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- [发明专利]静电保护器件-CN201010593664.5有效
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苏庆
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上海华虹NEC电子有限公司
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2010-12-17
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2012-07-04
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H01L27/02
- 本发明公开了一种静电保护器件，包括相邻的一个N阱和一个P阱，所述N阱中，形成有第一P+扩散区、第二P+扩散区、第一N+扩散区；所述P阱中，形成有第三P+扩散区、第四P+扩散区、第三N+扩散区；所述N阱中的第一P+扩散区、第二P+扩散区、第一N+扩散区形成一PNP晶体管或一PMOS管，所述第一P+扩散区及第一N+扩散区短接用于接静电端；所述P阱中的第三P+扩散区、第四P+扩散区、第三N+扩散区，第三P+扩散区距离N阱最近，第三N+扩散区次之，第四P+扩散区距离N阱最远，第三P+扩散区及第三N+扩散区短接用于接地端，第四P+扩散区及N阱中的第二P+扩散区短接。
- 静电保护器件
- [实用新型]一种ESD保护器件-CN202122536041.0有效
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杨晓亮;李泽宏
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济南市半导体元件实验所
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2021-10-21
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2022-04-05
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H01L27/02
- 本实用新型公开一种ESD保护器件，属于集成电路静电放电保护领域，包括N型单晶材料、P扩散区、N+扩散区和P+扩散区，P扩散区形成于N型单晶材料上，N+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一N+扩散区和形成于P扩散区上的第二N+扩散区、第三N+扩散区，P+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一P+扩散区和形成于P扩散区上的第二P+扩散区，N+扩散区和P+扩散区的上方设有多个形成于相邻N+扩散区和P+扩散区之间的表面钝化层，多个表面钝化层上连接形成第一金属层、第二金属层、第三金属层；第一N+扩散区和P扩散区之间设有隔离槽。
- 一种esd保护器件
- [发明专利]图像传感器-CN202210338610.7在审
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吴官泳;金美惠;朴东赫;朴智元;李承旭;李海源
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三星电子株式会社
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2022-04-01
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2022-10-18
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H01L27/146
- 一种图像传感器包括：第一浮动扩散区；第二浮动扩散区，其在第一方向上与第一浮动扩散区相邻；第三浮动扩散区，其在垂直于第一方向的第二方向上与第一浮动扩散区相邻；以及第四浮动扩散区，其在第二方向上与第二浮动扩散区相邻焊盘设置在第一浮动扩散区和第二浮动扩散区上。焊盘至少部分地与第一浮动扩散区和第二浮动扩散区重叠。图像传感器包括互连线以及将焊盘连接至互连线的第一接触件。焊盘的第一表面设置在第一浮动扩散区和第二浮动扩散区上。器件隔离图案限定第一浮动扩散区、第二浮动扩散区、第三浮动扩散区和第四浮动扩散区。
- 图像传感器
- [发明专利]静电保护结构-CN201110103518.4有效
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苏庆
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上海华虹NEC电子有限公司
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2011-04-25
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2012-10-31
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H01L27/02
- 本发明公开了一种静电保护结构，包含一N阱，一P阱；N阱中形成有第一P+扩散区、第二P+扩散区、第一N+扩散区、第二N+扩散区，第一P+扩散区、第二P+扩散区构成一PMOS管；N阱中的二P+扩散区之一、二N+扩散区之一同所述PMOS管的栅极短接用于接静电端；P阱中形成有第三P+扩散区、第四P+扩散区、第三N+扩散区、第四N+扩散区，第三N+扩散区、第四N+扩散区构成一NMOS管；P阱中的二N+扩散区之一、二P+扩散区之一同所述NMOS管的栅极短接用于接地端；N阱中的另外一个N+扩散区同P阱中的另外一个N+扩散区短接；N阱中的另外一个P+扩散区同P阱中的另外一个P+扩散区短接。
- 静电保护结构
- [发明专利]单元和半导体器件-CN200710001254.5有效
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中西和幸
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松下电器产业株式会社
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2007-01-11
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2007-07-25
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H01L27/02
- 本发明公开了一种单元，该单元包括多个扩散区对，每个扩散区对由作为晶体管的组成部分的第一掺杂扩散区、以及第二掺杂扩散区构成，使得第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区在栅极长度方向上并排设置，并且在两者之间插入有器件隔离区在每个扩散区对中，第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区在栅极宽度方向上具有相同的长度，并且被设置在栅极宽度方向上的相同位置处；作为器件隔离区在第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区之间的部分的第一隔离区部分具有恒定的间隔长度在所述扩散区对中，第一隔离区部分具有相同的间隔长度。
- 单元半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN200710169322.9有效
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寺岛知秀
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三菱电机株式会社
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2007-11-22
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2008-10-15
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H01L27/06
- 在n－型半导体区(3)中，形成成为漏区的n－扩散区(5)，在该n－扩散区(5)的一侧，形成p扩散区(7)和成为源区的n+扩散区(8)。在n－扩散区(5)的另一侧，形成沟槽部(10)，充填绝缘体(12)。在n－扩散区(5)的正下方，形成p－埋层(13)。在n－型半导体区(3)的区域，形成施加高电位的n+扩散区(14)，用具有电阻(R)的布线(20)与n－扩散区(5)进行电连接。在被n+扩散区(8)和n－扩散区(5)夹持的p扩散区(7)的部分的表面上，隔着栅绝缘膜(19)形成栅电极(17)。
- 半导体器件
- [实用新型]一种食品蒸气袋加工用耐高温检测装置-CN202022414564.3有效
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莫小伟
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杭州宏畔纸塑包装有限公司
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2020-10-27
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2021-07-27
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G01N25/00
- 本实用新型公开了一种食品蒸气袋加工用耐高温检测装置，包括蒸气锅；存水区，存水区设置在蒸气锅内下部；储物桶，储物桶设置在存水区上方，且下半部分插入设置在蒸气锅内；蒸气扩散区，蒸气扩散区设置在存水区与储物桶之间；其中，蒸气扩散区由一扩散装置阻断形成，蒸气扩散区包括均匀扩散区和侧扩散区、侧扩散区设置在均匀扩散区的外侧；扩散装置包括设置在均匀扩散区下方的扩散板和设置在侧扩散区下方的镂空安装部，扩散板通过镂空安装部安装在蒸气锅内有益效果为：通过扩散装置使得蒸汽进入侧扩散区、均匀扩散区，增加了蒸汽进行流动性，使得蒸汽对于储物桶的加热更加的均匀，在节约成本的前提下提高了检测的精确度。
- 一种食品蒸气工用耐高温检测装置
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