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[发明专利]抗蚀剂剥离装置-CN03178649.9无效
发明人：中川俊元;小川修;森田悟;小早川泰之;菊川诚 -专利权人：长濑产业株式会社;株式会社平间理化研究所;长濑CMS科学技术株式会社
申请日： 2003-07-18 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗蚀剂剥离装置，具有收容粘附抗蚀剂的基板、向该基板上供给抗蚀剂剥离液的抗蚀剂剥离室，与前述抗蚀剂剥离室相连接、导入含该抗蚀剂剥离室内的抗蚀剂剥离液成分的混合气、分离该混合气中的该抗蚀剂剥离液成分的气液分离部分，与前述气液分离部分相连接、把分离的前述抗蚀剂剥离液成分供给前述抗蚀剂剥离室内的回收抗蚀剂剥离液供给部分。
抗蚀剂剥离装置

[发明专利]光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法和光致抗蚀剂涂布装置-CN200580040035.7有效
发明人：谷口克人;小岛一弘;能谷敦子 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光致抗蚀剂涂布液供给装置和一种涂布液供给方法，以将含有很少颗粒的光致抗蚀剂涂布液供给至光致抗蚀剂涂布装置。还提供了一种光致抗蚀剂涂布装置，其通过使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置，可以实现具有很少缺陷和优异成本特性的涂布。该光致抗蚀剂涂布液供给装置具有用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器；循环过滤装置，用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液，将其过滤并返回至缓冲容器；和用于将涂布液从缓冲容器或循环装置供给至涂布装置的管。还提供使用所述光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法，以及将涂布液供给装置与狭缝涂布装置组合使用的光致抗蚀剂涂布装置。
光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用方法光致抗蚀剂涂布

[发明专利]水系抗蚀剂剥离液的调制装置以及非水系抗蚀剂剥离液的调制装置-CN201710133377.8在审
发明人：中川俊元 -专利权人：株式会社平间理化研究所
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供由原料高精度、自动且连续地调制规定的成分浓度的抗蚀剂剥离液的抗蚀剂剥离液的调制装置。调制装置(10)具备调制槽(3)、测定机构(2)以及控制机构(1)。调制槽(3)接受抗蚀剂剥离液的原料的供给并将它们混合。对于调制槽(3)内的抗蚀剂剥离液，测定机构(2)测定与抗蚀剂剥离液的成分浓度具有相关关系的抗蚀剂剥离液的物性值或抗蚀剂剥离液的成分浓度中的至少一方。控制机构(1)根据由测定机构(2)测定出的测定值，控制向调制槽(3)供给的抗蚀剂剥离液的原料的供给量，以使得在调制槽内调制的抗蚀剂剥离液成为规定的成分浓度。通过自动且连续地进行上述步骤，从而高精度地调制出所希望的成分浓度的抗蚀剂剥离液。
水系抗蚀剂剥离调制装置以及

[发明专利]采用纳米过滤的抗蚀剂剥离液连续使用系统-CN200880020488.7无效
发明人：住田正直;林秀生 -专利权人：东亚合成株式会社
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明要解决的课题是提供：不进行剥离液交换、即使进行长时间剥离，用于抗蚀剂剥离的剥离液中的抗蚀剂成分的浓度处于一定浓度范围内的系统。采用剥离液进行正型抗蚀剂剥离时，剥离液中溶解的抗蚀剂成分，采用特定的陶瓷过滤器(5)进行错流过滤使其减少。而且，剥离工序生成的含抗蚀剂成分的剥离液，在过滤工序进行处理，副产的抗蚀剂成分浓度被浓缩的浓缩剥离液适当排至体系外，向被除去抗蚀剂成分的处理剥离液中适当添加新剥离液后的剥离液，再度于剥离工序中使用，从而完成抗蚀剂剥离系统
采用纳米过滤抗蚀剂剥离连续使用系统

[发明专利]显影方法和显影装置-CN201510336734.1有效
发明人：竹口博史;井关智弘;寺下裕一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成CD分布均匀性足够高的抗蚀剂的显影方法。本发明涉及的显影方法，其用于对基板表面上的曝光后的抗蚀剂膜进行显影来形成抗蚀剂图案，依序具有如下步骤：(A)向旋转的基板供给显影液的步骤；(B)使抗蚀剂膜与显影液反应的步骤；和(C)为了使抗蚀剂膜与显影液的反应停止而从抗蚀剂膜表面除去显影液的步骤，在(A)步骤中，使用接液喷嘴，该接液喷嘴具有显影液的排出口和从排出口在横向扩展且与抗蚀剂膜相对的面，并且在(C)步骤中，使除去了显影液的抗蚀剂膜表面的反应停止区域和与显影液的反应持续进行的抗蚀剂膜表面的反应进行区域的边界从抗蚀剂膜的中心部向周缘部移动
显影方法装置

