；y0；z0；‑0.02≤β≤0.02；m为所述M的化合价态，1≤m≤4；氧化物材料为O3相层状氧化物材料，空间群为
一种含有 mg cu mn 氧化物材料及其制备方法应用

[发明专利]一种ZrO2-CN201911203618.7有效
发明人：周玉成;魏世忠;刘萌萌;徐流杰;李秀青;潘昆明;陈冲;张程;毛丰;熊美;王喜然;王晓东;李继文;李元月 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明的ZrO2‑Y2O3增强TZM合金的制备方法包括以下步骤：将含硝酸锆、硝酸钇的复合溶液采用喷雾的方法与MoO2粉体混合均匀，得混合粉体；然后对混合粉体进行还原处理，得ZrO2‑Y掺杂的方法引入纳米级的ZrO2以及Y2O3颗粒增强相，增加了TZM合金中纳米级第二相的比例，能有效地阻止晶粒长大，减轻团聚，提高了TZM合金的强度、耐磨性和塑性。
一种 zro base sub

[发明专利]锂离子电池-CN202210057979.0有效
发明人：钱韫娴;胡时光;邓永红;李红梅;向晓霞 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：为克服现有高电压锂离子电池存在循环性能不足的问题，本发明提供了一种锂离子电池，包括含正极材料层的正极、负极和非水电解液，所述正极材料层包括正极活性材料，所述正极活性材料包括LixyCozM1‑y‑zO2，M选自Mn、Al中的至少一种元素，且所述正极活性材料掺杂或包覆有E元素，所述E元素选自Ba、Zn、Ti、Mg、Zr、W、Y、Si、Sn、B、Co、P中的一种或多种，所述正极活性材料相对金属锂的电位范围≥4.25V；所述非水电解液包括溶剂、电解质盐和添加剂，所述添加剂包括结构式1所示的化合物：的锂离子电池具有较低电池阻抗和优异的高温循环性能。
锂离子电池

[发明专利]一种欧姆接触层、发光二极管外延片及其制备方法-CN202210881229.5有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种欧姆接触层、发光二极管外延片及其制备方法，欧姆接触层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层及第四子层；第一子层为InaN1‑a层，第二子层为H2处理层，第三子层包括周期性层叠的N极性面InxGa1‑xN层与MgzN1‑z层，第四子层包括周期性层叠的掺杂Mg的GaN层与N极性面InaN1‑a层的作为第一子层，以形成高In组分的外延层，再对第一子层进行刻蚀处理形成，从而降低光的吸收，提高发光效率。
一种欧姆接触发光二极管外延及其制备方法