[发明专利]处理液供给装置-CN201710805006.X有效
发明人：佐佐卓志;石丸大辅;桥本克也;志手英男;若水信也;木村一彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够与装置内的各部分的位置关系、配管、设置条件等无关地利用过滤器适当地去除处理液内的微粒的处理液供给装置。抗蚀剂液供给装置对涂布喷嘴供给抗蚀剂液，所述抗蚀剂液供给装置具备：缓冲罐，其暂时贮存从用于贮存抗蚀剂液的抗蚀剂液供给源供给的处理液；过滤器，其设置于涂布喷嘴与缓冲罐之间，用于将抗蚀剂液中的异物去除；以及泵，其将被过滤器去除异物后的抗蚀剂液向涂布喷嘴送出，其中，缓冲罐具有对贮存于该缓冲罐中的抗蚀剂液进行加压搬送的加压搬送功能。
处理供给装置

[发明专利]抗蚀剂剥离液控制装置-CN98108312.9无效
发明人：中川俊元;中川光元;小川修;西嶋佳孝;宝山隆博 -专利权人：株式会社平间理化研究所;长濑产业株式会社
申请日： 1998-05-12 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种在半导体制造工艺或液晶基板制造工艺中对用于剥离抗蚀剂的抗蚀剂剥离液进行控制的装置，其目的是将抗蚀剂剥离液的质量控制恒定，而且削减溶液使用量，减少停机时间并降低成本。该控制装置具有一个用于通过吸光光度计16测定抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度并补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水以及预先调配好的抗蚀剂剥离新液中至少一种的抗蚀剂浓度测定·液体补给装置；以及一个用于通过吸光光度计15测定抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度并补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中至少一种的羟胺浓度测定·液体补给装置。
抗蚀剂剥离控制装置

[发明专利]抗蚀剂的剥离液-CN201880078975.2在审
发明人：谷本树一;文藏隆志;新城沙耶加;都木新介 -专利权人：株式会社杰希优
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明为用于提供容易除去微细的布线间的抗蚀剂的技术的、以含有钾盐和溶纤剂为特征的抗蚀剂的剥离液、以及以使用上述抗蚀剂的剥离液处理施加有抗蚀剂的基材为特征的抗蚀剂的除去方法。
抗蚀剂剥离

[发明专利]碱性显影液可溶性的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201880043979.7在审
发明人：柴山亘;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供能够用光致抗蚀剂的曝光后的显影所使用的碱性显影液，与光致抗蚀剂的显影同时将存在于其下层的抗蚀剂下层膜也按照抗蚀剂图案同时除去的抗蚀剂下层膜。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述抗蚀剂下层膜是在上层抗蚀剂显影时与该上层抗蚀剂一起按照抗蚀剂图案用碱性显影液溶解除去的含有硅的抗蚀剂下层膜，上述组合物包含成分(a)和要素(b)，该成分(a)为包含水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合的硅烷化合物，该要素(b)为引起在碱性显影液中溶解的要素。引起在碱性显影液中溶解的要素(b)包含于上述成分(a)的化合物的结构中。引起在碱性显影液中溶解的要素(b)为光产酸剂。
碱性显影液可溶性含有抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]液浸曝光工艺用抗蚀剂材料以及使用该抗蚀剂材料的抗蚀剂图案形成方法-CN200480005913.7无效
发明人：岩下淳;平山拓;立川俊和 -专利权人：东京応化工业株式会社
申请日： 2004-03-04 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供含有树脂成分和该树脂成分的交联剂成分，且上述交联剂成分对液浸介质难溶的液浸曝光工艺用负性抗蚀剂材料，以及使用该材料的抗蚀剂图案形成方法。由此在液浸曝光工艺中，即使在平板印刷曝光的光达到抗蚀剂膜的路径的至少上述抗蚀剂膜上，介在折射率比空气高且折射率比上述抗蚀剂膜低的规定厚度的液体的状态下进行曝光，来提高抗蚀剂图案的分辨率的液浸曝光工艺中，可以同时防止液浸曝光中的抗蚀剂膜变质和使用液体的变质，可以形成用液浸曝光的高分辨率抗蚀剂图案。
曝光工艺用抗蚀剂材料以及使用抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]抗蚀剂剥离液和抗蚀剂的剥离方法-CN201710610215.9有效
发明人：向喜广 -专利权人：长濑化成株式会社
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种抗蚀剂剥离液和抗蚀剂的剥离方法，所述抗蚀剂剥离液为用于将抗蚀剂从具备金属配线和/或金属氧化物膜的基材剥离的抗蚀剂剥离液，该抗蚀剂剥离液的剥离性优异，所剥离的抗蚀剂的再附着量少，消泡性也优异一种抗蚀剂剥离液，其特征在于，其含有(A)胺、(B)有机溶剂和(C)重均分子量为5000～1000000的磺酸或羧酸或者它们的盐，(C)成分的含量为5.0重量％以下，不含有(D)水，或者含有(D)水且(
抗蚀剂剥离方法

[发明专利]掩模坯件的制造方法及涂布装置-CN200810177837.8有效
发明人：宫田凉司;浅川敬司 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子马来西亚有限公司
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种掩模坯件的制造方法及涂布装置，其包括使从收容有液状抗蚀剂(21)的液槽(20)通过喷嘴(22)到达喷嘴前端开口部的抗蚀剂接触在具有用于形成转印图案的薄膜的基板的被涂布面上，通过使基板和喷嘴相对移动，在被涂布面上涂布抗蚀剂来形成抗蚀剂膜的工序。在该抗蚀剂膜的形成工序中，在对被涂布面涂布抗蚀剂(21)的过程中，一边向上述液槽(20)内补充抗蚀剂，一边进行控制使得液槽内的抗蚀剂的液面在一定高度。
掩模坯件制造方法装置

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010623056.4无效
发明人：畑光宏;夏政焕 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，该方法包括以下步骤(A)至(D)：(A)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物以形成第一光致抗蚀剂膜，将第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，然后用碱性显影液将曝光的第一光致抗蚀剂膜显影，从而形成第一光致抗蚀剂图案；(B)使第一光致抗蚀剂图案对以下步骤(C)中的辐射惰性，使第一光致抗蚀剂图案不溶于碱性显影液或者使第一光致抗蚀剂图案不溶于在以下步骤(C)中使用的第二光致抗蚀剂组合物；(C)在步骤(B)中获得的第一光致抗蚀剂图案上，涂覆第二光致抗蚀剂组合物以形成第二光致抗蚀剂膜，将第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤，和(D)用碱性显影液将曝光的第二光致抗蚀剂膜显影，从而形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]基板处理装置及送液装置-CN200410028733.2有效
发明人：高木善则;福地毅;北泽裕之;安藤美奈子 -专利权人：大日本屏影象制造株式会社
申请日： 2004-03-12 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：提供一种不产生颗粒，将处理液高精度地送液的装置。在将抗蚀剂液(处理液)向狭缝喷嘴(41)送液的送液机构(80)中设有抗蚀剂液泵(81)和驱动机构(82)。此外，在抗蚀剂液泵(81)上设有小直径的第1波纹管、大直径的第2波纹管、第1波纹管与第2波纹管的结合部件及构成抗蚀剂液的流路的管。通过驱动机构(82)向图3中下方向移动结合部件，管的内部容积减少，管内的抗蚀剂液被向狭缝喷嘴(41)送液。此外，通过驱动机构(82)向图3中下方向移动结合部件，管的内部容积增加，将抗蚀剂液向抗蚀剂液泵(81)吸引。
处理装置

[发明专利]涂敷方法、涂敷装置以及涂敷处理程序-CN200710004022.5有效
发明人：藤田直纪;绪方庸元;若元幸浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： B05D1/02 文献下载
摘要：在涂敷扫描的最后阶段，通过瞬间提高扫描速度(急加速)，使此前附着或者追随在抗蚀剂喷嘴的下部侧面(78b)的弯液面的抗蚀剂液隆起部(RQ)从抗蚀剂喷嘴(78)分离，优选将其留在保证区域边界(L_{X并且，在扫描刚结束后，使抗蚀剂喷嘴(78)在基板(G)上进行倒吸，从而去除涂敷扫描终端部的多余抗蚀剂液，此时倒吸的影响被上述留下的抗蚀剂液隆起部(RQ)抵消，从而可以防止保证区域(E_S)内的抗蚀剂膜厚变成设定值或者容许范围以下。}
方法装置以及处理程序

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